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Intel X-25M G3 规格发布,4K 随机写性能跃升,寿命显著延长

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1#
发表于 2010-10-6 02:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
What's this? The long awaited specs for Intel's third generation SSD? Indeed.

        Internally it’s called the Postville Refresh (the X25-M G2 carried the Postville codename), but externally it carries the same X25-M brand we’ve seen since 2008. The new drive uses 25nm IMFT Flash, which means we should get roughly twice the capacity at the same price. While Intel is sampling 25nm MLC NAND today it's unclear whether or not we'll see drives available this year. I've heard that there's still a lot of tuning that needs to be done on the 25nm process before we get to production quality NAND. The third generation drives will be available somewhere in the Q4 2010 - Q1 2011 timeframe in capacities ranging from 40GB (X25-V) all the way up to 600GB.

       



        Despite the Q1 release of Intel’s 6-series chipsets, Intel is listing the new X25-M as being 3Gbps SATA only. The SATA implementation has been updated to support ATA8-ACS so it’s possible we may see official 6Gbps support once Intel has a chipset with native support.

        The new drive’s performance specs are much improved. The comparison between old and new is below:
                                Intel Consumer SSD Comparison
                                                                 Intel X25-M G2 (34nm)                                Intel X25-M G3 (25nm)
                                Codename                                Postville                                Postville Refresh
                                Capacities                                80/160GB                                80/160/300/600GB
                                NAND                                IMFT 34nm MLC                                IMFT 25nm MLC
                                Sequential Performance Read/Write                                Up to 250/100 MB/s                                Up to 250/170 MB/s
                                Random 4KB Performance Read/Write                                Up to 35K/8.6K IOPS                                Up to 50K/40K IOPS
                                Max Power Consumption Active/Idle                                3.0/0.06W                                6.0/0.075W
                                Total 4KB Random Writes (Drive Lifespan)                                7.5TB - 15TB                                30TB - 60TB
                                Power Safe Write Cache                                No                                Yes
                                Form Factors                                1.8" & 2.5"                                1.8" & 2.5"
                                Security                                ATA Password                                ATA Password + AES-128


        If these numbers are accurate, the new Intel drive should be roughly equal to Crucial’s RealSSD C300 and SandForce SF-1200 based drives. There are many different ways to measure this data however so the numbers may be higher or lower in our tests. Note that performance could also go up by the time drives are available as there's still a lot of tuning going on right now. I'd say that at these performance levels Intel had better be very aggressive with pricing because I'm expecting much better from the next-generation SandForce drives.

        Write amplification appears to be more under control with the third gen X25-M. Intel upgraded the total 4KB random writes spec from 7.5TB - 15TB on the G2 to a much higher (and wider) range of 30TB to 60TB depending on drive and spare area.
        Intel hasn’t disclosed any information about spare area, but given the huge increase in longevity of the drives I suspect that spare area has gone up as well (at least on the larger drives).

        The G1 and G2 drives didn’t store any user data in the off-controller DRAM, the third gen drive changes that. A large part of why the C300 is so quick has to do with its large external DRAM, something Intel has avoided implementing in the past due to the associated risk of data loss. Intel refers to the 3rd gen X25-M has having a power safe write cache, which sounds to me like it has an external DRAM paired with a big enough capacitor to flush the cache in the case of sudden power loss.
        Full disk encryption is the next big feature on the Postville Refresh. You get AES-128 support on the consumer drives. I’m guessing there’s a new version of the SSD Toolbox in the works as Intel is also promising Windows based firmware updates.

        The new X25-M will be available in both 1.8” and 2.5” versions. The 1.8” drive tops out at 300GB, you’ll need the 2.5” form factor for 600GB.

        In addition to the new X25-M there’s a new X25-E due out in Q1 2011. Codenamed Lyndonville, this will be the first Intel Enterprise SSD to use MLC flash. It’s not quite the same MLC used on the consumer drives but rather a modification of the 25nm process that trades data retention for longevity.

        Standard MLC will last for 12 months after all erase/program cycles have been consumed. Enterprise grade MLC will last only 3 months after exhausting all erase/program cycles but will instead support many more cycles per cell.

