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$ C7 a4 g1 ]2 \0 M& j1 {- F
8 o1 R) j: v* L) r![]() + E' |5 R2 p* h! d) t8 l" K
一、R2E的PWM芯片$ H' G. x- y9 ~1 n: Y8 q0 q
![]() + f. \8 ?5 a0 g/ B
6 c- V, a5 k& \6 b6 D
. G9 b( o4 j; O1 o5 N8 w/ ]+ {![]()
/ ~3 `. @+ \& k) v6 i7 _2 d之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700 这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板" q6 `5 H2 F- |- w) J4 A5 [
![]()
1 Z7 {1 h, x) ?2 n$ u/ j0 U) K
S8 q5 a! n( B& |. m后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM" h5 \+ a+ L9 T& C
从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相
% l# T2 `& L! v2 p直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片1 s+ t" g; y6 U% j- A: D
![]() ; n8 j# ^' @( ?$ V1 h4 {4 G6 ~4 a
& `# p8 u/ Q" M" @6 {0 _$ ]二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同
5 U* E, }( i: I5 {09年采用的是瑞萨电子的MOS
6 P8 o' h4 ?7 Q1 j; j4 H7 A上管为K0355 30A 8.2毫欧内阻@10V
' X- c9 O! F, Z/ M+ Q6 y% B5 V6 v& c0 h0 C) e# A1 g, C" [
![]()
$ |4 ?- j6 H: \& g( a
2 t/ O5 ]' J- C下管为K0353 33A 4毫欧内阻 @10V. a( D8 r( @- Q( `* B5 r
![]()
% Z0 Z7 P$ L, E& V+ K2 H7 l1 n5 }2 N9 S# B; c0 k, K! O
此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电
) y" g0 V# K) `+ M% l. \包括前期的P5系列都是此MOS0 U. ~/ M" r9 o. k$ L" U7 F
3 n, b$ [+ {9 I1 [7 k% n
![]() - g. a& O% r+ D
) V; w0 z6 O) p
2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品
9 x# } Z* m6 S! e) z8 m6 e6 D6 K* N
上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L 66A8 } Z$ t8 Q% O1 \7 J) ?
内阻6.3毫欧@10V
Q3 Z5 j0 c$ ]' O' o6 V4 l/ F![]()
. l. F# P" Y3 s' d5 T8 F$ o, \, v( M. ?* W6 c3 ]5 X; b1 a' E
![]() - z+ E% F' D- H U) d
此MOS在R3E上同期出现 包括后来的R3BE 也是此MOS% d( g7 m7 L5 O# ~
![]() ! \' H' Z# v6 I; A5 `
三、电感
+ k3 N j& ]3 A7 ^8 Q) K![]() & ?( ^: ^( Q$ y. y
R2E每相电感为30A 1 Z0 B% `. [" c8 }: B6 J1 q z
16个电感可一共480W输出% B1 D8 N- Y# U4 [4 B
![]() ) W/ ~& K [, u% R" `+ y
R3E提高了10A，为40A
- q0 B& n. \7 B7 n* @/ o8个电感可一共320W输出4 M; p$ ^, s; Y4 h9 l) Q9 @
![]() 3 ~# w4 w# ~8 k8 _
! ]) n; v( X: ^$ V; T
四、效率5 a6 Q$ i' F1 i) I& x
参见效率图
5 g2 ^" R' r1 c8 o) V+ p, y图中蓝线为R3E 红线为R2E 绿线为EVGA纯数字供电! T2 B9 A& \! s
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: I6 J6 G K3 i( Q* K- {+ B
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发表于 2013-11-12 20:00
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