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所谓“旗舰”按“THD失真”和“开环增益”两个指标进行排列。开环增益可以说比THD更重要,原因参见Behzad Razavi的《模拟CMOS电路设计》运放那一章对失真的计算公式。
3 e# T+ E4 z s& d, g9 c
% y0 H' s9 _! \3 Z% D9 @; B8 qTi:OPA2228 THD:0.00005% 开环:160db CMRR:138db PSRR:120db4 x/ }3 M( O* V/ R z/ x7 Q
AD:AD797 THD:0.0001% 开环:146db CMRR:130db PSRR:130db
3 [9 j& \+ o6 l* C# F4 k) L, ANS:LM4562 THD:0.00003% 开环:140db CMRR:120db PSRR:120db
# v( }7 M q: W9 B5 FLT:LTC1150 THD:未标明 开环:180db CMRR:130db PSRR:145db& M* t% M, F4 z$ k3 ^
# S5 G H+ R' `% L
其中AD797和LTC1150为单运放。LTC1150最大电压为正负16V,但性能图表中有正负18V下的数据。
. x) C* ]6 q$ G; k
/ U5 u( V3 P0 Z) X6 T- r对这个开环180db的变态LTC1150非常有兴趣,手头已经有两个很久了,但DS上大字标明的开环135db居然是Minimum值,害我一直看走眼没提起兴趣。。。我说LT,太低调也不好啊。。。 |
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