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所谓“旗舰”按“THD失真”和“开环增益”两个指标进行排列。开环增益可以说比THD更重要,原因参见Behzad Razavi的《模拟CMOS电路设计》运放那一章对失真的计算公式。
* E: U1 @( z6 n2 M) K
' d, O6 }; u8 f/ _: i$ V2 `Ti:OPA2228 THD:0.00005% 开环:160db CMRR:138db PSRR:120db
2 j5 b" ]' o9 |( KAD:AD797 THD:0.0001% 开环:146db CMRR:130db PSRR:130db
, Z' [% l$ o% t" S* g1 ]NS:LM4562 THD:0.00003% 开环:140db CMRR:120db PSRR:120db# \8 j" \ G$ g! l
LT:LTC1150 THD:未标明 开环:180db CMRR:130db PSRR:145db
5 `# N1 z: @5 H, B" Z- O, [/ d s! h0 m# y- k' a" |
其中AD797和LTC1150为单运放。LTC1150最大电压为正负16V,但性能图表中有正负18V下的数据。( M, L" w4 |) u) N3 m! }2 ?
& q) |" k" m7 p) j" y% i- a2 J: C
对这个开环180db的变态LTC1150非常有兴趣,手头已经有两个很久了,但DS上大字标明的开环135db居然是Minimum值,害我一直看走眼没提起兴趣。。。我说LT,太低调也不好啊。。。 |
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