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原帖由 itany 于 2008-2-1 17:36 发表 个人认为: 1 更大的L3缓存有助于改善性能,但是并不能起到打得作用,相比起来还是阉了L3降低成本来得实在 2 没有高电介质材料和金属栅极工艺,45nm漏电情况恐怕更严重,功耗控制和频率提升还是一个大大的问号 3 ...
原帖由 Edison 于 2008-2-1 20:38 发表 L3不可能去掉,这是K10 cache一致性设计的最重要环节。
原帖由 naze 于 2008-2-1 17:45 发表 关于2.3点 可以去找干 爹ibm啊,哦 忘记鸟,ibm看不上45nm,直接就32了,怪不得amd说45nm是落后淘汰的工艺
原帖由 itany 于 2008-2-1 22:34 发表 AMD曾经表示会推出没有L3缓存的双核心K10,这个是不可能完成的任务阿?
原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 00:16 发表 IBM对于45nm的solution是SOI:lol: 而且采用32nm,high-k/metal gate工艺的SRAM已经做出来了:lol:
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