再次拼人品了！

自自在在

自上次拼人品买回两条现代s5（红龙）上ddr1000失败（连800跑4 4 4 12都没戏）后！心有不甘
今天再拼，订了两条金邦800 cl4/5 1.9v的那种！不知运气如何:(

气氛啊:wacko:

三十七度二

S5的红龙上1000应该问题不大啊，我的要2V可以稳定1000 5556
也可以稳定在800 4445，加点电试试

自自在在

原帖由 三十七度二 于 2007-11-7 16:34 发表
S5的红龙上1000应该问题不大啊，我的要2V可以稳定1000 5556
也可以稳定在800 4445，加点电试试

已经疯狂实验了！加到2.3v也只能看到开机画面而已！

主板965p ds3 e6300！

不加丫800连4 4 4 12也不行，郁闷死了！

已经证实主板和cpu能不加压稳跑500（用海盗675  512×2）:unsure:

ljlxl

这年头折腾的yin挺多:p

oczero

金邦的这个不行的，我买了。。。。。。。。。。。都反映不如以前的能超龄

自自在在

原帖由 oczero 于 2007-11-7 16:54 发表
金邦的这个不行的，我买了。。。。。。。。。。。都反映不如以前的能超龄

1000加压有机会吗:wacko:

photoshoop

次次都拼不过RP的飘过。。。。

小小强

支持lz拼rp，这年头啥都要靠rp的:lol:

chenhua007very

呼呼,LZ不是我打击你，金邦的Cl=4 800白金我摸过不下10只，而且还是当时500一支的条子。灭有一支能2.1V稳上950 5-5-5-15的。
  个人觉得应该使用了尔必达的颗粒，发热量很大，对电压不敏感，超频差，现在的金邦白金已经沦为了垃圾的代名词。后来一怒之下我全部换成了黑金刚的D9GMH金刚版，条条2.2v 1000 4-4-4-5, 2.15V 1100 5-5-5-15稳定:lol:

自自在在

原帖由 chenhua007very 于 2007-11-7 20:23 发表
呼呼,LZ不是我打击你，金邦的Cl=4 800白金我摸过不下10只，而且还是当时500一支的条子。灭有一支能2.1V稳上950 5-5-5-15的。
  个人觉得应该使用了尔必达的颗粒，发热量很大，对电压不敏感，超频差，现在的金邦白金 ...

s5到我手都不能超！当存货罢了:(

[ 本帖最后由 自自在在 于 2007-11-8 08:47 编辑 ]

oczero

MANUFACTURING DESCRIPTION
Manufacturer's JEDEC ID Code:	Golden Empire (GEIL)
Module Manufacturing Location:	54h
Module Part Number:	CL5-5-5DDR2-800
Module Revision Code:	4100h
Module Manufacturing Date:	Week 43, 2007
Module Serial Number:	000008CCh
LEGITIMATE ARCHITECTURES
Fundamental Memory Type:	DDR-II SDRAM
DIMM configuration type:	Non-ECC/Parity
DIMM type information:	UDIMM (133.35 mm)
Number of Row Addresses:	14
Number of Column Addresses:	10
Number of DIMM Banks:	97
Module Bank Density:	512 MB
Number of Banks on SDRAM Device:	4
Module Data Width:	64 bits
Primary SDRAM Width:	x8
Error Checking SDRAM Width:	N/A
Voltage Interface Level:	SSTL 1.8V
Refresh Rate/Type:	7.8 us Self Refresh
DDR SDRAM DIMM Height:
TIMING SPECIFICATIONS
Burst Lengths Supported:	4, 8
CAS# Latencies Supported (tCL):	3.5T, 3T, 2.5T
Cycle time at Max CAS Latency:	2.5 ns
SDRAM Access from Clock (tAC):	0.40 ns
Minimum Clock Cycle at tCL = X - 0.5:	3.13 ns
Max Data Access Time at tCL = X - 0.5 (tAC):	0.50 ns
Minimum Clock Cycle at tCL = X - 1:	5.0 ns
Max Data Access Time at CL = X - 1 (tAC):	0.60 ns
Minimum Active to Precharge Time (tRAS):	37.0 ns
Minimum RAS to CAS delay (tRCD):	15.0 ns
Minimum Row Precharge Time (tRP):	15.0 ns
Min Active to Active/Auto Refresh Time (tRC):	57.0 ns
Min Auto Ref to Active/Auto Refresh (tRFC):	105.0 ns
Min Row Active to Row Active delay (tRRD):	7.50 ns
Write Recovery Time (tWR):	15.0 ns
Internal write to read command delay (tWTR):	7.50 ns
Internal read to precharge command delay (tRTP):	7.50 ns
Addr and CMD Input Setup Time Before Clock:	0.15 ns
Addr and CMD Input Hold Time After Clock:	0.22 ns
Data Input Setup Time Before Clock:	0.05 ns
Data Input Hold Time After Clock:	0.17 ns
Device Max device cycle time (tCKmax):	32.0 ns
Max skew between DQS and DQ signals:	0.20 ns
Max Read Data Hold Skew Factor:	0.24 ns
Back-to-Back Random Col Access (tCCD):	0T
SPD PROTOCOL
Number of bytes written into SPD:	128
Total number of bytes of SPD:	256
SPD Revision:	0.0
Checksum for Bytes 0-62:	34h
SUMMARY SPECIFICATION
Module Type: DDR-II SDRAM
Module Size: 49664 MB
Frequency tCL tRCD tRP tRAS tRC tRFC tRRD tWR tWTR tRTP 400 MHz 3.5 6 6 15 23 42 3 7 3 3 233 MHz 3.0 4 4 9 14 25 2 4 2 2 200 MHz 2.5 3 3 8 12 21 2 4 2 2

langzi530

怪不了内存，965p ds3内存毒药的称号不是浪得虚名的

hdy_aoe

我买东西，没一次运气好过的

chenhua007very

原帖由 langzi530 于 2007-11-8 13:28 发表
怪不了内存，965p ds3内存毒药的称号不是浪得虚名的

   不仅是DS3,DQ6,DS4都一样，技嘉的965系列最高端DQ6内存OC都比不上华硕的P5B大便板。
   但是技嘉的P35系列则是超内存神器，区区一个P35-DS3P敢和任何一张一线高端板叫板。也不知从那里修得的正果。:p

james0258

我的红龙800在ds4－965上，2.1xv稳定1066。hy s5的。1gx2双同道。

shike_cuke

现在便宜条子体质这么差??????

自自在在

原帖由 james0258 于 2007-11-8 14:46 发表
我的红龙800在ds4－965上，2.1xv稳定1066。hy s5的。1gx2双同道。

太不公平啦:wacko:

browneye

以前红龙S5 555 过OR 1000

HeavenPR

6400HZ 飘过....

LZ 试试看 2.1v 能不能上 1000