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我的黑条 4GB
项目 当前值
内存模块
模块名称 Samsung M379B5273CH0-CH9
序列号 471CFF0Ch (218045511)
制造日期 第19周 / 2011
模块容量 4 GB (2 ranks, 8 banks)
模块类型 Unbuffered DIMM
存取类型 DDR3 SDRAM
存取速度 DDR3-1333 (667 MHz)
模块位宽 64 bit
模块电压 1.5 V
错误检测方式 无
DRAM 制造商 Samsung
内存计时
@ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 533 MHz 7-7-7-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-86-4-8-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 457 MHz 6-6-6-17 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-74-3-7-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
内存模块特性
Auto Self Refresh 不支持
Extended Temperature Range 支持
Extended Temperature Refresh Rate 不支持
On-Die Thermal Sensor Readout 不支持
内存模块制造商
公司名称 Samsung
产品信息 http://www.samsung.com/global/business/semiconductor
项目 当前值
北桥属性
北桥 AMD K12 IMC
内存类型支持 DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333, DDR3-1600, DDR3-1866 SDRAM
修订 00
工艺技术 32 nm
内存控制器
类型 Dual Channel (128 位)
启用模式 Dual Channel (128 位)
有效频率 1600 MHz
内存计时
CAS Latency (CL) 8T
RAS To CAS Delay (tRCD) 9T
RAS Precharge (tRP) 8T
RAS Active Time (tRAS) 24T
Row Cycle Time (tRC) 24T
Command Rate (CR) 1T
RAS To RAS Delay (tRRD) 6T
Write Recovery Time (tWR) 12T
Write To Read Delay (tWTR) 6T
Read To Precharge Delay (tRTP) 6T
Four Activate Window Delay (tFAW) 30T
Write CAS Latency (tWCL) 8T
Refresh Period (tREF) 7.8 us
DRAM Drive Strength 1.25x
DRAM Data Drive Strength 1.25x
Clock Drive Strength 1.25x
CKE Drive Strength 1.5x
Idle Cycle Limit 96
由于 APU 本身无法支持两条以上内存跑 1833MT/s,所以我现在跑的是 4 条 1600MT/s 。 |
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