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所谓“旗舰”按“THD失真”和“开环增益”两个指标进行排列。开环增益可以说比THD更重要,原因参见Behzad Razavi的《模拟CMOS电路设计》运放那一章对失真的计算公式。
! F( e X4 [, W1 i+ J2 s9 ?4 V# b
) ]6 k, F6 Y2 }/ A2 v5 p1 {Ti:OPA2228 THD:0.00005% 开环:160db CMRR:138db PSRR:120db
$ {+ F' g$ D( r1 NAD:AD797 THD:0.0001% 开环:146db CMRR:130db PSRR:130db8 \. E( X8 x! f1 R/ \7 Y5 Z* b' ^
NS:LM4562 THD:0.00003% 开环:140db CMRR:120db PSRR:120db
( r _% y6 Z# C5 |% q; ?* x" _LT:LTC1150 THD:未标明 开环:180db CMRR:130db PSRR:145db
+ r6 Z# C# v T2 f8 _. z! q
5 y5 T6 Q; i# ~其中AD797和LTC1150为单运放。LTC1150最大电压为正负16V,但性能图表中有正负18V下的数据。
" l8 I4 b% K) ~6 v, l$ u p6 S# e& T+ k$ P
对这个开环180db的变态LTC1150非常有兴趣,手头已经有两个很久了,但DS上大字标明的开环135db居然是Minimum值,害我一直看走眼没提起兴趣。。。我说LT,太低调也不好啊。。。 |
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