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45nm Phenom:定于今年年底

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1#
发表于 2008-2-1 17:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
AMD保证45nm Phenom不再延期
转载:HKEPC 作者:HKEPC 编辑:Skyangeles 2008-02-01 16:56:00 598 人阅读 [投递]
虽然传来AMD K10 B3步进延期上市的坏消息,但AMD很可能在2008年下半年开始转运,主板厂商被AMD告知,K10 45纳米处理器很大机会在2008年第三季完成DVT测试(设计验证测试阶段),预期在2008年第四季量产,核心代号为Deneb及Propus,内建L3共享缓存将会大幅提升,同时功耗下降、频率提升空间将大大提高。

据了解,AMD已完成了45纳米晶圆试产阶段,预期在第二季中旬开始进行EVT测试(工程验证测试阶段),第三季将进行DVT测试,第三季未将会向主板厂商发放45纳米处理器样本,如无意外将可在2008年第四季量产,11将推出四核心Deneb,12月再推出主流级四核心Propus。

Deneb四核心除了频率将进一步提升外,将会把L3缓存容量由2MB提升至6MB,而且功耗亦有所下降,当65纳米版本处理器TDP为140W,则45纳米则会下降至125W,当65纳米版本处理器TDP为125W,则45纳米则下降至95W。Propus四核心主攻主流级市场,架构将会是Debeb四核心删去L3共享缓存设计以降低成本,最高TDP为95W。

值得注意的是,首批Deneb及Propus四核心仍会采用Socket AM2+处理器接口,但AMD将会在2009年上半年推出Deneb及Propus的Socket AM3版本,加入DDR3内存控制器支持。

2#
 楼主| 发表于 2008-2-1 17:36 | 只看该作者
个人认为:
1 更大的L3缓存有助于改善性能,但是并不能起到打得作用,相比起来还是阉了L3降低成本来得实在
2 没有高电介质材料和金属栅极工艺,45nm漏电情况恐怕更严重,功耗控制和频率提升还是一个大大的问号
3 随着线宽的变小,工艺难度也在加大。对于AMD给出的时间表,个人仍然持怀疑态度……
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3#
发表于 2008-2-1 17:45 | 只看该作者
原帖由 itany 于 2008-2-1 17:36 发表
个人认为:
1 更大的L3缓存有助于改善性能,但是并不能起到打得作用,相比起来还是阉了L3降低成本来得实在
2 没有高电介质材料和金属栅极工艺,45nm漏电情况恐怕更严重,功耗控制和频率提升还是一个大大的问号
3  ...


关于2.3点
可以去找干 爹ibm啊,哦
忘记鸟,ibm看不上45nm,直接就32了,怪不得amd说45nm是落后淘汰的工艺
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Bohr 该用户已被删除
4#
发表于 2008-2-1 18:22 | 只看该作者
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5#
发表于 2008-2-1 19:12 | 只看该作者
哇,这下小JJ全没了:ph34r: ,比菜羊下刀还厉害
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6#
发表于 2008-2-1 20:01 | 只看该作者
去掉L3后的性能不知道怎样啊? 这个影响貌似比conroe缩水L2缓存更严重

Deneb倒是可以正面对抗65纳米的四核Kentsfield了
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7#
发表于 2008-2-1 20:38 | 只看该作者
L3不可能去掉,这是K10 cache一致性设计的最重要环节。
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8#
 楼主| 发表于 2008-2-1 22:34 | 只看该作者
原帖由 Edison 于 2008-2-1 20:38 发表
L3不可能去掉,这是K10 cache一致性设计的最重要环节。


AMD曾经表示会推出没有L3缓存的双核心K10,这个是不可能完成的任务阿?
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9#
 楼主| 发表于 2008-2-1 22:37 | 只看该作者
原帖由 naze 于 2008-2-1 17:45 发表


关于2.3点
可以去找干 爹ibm啊,哦
忘记鸟,ibm看不上45nm,直接就32了,怪不得amd说45nm是落后淘汰的工艺


干爹不是万能的,A社绝不可能熬过45nm,直接上32nm的;但是没有高电介质工艺,AMD想熬过去怕是也困难
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10#
发表于 2008-2-1 22:58 | 只看该作者
干爹加油啊,がんばりましょ!
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wangchunboss 该用户已被删除
11#
发表于 2008-2-1 23:11 | 只看该作者
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12#
发表于 2008-2-2 00:07 | 只看该作者
原帖由 itany 于 2008-2-1 22:34 发表
AMD曾经表示会推出没有L3缓存的双核心K10,这个是不可能完成的任务阿?

双核当然可能去掉,但是4核肯定会继续存在。

只是现在的进度来看,明年能有多少双核产品的市场是个比较大的问题。
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13#
发表于 2008-2-2 00:16 | 只看该作者

回复 10# 的帖子

IBM对于45nm的solution是SOI:lol: 而且采用32nm,high-k/metal gate工艺的SRAM已经做出来了:lol:
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马由 该用户已被删除
14#
发表于 2008-2-2 00:19 | 只看该作者
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15#
发表于 2008-2-2 09:29 | 只看该作者
:blink: amd怎么不重新设计L2,这么长时间连个L2都做不好,是不是人都跑光了?
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16#
发表于 2008-2-2 10:25 | 只看该作者
:w00t):6m l2 k10也只有被 Nehalem痛击的份,而且 Nehalem的制造成本更低
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17#
发表于 2008-2-2 10:32 | 只看该作者
IT市场上落后半年有时候就是生和死的区别
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18#
发表于 2008-2-2 13:40 | 只看该作者
(_( 看看amd最高频率的6400+还用 90nm工艺, 都什么时候了,intel 45nm都量产了。amd的65nm还没吃透:blink:
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19#
 楼主| 发表于 2008-2-2 14:30 | 只看该作者
原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 00:16 发表
IBM对于45nm的solution是SOI:lol: 而且采用32nm,high-k/metal gate工艺的SRAM已经做出来了:lol:


SOI能解决问题么? SOI也就是对层内的漏电有一些作用,但是对于层间的漏电没啥帮助 :shifty:
现在的65nm的“solution”就是SOI,解决了K10的功耗和频率问题了么?
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