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所谓“旗舰”按“THD失真”和“开环增益”两个指标进行排列。开环增益可以说比THD更重要,原因参见Behzad Razavi的《模拟CMOS电路设计》运放那一章对失真的计算公式。( ~) S* X/ H# D& D, H5 W8 U0 i
% z) R( O; Q' J! O6 eTi:OPA2228 THD:0.00005% 开环:160db CMRR:138db PSRR:120db& x% `' H& ~0 U) m
AD:AD797 THD:0.0001% 开环:146db CMRR:130db PSRR:130db$ Q: \2 c8 U. i/ v& O* u5 T
NS:LM4562 THD:0.00003% 开环:140db CMRR:120db PSRR:120db( x5 X2 b* \8 {; {4 P& G; |& ?/ \9 s
LT:LTC1150 THD:未标明 开环:180db CMRR:130db PSRR:145db/ ~6 t$ e0 U0 s3 E! j( \: V
! Z6 Y' t5 x+ P$ o, X g, O) x1 x其中AD797和LTC1150为单运放。LTC1150最大电压为正负16V,但性能图表中有正负18V下的数据。% N% W$ x2 P: r8 e3 S' p: s
* {! m+ F8 W7 Q9 E8 b( {, Z$ _1 v
对这个开环180db的变态LTC1150非常有兴趣,手头已经有两个很久了,但DS上大字标明的开环135db居然是Minimum值,害我一直看走眼没提起兴趣。。。我说LT,太低调也不好啊。。。 |
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