游戏机的福音，世界上最快的eDRAM诞生

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IBM近日宣布他们完成了目前世界上最快的eDRAM内存产品，将eDRAM的访问时间大大缩小，进一步提高性能，降低功耗。

IBM的这种全新eDRAM技术采用65nm SOI技术，通过处理器内建的内存控制器来提供性能表现，体积比传统的SRAM减小三分之二，功耗只有五分之一，并且今后还可能随着制程的进一步提升而表现更好。
这种eDRAM目前的主战场并不是PC，而是激战中的新一代游戏机，任天堂Wii中的Hollywood图形芯片中就采用了eDRAM技术，微软Xbox360中的Xenos也同样有这样的应用，这两者都会因为IBM这种新产品的出现而得到提升空间。