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3 x& G% R1 |9 h' p* ?" J9 Z2 }! T
7 A3 M3 K& l, ~8 p4 f3 V: b* |( p
% G3 {6 y- T$ T5 z6 [6 [0 J' H- {7 j
一、R2E的PWM芯片
9 |2 n' Q) U4 L& l: ]" X* ~
3 B# n1 G- }! ]9 z+ P* s. f
! J; t" M: h0 o! `2 r z. N. G) b# K& y
) C- d; }+ t @$ q% u
之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的,其实打磨后的叫EPU ASP0700 这个确实是4相,然后通过右边的IC单刀双掷成8相,这个截图来自于P5K/EPU主板9 n7 }1 `9 G1 O$ m5 z$ }8 B
& O' l7 F* C! J
" c0 u8 p, }$ d, K
后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM" T# X) l9 h3 O4 `4 f q; W8 _ e* t
从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相
9 ]% |1 i9 H* E' y直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片
1 r2 t; n* H5 B1 v
+ D. j9 v! o' k$ Y; U; \; j3 b0 Z$ [. X, m" ?1 Q
二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同
O7 Q# K9 ]' J5 G5 N09年采用的是瑞萨电子的MOS
) A5 Z$ I" t, t: H7 E上管为K0355 30A 8.2毫欧内阻@10V' d6 C* Q, l6 }6 k1 l7 x& h0 s5 L
' \; @& i, v7 T- }- _; K
% z; L- Y7 l: m( j. h
: j) _6 v d: w9 S5 L下管为K0353 33A 4毫欧内阻 @10V, N! O) s6 T: D) |4 p
9 n2 n* O3 @2 k2 X, h4 ]
$ u- k, E, I! C& I. j
此组MOS遍布全板,包括北桥、南桥、PCIE供电
( X# Z% ?* K2 h4 a7 Q2 I, n% Q包括前期的P5系列都是此MOS
3 P' T* C: E4 o5 I y2 ~4 w7 U$ Z/ j& t- N& c
" \ V. ^* m g' b( p5 O$ s
s# r, r* ?( p# Q! I2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品- A, ^' h' b2 U* A4 E
" c) l7 ^) A c+ ]! j3 t$ r
上下管均为改为NXP(恩智浦)的9025L 66A
) K m' x, J1 R, R/ }内阻6.3毫欧@10V. Y, P0 G) S2 F1 d
' c" M8 D+ B) J* p+ f2 W& f% }3 Q* S
! u- {7 l) `4 S$ x& e- m& e
0 ]5 O4 A3 j K( j U# u此MOS在R3E上同期出现 包括后来的R3BE 也是此MOS1 A1 l, Q c/ a* Y$ T
! Q- j4 Y( ]# R- M1 L0 k1 k8 X) R
三、电感4 I6 k* E# `6 S7 k U
. [5 |$ {/ o; ]3 U2 Y- I; eR2E每相电感为30A % F: |3 ?) x0 w! ~, n& ?
16个电感可一共480W输出- E. O1 K0 f2 P: w- t- v
6 w/ V! k5 \# }4 J; v% _
R3E提高了10A,为40A 2 K8 ~; x( O% j6 w& ]2 U; n6 W
8个电感可一共320W输出3 A: c- V, k! ?6 x! ?; ^/ g( N* ?
4 T& s/ ?6 ]+ U0 C( N/ P( s( Z7 b% M; p# K1 O' Z. _/ f
四、效率
1 ~# V. I6 ?2 G8 ]5 O3 O0 F参见效率图5 D, I" q% b0 B3 Z. G8 K
图中蓝线为R3E 红线为R2E 绿线为EVGA纯数字供电7 ]; n9 y$ J$ D M
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