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/ m- z$ c( R7 {" q8 k& f* K. H% _
" w2 a# }5 ]/ o& u0 i![]()
8 w. p) V: m( k, U一、R2E的PWM芯片" u2 k9 D( u, U5 ~6 ?' j- Y
![]() 1 _. J1 \+ c" C2 _% D% Z$ ]* M
+ N1 J3 t8 _& ?, S5 |" s( [5 I2 {6 T4 Z
![]() ( s4 H4 g" C. ^+ N" i$ Q6 D2 S. s
之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700 这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板
/ o- K+ Q8 j# p6 E: e; \% j. m![]()
* P! E6 h6 X& r2 q( {4 P+ i+ p" S& A$ g; G) I# w8 W( e2 e
后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM
# `* \" {/ x9 G8 G从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相) `# n% w. r b/ L4 b: o" p
直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片: @! q& R, u1 p" o% S( G: E
![]()
( `; n& {8 b+ N$ G+ s M. `6 y) S. @: m! S4 n' g: ]
二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同8 P( q+ ]* t5 \3 m8 A
09年采用的是瑞萨电子的MOS
) U/ q4 s( n! \# a上管为K0355 30A 8.2毫欧内阻@10V$ s4 c: T! j6 ~5 ^$ A2 t
$ q, I, R7 {1 Y& ^! f- q7 L
![]() ) A( A; Z! E% K* R" |/ x
& a' E @! c" ]( Q, _ S- q
下管为K0353 33A 4毫欧内阻 @10V0 i y) \0 |. s; w- \2 Z& ]
![]() % I- h: E5 O) `" D
1 q' K% \9 }* b: ^
此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电
9 b& I! u# I) S包括前期的P5系列都是此MOS. N* H$ `5 C8 a U7 k; t
/ i9 O# A s6 t7 }1 O$ y
![]() ! {4 Y" ? r. ~% ?
5 N) s) G4 O& u$ B2 `# u' v) T
2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品
. I9 t. I1 Q* l, u- L4 _2 f% v' I7 U: O+ r' i3 x
上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L 66A
/ U y$ C d& w5 Z4 P内阻6.3毫欧@10V
" ?+ x/ z3 ?7 P5 D$ h; B![]() ) }, O, i- ?+ e! U+ U* Y
! f8 o3 ^9 x; ?* J8 @![]() 1 B9 I0 R9 A& n0 L& w f5 l: f
此MOS在R3E上同期出现 包括后来的R3BE 也是此MOS- a2 e! I/ M& C
![]() ' _" \8 k7 Y! R
三、电感
3 V# s C. C: K9 ^* \: R0 v8 R, Q![]()
% D4 A$ ^+ x4 k7 H5 J) ?R2E每相电感为30A . W. W' I" v: R
16个电感可一共480W输出
u; y$ g* W ^; l/ V![]() ' D; P6 |1 s# X+ `
R3E提高了10A，为40A : e4 O* ^' b8 n. Q4 n* P+ q! O' Y) G
8个电感可一共320W输出& r P+ _2 B6 K3 @& {" }; U6 E/ v
![]()
5 ~3 R* p* b2 Z% M' j! Y- j4 W. o8 J) {) `2 d1 C" X. L. J
四、效率3 h1 S6 {" ?! y! v0 u8 N: K
参见效率图
& D) X$ Q9 t) \$ ?图中蓝线为R3E 红线为R2E 绿线为EVGA纯数字供电0 M6 r6 Y7 C. Q% z) A
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6 E, D% a" m3 K% E7 e/ h |
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发表于 2013-11-12 20:00
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6 Q& M8 U$ q1 b) y2 x