AMD继续悲剧中， Intel 开始研制 7nm 和 5nm 工艺芯片

mooncocoon · 发表于 2012-5-16 19:58

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 19:48
原来NV抱怨的是台积电的产能不足，并不是工艺不先进，英特尔的工艺最先进但是性能不如台积电，可是产能又 ...

嗯，其实相比于我常说的“全球最威”，有利有弊才是更合适的说法。
我个人更倾向于讨论工艺本身的理念和细节，所以会用上这种形容词。

gzeasy2006 · 发表于 2012-5-16 20:02

mooncocoon 发表于 2012-5-16 19:58
嗯，其实相比于我常说的“全球最威”，有利有弊才是更合适的说法。
我个人更倾向于讨论工艺本身的理念和 ...

那你能否透露一下台积电的28纳米栅极比英特尔的32纳米栅极性能要高多少？我指的是每瓦特性能。

mooncocoon · 发表于 2012-5-16 20:14

本帖最后由 mooncocoon 于 2012-5-16 20:16 编辑

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 20:02
那你能否透露一下台积电的28纳米栅极比英特尔的32纳米栅极性能要高多少？我指的是每瓦特性能。

每瓦特性能只能用同样的逻辑结构来衡量，所以没办法给你这样的数字……比较直观的衡量晶体管性能一般会用阈值电压，Intel 32nm的Vt在先期是1.06V~1.03V，后期稳定的流水线上参数通常可以在1.0V，而TSMC目前的Vt则处在0.94~0.98V之间，Tahiti投产时的数据是0.97V，算是相当不错的了。

gzeasy2006 · 发表于 2012-5-16 20:18

从你给出的参数看，貌似台积电领先英特尔也不多嘛

gzeasy2006 · 发表于 2012-5-16 20:19

mooncocoon 发表于 2012-5-16 20:14
每瓦特性能只能用同样的逻辑结构来衡量，所以没办法给你这样的数字……比较直观的衡量晶体管性能一般会 ...

从你给出的参数看来，台积电领先英特尔也不多嘛，差距是微乎其微的

mooncocoon · 发表于 2012-5-16 20:22

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 20:19
从你给出的参数看来，台积电领先英特尔也不多嘛，差距是微乎其微的

我从来没用“大幅”之类的词来定性过两者之间的性能差距吧。
应该说TSMC虽然采用了更加先进的理念，但其蹩脚的经验限制了新工艺的发挥的……
如果把分离处理上覆层的方法交给其他人，甚至是三星来完成的话，结果都会好更多的。

只看该作者 · 发表于 2012-5-16 20:24

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gzeasy2006 · 发表于 2012-5-16 20:30

本帖最后由 gzeasy2006 于 2012-5-16 20:31 编辑

mooncocoon 发表于 2012-5-16 20:22
我从来没用“大幅”之类的词来定性过两者之间的性能差距吧。
应该说TSMC虽然采用了更加先进的理念，但其 ...

经验不足是因为需要学习曲线吗？再则能做出GK110这种大芯片你还能说台积电是蹩脚的经验？

mooncocoon · 发表于 2012-5-16 20:38

本帖最后由 mooncocoon 于 2012-5-16 20:39 编辑

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 20:30
经验不足是因为需要学习曲线吗？再则能做出GK110这种大芯片你还能说台积电是蹩脚的经验？

这里的学习曲线可不是做特定的芯片，而是“做芯片”本身。他需要经年累月的积累以及大量的流水线时间。说白了就是熬年头+拼工厂数量，年头有了，Fab多了，经验自然就来了。
500来平方毫米的芯片能不能做出来不是经验问题，能不能“大量”而且“快速”的做出来才是经验问题。而这恰恰有关系到被代工者的出货量以及收入，SO……
明白TSMC为啥要被NV骂了吧，活儿再细没量也是不行的。

gzeasy2006 · 发表于 2012-5-16 20:48

本帖最后由 gzeasy2006 于 2012-5-16 20:51 编辑

mooncocoon 发表于 2012-5-16 20:38
这里的学习曲线可不是做特定的芯片，而是“做芯片”本身。他需要经年累月的积累以及大量的流水线时间。 ...

