Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

# |6 t1 a$ z* L; g" d. y- _- e 4 u! M0 y/ S/ w+ \3 X一、R2E的PWM芯片 " D& C& R2 E9 \: b' z* S - D! S* m( r- ~: e5 o9 v8 B * ~- p/ L" |7 s0 Z9 I% } 8 K  Z* q/ w' d9 Q8 r8 y之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 : G: _0 r/ }+ y9 ?' D( T. U8 r! E - f6 q# r" h* D9 R5 I6 W后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 2 |+ _5 J( R5 g6 l- v, V 3 _7 T; \0 ^' H) l) | # d; Z4 M- V: C# h% ?# n二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 ) K+ T% g2 P, {6 ~' X% `' p09年采用的是瑞萨电子的MOS 上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V / ?3 {9 L$ J; B8 t8 Y% [0 A5 I0 F 下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V # @2 @! Z9 V% t 此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 包括前期的P5系列都是此MOS % m- f' |2 \! b4 ?/ S: e  Y0 I 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 ! d; q  f. @- N6 y 2 {& k, R0 d" Z% a) }* c上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 内阻6.3毫欧@10V 2 d9 ~& Q/ Q7 X; r; A* S  R4 W; \ ; o' j( t( c+ T7 m. ~ . U6 _" x/ D7 }0 ^此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 9 b6 m- a  S# U% {* ^. A 三、电感 ( ]5 k0 E( |. S6 T6 T% e: V R2E每相电感为30A   : w: v3 R/ r0 i16个电感可一共480W输出 R3E提高了10A，为40A 8个电感可一共320W输出 * B. B0 a" f* e, W" L) a 四、效率 , [, b7 t3 \# o; Q* `0 s) q参见效率图 图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电

, E0 w# r; A) }5 E: R6 Y

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

4 E$ B! T+ e" R

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

' k0 A0 Z5 F- t1 w6 Ohttp://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html