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所谓“旗舰”按“THD失真”和“开环增益”两个指标进行排列。开环增益可以说比THD更重要,原因参见Behzad Razavi的《模拟CMOS电路设计》运放那一章对失真的计算公式。
7 G, t6 ?; ~5 u1 K: Y) Y
4 V" G0 \! S4 z% U, U5 B& l, Y4 u* DTi:OPA2228 THD:0.00005% 开环:160db CMRR:138db PSRR:120db
* h: B: [8 ]* tAD:AD797 THD:0.0001% 开环:146db CMRR:130db PSRR:130db
3 {6 {, D& @ L$ {* R' pNS:LM4562 THD:0.00003% 开环:140db CMRR:120db PSRR:120db- D4 J0 C* W( E `1 @4 }
LT:LTC1150 THD:未标明 开环:180db CMRR:130db PSRR:145db0 e, J K/ I4 \ |- w" y
, T% ]. W) K9 u; ]
其中AD797和LTC1150为单运放。LTC1150最大电压为正负16V,但性能图表中有正负18V下的数据。3 C2 Y. b- F2 i& A: `
2 O/ V6 H- f/ Z$ A8 J对这个开环180db的变态LTC1150非常有兴趣,手头已经有两个很久了,但DS上大字标明的开环135db居然是Minimum值,害我一直看走眼没提起兴趣。。。我说LT,太低调也不好啊。。。 |
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