Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

1 s3 r) G9 m) w/ R: h! _一、R2E的PWM芯片 . B+ ]( Z" r* b3 G* R) ?' v6 A 2 r1 Y4 U4 m9 }$ t1 m$ W% Z5 L 之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 + i. Y: W' O; {4 h9 M: p! c! E 6 r& k, E: s+ _$ L' R# z后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 / g4 W5 `6 e- z2 i, I 二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 & B- w" u7 B0 c09年采用的是瑞萨电子的MOS 3 L- f( Y3 L3 E- L4 i9 y# w上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V 7 M2 |/ @$ y9 b7 v 0 o; C1 E* P% g7 k# B 下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V * @* k. ]% ~6 f% ~7 |* E + v& c9 E% j- R* W+ D0 S此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 5 a7 m: b7 m0 N# Y: V包括前期的P5系列都是此MOS ' P& m% I2 e8 U( a - k" f: Q/ C( u; J3 |* F 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 9 G. d9 n8 W+ ^) v9 X上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 8 w& Z! m  _' n9 ^4 u% l% }! I内阻6.3毫欧@10V 1 L' x6 d. e+ W+ Y4 s/ I3 _: k0 } % ?: V) L" p. D5 |, F此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 三、电感 ( {( ]; a7 M# x* [* s; T R2E每相电感为30A   " ]" f  f7 a5 T( J( i1 v16个电感可一共480W输出 R3E提高了10A，为40A ' S/ S# t9 X, o( H- [9 p8个电感可一共320W输出 ; e- W0 B( p! M; ^% p' E+ S8 l/ e " W. v" z9 L* t9 |, s四、效率   c2 |) r4 u) \( j, q( ]; ?9 i参见效率图 " X" k  P; c: E6 z图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电

) Q$ Y7 |5 d* c* I5 \. [3 E

scujie

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aivv 发表于 2013-11-12 21:33
隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

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http://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。