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标题:
ZT:Nehalem加入Power Gate电源管理模式
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作者:
dennis
时间:
2008-8-20 14:03
标题:
ZT:Nehalem加入Power Gate电源管理模式
原文:
http://www.evolife.cn/?p=7557
就像刚才一篇文章中所说,Nehalem除了注重每瓦性能的提升,还关注于运行时的实际功耗表现。由此,英特尔在Nehalem加入了Power Gate(电源门)技术进一步加强产品的功耗表现。
Power Gate Power Gate
从简单意义上来说,电源门的引入目的就是为降低功耗而关闭部分逻辑运算单元。当然,说起来相当容易,但在实际设计中却是一个非常艰巨的挑战。 Nehalem成功应用了此项技术,能够让空闲的处理器内核功耗基本趋近于零。而且,在成本方面可以大致忽略不计。其实,类似的技术早已在英特尔产品上有所体现。在休眠晶体管(Sleep transistors)作用下可以关闭未工作的二级缓存晶体管。而电源门则和休眠晶体管有着异曲同工之处,只是这一次涉及范围更大了。
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本帖最后由 dennis 于 2008-8-20 14:05 编辑
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