Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

+ Y5 b: \6 z0 P ! W+ w# t0 ~& W2 k/ e; u一、R2E的PWM芯片 ) r6 R' X& K+ E5 Q 7 _/ F3 b( H) X) r4 \ 1 X% F! K: t$ ?3 Z. J; X: L: C之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 ( z1 F$ J1 }2 E 8 j. O2 t- r3 t# S3 I& T$ G2 ~, d2 \后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 ' z$ W" ^  Z6 d- y' u5 ^$ \ 0 I5 n6 k' {. l二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 6 R4 U, s) L5 D" W& b09年采用的是瑞萨电子的MOS 上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V 9 ?& R" W$ s' o3 ] 下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V ) A( V; F; z& y" J" E2 Z! b6 c此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 0 R" ~) T5 A+ o+ l) H/ W; R包括前期的P5系列都是此MOS " \0 \: Y; t  l6 f4 n# ~ ) {3 @- [3 u! g" v6 G2 J . L. Y& X, c% f) g5 J/ w# M2 l 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 9 n5 d5 H2 y( m" j+ {0 w, B 上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A & G/ f  G7 h% ~2 w0 n& o' N. k9 C内阻6.3毫欧@10V , e* }0 U: ?  Y  P: v, _' B ! u6 J: C% b, z# W$ G1 L% c5 H / P9 p4 l4 a. X 此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS / w8 [7 ?6 O( b) N 三、电感 $ n, \- S9 Q% W$ ] $ U9 Y# k/ H4 S& p& t2 [! j, ?3 kR2E每相电感为30A   # E1 b, L$ A# s3 p' U16个电感可一共480W输出 R3E提高了10A，为40A ; U! B. ]2 P- M9 d1 `+ V8个电感可一共320W输出 6 T4 y! g" K5 T, `5 c/ z ' j8 ?  }- U+ A( ~: C! q四、效率 参见效率图 6 J  Y8 {0 X, F, l图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电 3 X/ \  X4 Y5 v) k& e8 }* ^1 o, j

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

8 t, h3 ?0 w/ R  K4 w

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
- T1 u7 \: {2 s隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

+ K) S" |" y+ X6 H
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