Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

; w% @. A* R# K. E0 X+ B 一、R2E的PWM芯片 - N3 w! g2 \, y" r 0 W) J% M+ K$ A( Q* F- x $ S' A! ]) n: ~之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 " x0 l& e4 Y) g 后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 8 _  G" B' j8 p+ G+ a# {直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 3 G1 a! z% N6 K7 P+ r" k! e9 ~09年采用的是瑞萨电子的MOS - e) r) l! p/ \4 D2 \上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V / r: V( S+ z  _, U- j$ N7 X( ^ ) K8 o/ X9 k1 t9 i0 P* j3 y' F 下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V ) {( f  q" O; X * R4 X' P$ [- t8 D此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 包括前期的P5系列都是此MOS 4 ^6 |9 F0 t3 _: p/ l; t. [4 x0 q7 z 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 2 W- g9 @6 I( ^2 d / I" J3 ~( n0 B8 z% v- \上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 内阻6.3毫欧@10V * w$ F& w6 D4 V$ v; [6 n. `+ A此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 三、电感 R2E每相电感为30A   16个电感可一共480W输出 R3E提高了10A，为40A 8个电感可一共320W输出 四、效率 参见效率图 8 Z5 n3 Z; H8 v+ f* B4 o1 n" w图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电 # |, S" x" h4 p2 I4 b+ b

0 i* x1 e8 U+ d  t/ k7 \

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
1 c5 m/ f: a2 c5 K! x* W4 u7 m隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

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8 w; f. C; w; o1 V- [7 R; jhttp://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html