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楼主: eeerrr
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G92都流片了,怎么还没有R700消息?

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41#
发表于 2007-6-21 14:49 | 只看该作者
AMDA如果被私募基金收购NV末日就到拉
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42#
发表于 2007-6-21 15:15 | 只看该作者
原帖由 cxlxl 于 2007-6-19 13:06 发表
扯什么呢。。。直接告诉别人为什么不用80nm不就得了,说一半藏一半的。看着这种人就烦。。

是啊,这种态度的确让人反感

对于虚心求教的人来说丝毫没有价值,反而容易激化矛盾,尤其是双方都很要面子的情况下
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43#
发表于 2007-6-21 16:07 | 只看该作者
原帖由 我爱我猫DLC 于 2007-6-19 10:01 发表

你知道什么叫DNA吗?虽然我刚注册,可我也是01年就玩硬件03开始超频,
即使不知道什么是DNA RNA也不代表生下孩子就是白痴,
别以为世上就你一个人什么都懂,你又不是台积电老板,卖弄什么名词.


:sweatingbullets: 这个太好笑了,人家和你拽工艺,你和人家拽生理,

工艺决定显示核心,难道生理决定产量?
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44#
发表于 2007-6-21 16:12 | 只看该作者
多少纳米又不是想上就上的,抛开乱七八糟的物理学和材料学问题,,总要考虑良品率吧,,

65纳米又不代表更先进,只不过工艺水平发展到这个程度了,而且有必要用,才会用到
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stefxia 该用户已被删除
45#
发表于 2007-6-21 23:01 | 只看该作者
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46#
发表于 2007-6-21 23:16 | 只看该作者
原帖由 末日之刃 于 2007-6-19 13:02 发表


当你搞清那几个名词,你就明白为何nV不用80了,



扯什么呢。。。直接告诉别人为什么不用80nm不就得了,说一半藏一半的。



----------是啊,有料的就给大家伙说说吧,感兴趣的网友也会谢谢你。
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47#
发表于 2007-6-21 23:19 | 只看该作者
原帖由 远大 于 2007-6-21 23:16 发表



扯什么呢。。。直接告诉别人为什么不用80nm不就得了,说一半藏一半的。



----------是啊,有料的就给大家伙说说吧,感兴趣的网友也会谢谢你。

我就是不说啊,说给你们这些一天不动脑子的人干啥:blink:
我对你们的感谢也没有兴趣哦:shifty:
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48#
发表于 2007-6-21 23:45 | 只看该作者
又要圈钱了,我才不上当了。
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49#
发表于 2007-6-21 23:53 | 只看该作者
走一步是一步:loveliness:
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50#
发表于 2007-6-22 02:13 | 只看该作者
恐怕没有R700乐,AMD决定以集成显卡为生了
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51#
发表于 2007-6-22 08:53 | 只看该作者
G92年底就会推出,低功耗 低噪音。
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52#
发表于 2007-6-22 10:36 | 只看该作者
原帖由 stefxia 于 2007-6-21 23:01 发表
80nm过渡技术。。。还不如直接上65nm,应该都成熟了

不要应该成熟了
应该两个字只是你的yy罢了
现在你能买到的显卡中哪个是65的?w00t)

80nm不应该理解成过渡技术
而应理解成90nm se

同样是90nm差异很大的
amd早期的d0和最新的f3,就可以差很多
一个单核风冷过2.8就搞笑了
一个么,过3.3肯定没问题(而且是双核)
都叫90nm soi哦

碰到amd如果是代工厂商,恐怕也会把后期工艺标成.08吧

举个例子说点问题罢了
具体你可以说诸如f3加入了DSL后又加入了sige,之类的
顺便给点数字和图片证明一下
:lol:

半导体上有什么过渡工艺的,厂商从2000年开始出.18的显卡,结果.18到2001年就不发了
01年直接进入.18 se(就是.15)
然后.15一直坚持到03年底w00t)

按照所谓过渡的说法,岂不是.18才是过渡的?

所以,不要去盯着人家末日mm不放,很多东西知道就可以了,讲细了费时费力
65nm,除了intel,其他厂商都累的够呛
amd的高端依旧是90nm SOI的F3步进,不是65nm soi的g1
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53#
发表于 2007-6-22 10:51 | 只看该作者
通常很多对于半导体的看法,在2002年以前都是对的
但是,之后,完全进入了另一个世界
个人不看好r700能够根据现在看到的roadmap出来
理由很简单
谁知道现在tsmc的65nm se能造什么?
如果只是能展示,能造sram
那请根据intel展示45nm sram到工艺成熟,yorkfield大批量上市这段时间
计算r700究竟要多久才能出来
通常,还得把这个时间延长,实力差距摆在那里了


更正一下,45nm可以这么算,因为是下一代工艺
se的工艺时间没有这么长
但是
一般来说,一年的时间差总是有的
而且这个时间差要用高端vs高端
gf2 gts vs gf3
nv30 vs g70(这个跨度够长了吧,毕竟nv3x太特殊了,稳妥点用nv40 vs g70也行,或者nv30 vs nv43)
r520 vs r600
中间的时间差都不短啊
:shifty:

[ 本帖最后由 Pro-A 于 2007-6-22 11:14 编辑 ]
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ikinari 该用户已被删除
54#
发表于 2007-6-22 10:57 | 只看该作者
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55#
发表于 2007-6-22 11:17 | 只看该作者
原帖由 stefxia 于 2007-6-21 23:01 发表
80nm过渡技术。。。还不如直接上65nm,应该都成熟了

去看看月mm那几篇文章
就知道除了intel其他65nm所付出的代价
而不是在这里自己YY
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56#
发表于 2007-6-22 11:26 | 只看该作者
原帖由 naze 于 2007-6-22 11:17 发表

去看看月mm那几篇文章
就知道除了intel其他65nm所付出的代价
而不是在这里自己YY

月mm的文章还算及时啊
以前都只能看e文资料的...
2005年的时候rwt已经有文章提到相关的问题了
只是国内没人去翻译
当然rwt肯定没月mm专业啦
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marionn 该用户已被删除
57#
发表于 2007-6-22 11:28 | 只看该作者
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58#
发表于 2007-6-22 11:35 | 只看该作者
规模决定一切,单位面积的隧穿量我之前给出公式了,剩下的就是隧穿面积了,规模定了PN节的数量也就都定了,总栅氧层面积也就定了,隧穿面积越小,总漏电量也就越小

所以我们可以见到一部分INTEL以及P6之外的小规模以及低端的65nm产品,这就是原因,因为这种小规模或者低端产品的总漏电量在可以接受的范围内,并非65nm已经ready了

本来觉得不用说的,但是后来发现很多人好象在这方面还有些疑问,所以补充一下

[ 本帖最后由 mooncocoon 于 2007-6-22 11:36 编辑 ]
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59#
发表于 2007-6-22 12:07 | 只看该作者
难道是流产了??
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60#
发表于 2007-6-22 12:41 | 只看该作者
原帖由 aerfa2003 于 2007-6-22 12:07 发表
难道是流产了??

没有流片的东西算不上流产吧:blink:
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