做500mm2这种芯片，只怕英特尔也难以保证大量快速的做出来吧？英特尔的fab够多了吧，经验也够多了吧

mooncocoon · 发表于 2012-5-16 20:55

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 20:48
做500mm2这种芯片，只怕英特尔也难以保证大量快速的做出来吧？英特尔的fab够多了吧，经验也够多了吧

我不喜欢对没有出现过的事物直接下定论，但从Intel在100平方毫米范围向200平方毫米范围跃升时的表现来看，反正蹩脚这个词是很难用到它身上的。
即便是130nm以及进入90nm第一次面对深亚微米屏障时，Intel在遇到问题时进行解决的能力也明显强于其他人，比如说导致P4 1.6A突然死亡的刻线深度不足问题，Intel就只用了2个月便以砍翻重练的形式搞定了。

只看该作者 · 发表于 2012-5-16 21:31

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gzeasy2006 · 发表于 2012-5-16 21:52

本帖最后由 gzeasy2006 于 2012-5-16 21:54 编辑

mooncocoon 发表于 2012-5-16 20:55
我不喜欢对没有出现过的事物直接下定论，但从Intel在100平方毫米范围向200平方毫米范围跃升时的表现来看， ...

100平方毫米到200平方毫米不成问题了，500+mm2的大东西可能说得过了，那来试试GK104这个面积294mm2的货吧，看看英特尔是不是能够大量快速的做出来

mooncocoon · 发表于 2012-5-16 22:09

本帖最后由 mooncocoon 于 2012-5-16 22:11 编辑

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 21:52
100平方毫米到200平方毫米不成问题了，500+mm2的大东西可能说得过了，那来试试GK104这个面积294mm2的货 ...

SNB的面积大于200平方毫米，量咋样不用多说了。
SNB-E面积430多平方毫米，好像也没听说过缺货的事。

这就是Intel，它在大部分时候都不是技术最先进的，但不管是对IBM、TSMC还是别的什么人，技术“不足”经验补一直都是致胜的不二法门。

只看该作者 · 发表于 2012-5-16 22:22

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gzeasy2006 · 发表于 2012-5-16 22:27

mooncocoon 发表于 2012-5-16 22:09
SNB的面积大于200平方毫米，量咋样不用多说了。
SNB-E面积430多平方毫米，好像也没听说过缺货的事。

那这么说来英特尔的工艺制程是业界冲得最快最新的，也是业界最成熟产能最大的，就算同制程工艺性能落后台积电微乎其微，还是可以凭借巨大的产能秒杀对手

mooncocoon · 发表于 2012-5-16 22:29

本帖最后由 mooncocoon 于 2012-5-16 22:30 编辑

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 22:27
那这么说来英特尔的工艺制程是业界冲得最快最新的，也是业界最成熟产能最大的，就算同制程工艺性能落后台 ...

是啊。
所以我之说目前TSMC的28nm工艺最威，从来没说过TSMC超越Intel或者宇宙第一甚么的吧。

gzeasy2006 · 发表于 2012-5-16 22:36

mooncocoon 发表于 2012-5-16 22:29
是啊。
所以我之说目前TSMC的28nm工艺最威，从来没说过TSMC超越Intel或者宇宙第一甚么的吧。

那为什么台积电不能像英特尔那样冲得最快最新呢？因为28纳米虽然全球最威，但是工艺始终落后英特尔一代，造成28纳米对垒英特尔22纳米的局面，还是会败给英特尔的22纳米工艺啊

mooncocoon · 发表于 2012-5-16 22:43

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 22:36
那为什么台积电不能像英特尔那样冲得最快最新呢？因为28纳米虽然全球最威，但是工艺始终落后英特尔一代， ...

刚不是说了么，经验是时间和工厂数堆起来的。TSMC这两条上别说追Intel，就是连跟三星比都差很大的……
很多时候不是说想“冲的最快最新”，就能冲的最快最新的。TSMC选择半代工艺，其实也有实在是追不上的原因在。

thewife · 发表于 2012-5-16 22:48

AMD 90nm同频性能明显高于65nm性能，3800cz经典啊，温度低又能超。

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mikessb 该用户已被删除	27^# 发表于 2012-5-16 20:24 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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Racca 该用户已被删除	32^# 发表于 2012-5-16 21:31 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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乐极生悲该用户已被删除	35^# 发表于 2012-5-16 22:22 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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