全核心超频频率下降！22nm Ivy Bridge撞到南墙

泥巴 · 发表于 2012-1-18 10:55

解决这内核散热问题可以使用更好的导热材料或把核心平铺在上、缓存及内存控制器放在下面或胶水核心等我们想不到的方法解决。
不使用更高的频率应该是INTEL刻意所为

66666 · 发表于 2012-1-18 11:19

希望不带K的起码能超外频

boris_lee · 发表于 2012-1-18 12:16

本帖最后由 boris_lee 于 2012-1-18 12:17 编辑

主贴核心就是一句话：随着工艺的进步，单位面积功耗越来越高，以至于超出散热能力的极限
各位自行判断真假。

路西法大大 · 发表于 2012-1-18 12:28

本帖最后由路西法大大于 2012-1-18 12:33 编辑

INTEL又不是傻子真要解决这问题出把晶体管堆积的密集度降低就是了...只不过成本会高点而已不过生产成本从来也不占大头无所谓
把100MM^2的芯片分散在200MM^2上毫无压力反过来才叫做挑战性

NKT · 发表于 2012-1-18 12:39

以前好像看过评测，说默点5G随随便便，怎么就遇上南墙了？还是枪？

只看该作者 · 发表于 2012-1-18 12:50

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vs2 · 发表于 2012-1-18 12:51

硅材料的导热能力不行，功率密度太高的情况下，没办法解决集中密度高的散热。
室温是一个恒定的环境设定。降低密度自然占用更大面积，不可能走的回头路。
看来得先从PN结材质上突破了才行，碳基pn结貌似还没突破

阿土来了 · 发表于 2012-1-18 13:13

我等知足流，上得了四G就行了。对五G主频，没兴趣。

acqwer · 发表于 2012-1-18 13:54

这个帖子居然不是GTX5转的，转贴机难道也放假了？

dalao123 · 发表于 2012-1-18 14:38

AMD给力点更实在，呵呵

尼古拉斯凯奇 · 发表于 2012-1-19 08:29

potomac 发表于 2012-1-18 12:50
你可以去查阅一下每一代产品的尺寸。
实际上尺寸是在慢慢增加的，
制程的进步，主要解决的是每两年翻翻 ...

SNB到IVY尺寸缩小了，就这么简单，不能上5G的IVY还玩个JB

acqwer · 发表于 2012-1-19 09:27

尼古拉斯凯奇发表于 2012-1-19 08:29
SNB到IVY尺寸缩小了，就这么简单，不能上5G的IVY还玩个JB

面积300+的IVB-E欢迎你选购。

山中小子 · 发表于 2012-1-19 10:11

acqwer 发表于 2012-1-18 13:54
这个帖子居然不是GTX5转的，转贴机难道也放假了？

可能在回家的路上

只看该作者 · 发表于 2012-1-19 12:34

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sleuth · 发表于 2012-1-19 13:15

本帖最后由 sleuth 于 2012-1-19 13:16 编辑

不仅仅是22纳米工艺的事情吧，还有那个3D芯片设计的关系。

个人看法，这是Intel限制超频的新手段。

pivk · 发表于 2012-1-19 13:16

acqwer 发表于 2012-1-19 09:27
面积300+的IVB-E欢迎你选购。

如果ivy的某22nm芯片需要做到300+这种面积，假设晶体管密度不变，那么使用32nm或者45nm工艺则需要摊到450+或者600+的面积，可以想想看，在45nm工艺的时代，600+面积的芯片功耗全开的时候将是多么可怕。
文章的意思可能是制程的进步可以带来芯片面积更小的同性能等级芯片，省成本；另外可以让芯片在更低的电压下达到相同的频率，从而带来更低的功耗，但是问题点在于这个功耗的降低幅度能否赶上面积缩小的幅度，如果赶不上，可能将带来更高的单位面积功耗。

要改进这个问题，只能期待，一，散热器材料的大变革，同样的接粗面积可以带走更多的热量，二cpu架构的变革，同样的晶体管实现的性能能够超越上一代。除此之外，别无他法了。

sleuth · 发表于 2012-1-19 13:17

notfishcc 发表于 2012-1-17 20:44
早些时候不是有报道说现在芯片的单位面积瞬间热功率已经超过太阳表面了么...再过几年CPU就变成核反应堆了

好夸张的说法。

月夜狂雪 · 发表于 2012-1-20 09:27

LZ没什么脑子，不解释

mastpoko · 发表于 2012-1-20 11:14

可以在核心上植入密密麻麻的凸起和顶盖结合,还可以在顶盖里注入不导电的导热液体,还可以使用黄金顶盖,哈哈,抢啊

ericcantona · 发表于 2012-1-20 17:58

路西法大大发表于 2012-1-18 12:28
INTEL又不是傻子真要解决这问题出把晶体管堆积的密集度降低就是了...只不过成本会高点而已不过生产成本从来 ...

你不知道硅晶圆有多贵么。。。
升级制程就2目的，降低功耗和成本，两者都和芯片面积成正比，照你这么说还要升级干啥

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potomac 该用户已被删除	26^# 发表于 2012-1-18 12:50 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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22587758 该用户已被删除	34^# 发表于 2012-1-19 12:34 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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