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所谓“旗舰”按“THD失真”和“开环增益”两个指标进行排列。开环增益可以说比THD更重要,原因参见Behzad Razavi的《模拟CMOS电路设计》运放那一章对失真的计算公式。
. ~9 }% B, U" h/ }' x, |9 @4 A( i6 D5 @
Ti:OPA2228 THD:0.00005% 开环:160db CMRR:138db PSRR:120db
0 O c8 n( p* sAD:AD797 THD:0.0001% 开环:146db CMRR:130db PSRR:130db
. x& k7 i5 f( U6 F, @NS:LM4562 THD:0.00003% 开环:140db CMRR:120db PSRR:120db0 e, `- B% C/ i' W' W6 K
LT:LTC1150 THD:未标明 开环:180db CMRR:130db PSRR:145db2 H" R: Z/ B( Z
% I* @1 X' P3 ]- M8 y% _1 i$ i0 _其中AD797和LTC1150为单运放。LTC1150最大电压为正负16V,但性能图表中有正负18V下的数据。
8 s1 F; v ~; o# w; s! e) X8 d$ {0 |/ w
对这个开环180db的变态LTC1150非常有兴趣,手头已经有两个很久了,但DS上大字标明的开环135db居然是Minimum值,害我一直看走眼没提起兴趣。。。我说LT,太低调也不好啊。。。 |
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