Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

9 q0 f) A0 E, _! w% k# m3 J. \ 6 m- @0 e+ N. e( V8 f一、R2E的PWM芯片 ) q5 S& n5 ?/ {/ f: ~ - W# Y! C, |* V3 s + g" \4 u! t5 E  c8 f5 g' I 1 i3 p8 T/ l2 s+ [ 之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 ( Z) `, u$ L. m! X' X! d# U 6 D' _$ @; n& c& |5 w : ?/ g+ N( u% x- R- r: M4 M后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 ! u! Z  v# C% X: x3 S) E) W0 j/ ?二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 09年采用的是瑞萨电子的MOS 上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V : Z( G- q$ {" `& ^) Q# Q: x3 q & a7 o& w7 G1 K0 ^  a4 q, [3 r7 P下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V & I0 W  N7 O; l, A此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 包括前期的P5系列都是此MOS ; w+ z9 N( B8 A- R) H# M7 h! V2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 * p$ O* ?, k5 s9 b4 d  x9 }   G4 ^' e: w+ N+ ?1 \' Z" M上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A ; J$ l" m# C' b内阻6.3毫欧@10V - S7 l+ E8 t, B( l/ ^3 [; c" o 3 C* A+ V7 z7 h) H0 {1 `' ]% ^ $ d8 s) q% ?! Y  @6 W! |% q 此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 3 Y* [# p" d" K1 M% Y4 w4 E7 x三、电感 ( j$ g* n# S8 h8 \ % Z& b1 m5 y0 l1 eR2E每相电感为30A   , T! J& @/ B- _& X  c16个电感可一共480W输出 2 e+ w) t. E: h; y3 }: _' G' O# hR3E提高了10A，为40A ) {0 e# v+ W6 O. T3 I: i3 {$ G" p' y8个电感可一共320W输出 1 e, F& A& i8 u: \& E( |四、效率 参见效率图 图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电

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aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

9 C. k& G4 u4 D$ M' M4 S

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

3 c, k+ ~4 J1 jhttp://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html