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原帖由 DonaldGoD 于 2007-2-6 13:49 发表 人家不是回答为什么NVIO要独立出来啦~~
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原帖由 phk 于 2007-2-6 13:50 发表 火星问题,为何还要问人?:huh:
原帖由 AMD-FANS 于 2007-2-6 15:29 发表 ...呵呵,可以换掉手上的 x1950xt了.不过..最近NV不会更新类如G81之类的吧? 以前入了78gtx,很后悔不等等买后面的79系列.
原帖由 phk 于 2007-2-6 00:33 发表 用110nm原因是110nm NVIO面积已经太细,再用上90nm后NVIO面积更细的话,会造成接触面积过细,反而不利散热:thumbsup:
原帖由 大死人花 于 2007-2-6 16:06 发表 无知,这是由良品率决定的,DIE面积小可以改变封装,并不是因由热量 ps:110nm的NVIO貌似并不热,90nm的热量应该更小
原帖由 xtal 于 2007-2-6 22:41 发表 问题不是这里, NVIO这样的芯片 封装 工艺都是轻易不能改动的, 除非准备大幅度缩水
原帖由 frankexem 于 2007-2-6 22:42 发表 哎呀 大家就这么忍心看着Afan痛苦么? 我看不下去了……
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