Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

# q8 R5 B( ?& D一、R2E的PWM芯片 / a3 o) \& x2 N( t) c 4 T( u7 P2 L2 K" C6 w) W , d' r0 z$ H: v  B7 _5 _ 之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 # |2 Y! W9 {+ u+ z * |! e' ~( c+ N, B. _' B # N/ m. }) {; [, R8 @后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 9 O0 g4 c' U7 g3 R直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 ) a( D7 u' B- w ; l* z: h' K: D4 q1 n8 d; l二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 09年采用的是瑞萨电子的MOS 上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V - v/ r* ^: v( H, P9 I- g+ J % z4 G5 z+ j! q; P/ L* ]- V下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V , z! Q; F! b% n 7 i- H+ x# i" U" W. w% @/ k # c, }8 U+ m) ?" D此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 1 ~' L' g! n6 G6 d# G# T3 m/ w包括前期的P5系列都是此MOS * y8 ?+ t8 \7 n# X0 u% o, p# J 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 4 e, g* ~$ i+ } $ F  N. T6 M, P/ x$ p9 f上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 内阻6.3毫欧@10V ; u/ Z) q1 j, L0 n ) K; a2 l) }6 Z& ]% b" x) B , s3 C( A+ ?4 [此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 9 O  n2 v2 a. ?) c9 T2 [, Z+ j 5 w: n. N; H0 ?; R4 n( Y; ^  z三、电感 R2E每相电感为30A   16个电感可一共480W输出 - y! |% D4 |6 z; h6 I+ k . ?1 I' N& \2 \7 W7 U. g" ?R3E提高了10A，为40A 8个电感可一共320W输出 / o( A. A6 l* D& ^ ; a/ @' }, i" N# a3 w2 X/ z 四、效率 ( ~* S5 B( w: ?& B, T* B: T参见效率图 图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电 2 X% m- l8 Q/ s+ ]3 h3 P' R

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aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

1 ]. E$ z3 e. R4 }

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

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