|
|
本帖最后由 shinow 于 2009-5-1 22:34 编辑
, g5 C) i V: [
4 e! o5 u. x, x# ~+ c1 g1 h之前就看到有坛里DD说过X58北桥是130nm,所以才这么热,今天无意之间又发现了这个……
$ G3 `0 h* w/ R( p8 C8 j, r% N& \; B5 t z$ p6 Y4 e$ @
X58北桥& j4 o; Y* I$ e
3 ~! z$ ~& {. n # `: a6 w2 a, T( h3 o9 b
" `5 E. B* f: L0 g' J) F. x- { m
而这个,是X48北桥) w; [0 `. `3 C4 T! |9 K
1 L' g7 [ D0 e# E![]()
! C3 ` U+ x$ f5 H G2 D, Q0 Y& Z) l" T; a8 ~! e. o& l* v7 ]
各位大大肯定已经看出门道了——封装方式不同!!!
! n4 `( N7 \. `
# I+ _$ \' Q7 e8 U! m. _9 L据说X38(与X48封装方式相同)开始,北桥发热量骤增,所以INTEL采用了新的封装方式,以提升北桥散热能力。个人觉得X38/X48的封装方式是不是与CPU近似阿,这个请高人指点……6 P- F6 S$ ^- W( Q) T9 e I4 `
0 u7 l3 x. F+ \0 [- e# r
不知道倒霉的INTEL怎么想的,罐养王八了…… |
|