        The X25-E improves specs compared to its predecessor:
                                Intel Enterprise SSD Comparison
                                                                 Intel X25-E (50nm)                                Intel X25-E (25nm)
                                Codename                                Ephraim                                Lyndonville
                                Capacities                                32/64GB                                100/200/400GB
                                NAND                                IMFT 50nm MLC                                IMFT 25nm eMLC
                                Sequential Performance Read/Write                                Up to 250/170 MB/s                                Up to 250/200 MB/s
                                Random 4KB Performance Read/Write                                Up to 35K/3.3K IOPS                                Up to 50K/5K IOPS
                                Max Power Consumption Active/Idle                                3.0/0.06W                                5.0/0.095W
                                Total 4KB Random Writes (Drive Lifespan)                                32GB: 1PB
                                64GB: 2PB
                                100GB: 900TB - 1PB
                                200GB: 1PB - 2PB
                                400GB: 1.4PB
                                Power Safe Write Cache                                No                                Yes
                                Form Factors                                2.5"                                2.5"
                                Security                                ATA Password                                ATA Password + AES-128


        Larger capacities, higher performance, AES-128 support and comparable lifespans to the old X25-Es are all in store early next year. Note that Intel tests 4KB random write performance differently on enterprise vs. consumer drivers so you can’t directly compare the numbers between the X25-M and X25-E. The X25-E will be 2.5” only.

        Intel isn’t the only one working on a controller update. SandForce and Indilinx are both heading towards production versions of their next-generation controllers. I expect we’ll see preview class hardware before the end of the year, with mainstream availability in Q1 2011.
2#
发表于 2010-10-6 03:27 | 只看该作者
期待!虽然我还是不会掏钱去买。
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3#
发表于 2010-10-6 03:42 | 只看该作者
非常令人期待。
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4#
发表于 2010-10-6 04:37 | 只看该作者
G2 80g表示有升级的欲望
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5#
发表于 2010-10-6 07:35 | 只看该作者
功耗上去了,笔记本用户可以无视
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mikeee146 该用户已被删除
6#
发表于 2010-10-6 08:18 | 只看该作者
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pzdiy 该用户已被删除
7#
发表于 2010-10-6 09:10 | 只看该作者
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8#
发表于 2010-10-6 09:27 | 只看该作者
很激动阿!!! 同时也看来SLC离走进坟墓不远了。
pzdiy 发表于 2010-10-6 09:10

這1~2年應該是不可能的事
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pzdiy 该用户已被删除
9#
发表于 2010-10-6 09:33 | 只看该作者
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10#
发表于 2010-10-6 10:13 | 只看该作者
非常令人期待。
价格不知道什么样
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11#
发表于 2010-10-6 10:14 | 只看该作者
回复  per1-q1222


    这两年MLC 突飞猛进,已非当年吴下阿蒙了。
pzdiy 发表于 2010-10-6 09:33

這是本質上的差異...
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12#
发表于 2010-10-6 10:50 | 只看该作者
功耗上升了一些,写入速度大幅度提升,估计缓存有较大改进吧?
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13#
发表于 2010-10-6 10:52 | 只看该作者
回复  per1-q1222


    这两年MLC 突飞猛进,已非当年吴下阿蒙了。
pzdiy 发表于 2010-10-6 09:33

这个东西估计还需要共存几年,SSD最终是不是MLC的天下现在定论还太早,或许成本一直降不下来,温彻斯特硬盘还要继续活10年
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pzdiy 该用户已被删除
14#
发表于 2010-10-6 10:55 | 只看该作者
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pzdiy 该用户已被删除
15#
发表于 2010-10-6 10:57 | 只看该作者
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16#
发表于 2010-10-6 11:03 | 只看该作者
现在芯片厂已经一股脑地倒向MLC了,就像当年的RAMBUS一样,空有一身武功,还没来得及发挥就被DDR ...
pzdiy 发表于 2010-10-6 10:55

SLC就是企業應用...
我認為這幾年MLC要取代SLC還不太容易....
控制器算法雖然是關鍵..
不過同樣情況下MLC進入worst case會比SLC早...

這是本質上的差異..
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pzdiy 该用户已被删除
17#
发表于 2010-10-6 11:06 | 只看该作者
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18#
发表于 2010-10-6 11:07 | 只看该作者
活10年有可能,现在CRT不是还活着嘛,关键要看活得怎么样啊? 液晶那年以迅雷不及掩耳之势就秒了 ...
pzdiy 发表于 2010-10-6 10:57

CRT的利润率还是可以,只是需求者不再是消费级了,需求量降低会让厂商的收益惨不忍睹进而减少研发投资,这样就是恶性循环了所以抓住消费级用户才是王道啊
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19#
发表于 2010-10-6 11:08 | 只看该作者
现在芯片厂已经一股脑地倒向MLC了,就像当年的RAMBUS一样,空有一身武功,还没来得及发挥就被DDR ...
pzdiy 发表于 2010-10-6 10:55


RAMBUS很威武,打官司超一流,我看RAMBUS还是改行打官司好了
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20#
发表于 2010-10-6 11:13 | 只看该作者
RAMBUS很威武,打官司超一流,我看RAMBUS还是改行打官司好了
凹特 发表于 2010-10-6 11:08

先不論RAMBUS的公司品德..
事實上RAMBUS在技術上算是很超前的..
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