其实R600拖那么久滴根本原因素什么？

lacri

原帖由 末日之刃 于 2007-2-18 00:12 发表

深埋绝缘层:shifty:

原来思考最近挂在嘴边的就是这东东啊！:funk:

Eji

原帖由 Edison 于 2007-2-18 00:33 发表
效率低，需要拱频率。

結構設計造成時脈拉不上去，所以最後決定下猛藥，
代價就是遠比原始設計高的時脈。(可以從並不長的PCB看出來此非原始設計)
應該只有R600用ILD，其他衍生產品應該不至於會有發熱問題，不過時脈仍然值得擔憂。
這個狀況與當年NV30完全相同，付出的代價也一樣。

R680該準備了....

[ 本帖最后由 Eji 于 2007-2-18 22:38 编辑 ]

Edison

ATI从9600以来都很喜欢Low-K的ILD，NVIDIA从NV30后，就一直都是bulk silicon的工艺，ILD并非什么特定的工艺，只是指芯片内各layer之间的介质。

末日之刃

原帖由 Edison 于 2007-2-18 23:43 发表
ATI从9600以来都很喜欢Low-K的ILD，NVIDIA从NV30后，就一直都是bulk silicon的工艺，ILD并非什么特定的工艺，只是指芯片layer之间的介质。

但是ILD限制了不少工艺的应用，这个太要命了
PS：去手提电脑区去Ban水人