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. Z/ c2 d2 {& c5 u: Q* }+ U2 p& {2 j7 J9 ^
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( n. M0 x/ Y, ?一、R2E的PWM芯片
& ~7 ^" O8 \4 v* U' e# G![]()
( M$ Q5 h. C9 X, q$ q8 Q- R2 k3 _0 }4 y, x
: k: ?; k# J6 Q
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9 K: r# L) H- Y+ \, Q3 E之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700 这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板
! `: o* D# i+ z7 f" O% V* Y![]() 9 N) M5 n; m' m" I
% K. u! t c+ j _6 }) q0 w
后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM. w& n% z1 H: N# H9 ?& T- y
从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相
~3 l& R2 P! U) T3 R) w& E直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片" h! [+ Y% L; w9 c
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L- S3 M6 G4 V! N( T$ d8 Q. P9 W" z$ Y* y. G/ t9 o. J1 x' g
二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同
, n# l% d3 ~3 R: x* G6 v% h# y$ ]09年采用的是瑞萨电子的MOS; G! x: ^* A, ?1 p* M6 E
上管为K0355 30A 8.2毫欧内阻@10V1 R( M0 }% U" f- F1 Z3 D0 R
L+ b% N8 `: \/ Y: D5 W
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, O8 M& e5 b8 C* R+ W: I. l: I$ _6 g7 E
下管为K0353 33A 4毫欧内阻 @10V* p) S8 e/ }$ ?! `' x
![]() . N: t+ y- U, k% T J
+ b7 x& ?" }+ p9 E) z- \
此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电, Z @3 ~3 l. P: |% Y+ g* P3 n* m3 w+ u
包括前期的P5系列都是此MOS! r' ~% D7 i4 P7 N
) S4 k7 x+ O. j! x" |; a {
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1 R/ } T, s8 `' R$ s0 @7 }% B+ Y$ T
2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品$ m; p. _7 _$ _
, [) h, g7 ?4 V3 u) T' m( n上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L 66A" ~9 F" C& S. u& ]
内阻6.3毫欧@10V8 D* e! y4 I3 W
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$ b: r8 z. V7 r$ I0 v- O( }2 _
1 s' }9 k0 {* Q3 W![]()
! q; V" _6 W% p! x此MOS在R3E上同期出现 包括后来的R3BE 也是此MOS2 w: r8 X# ]8 W0 R3 w6 [3 `
![]()
7 W/ K9 J/ H) N$ C9 N f4 z三、电感" z5 e5 `' m. j3 ^* g B8 O
![]() 8 R; i# F) Z T9 h& K H+ G7 Z
R2E每相电感为30A
3 N6 _! B5 L) s$ o16个电感可一共480W输出' z9 O% h/ h: o' x
![]() 6 L: B( z: A3 w3 E' b0 S
R3E提高了10A，为40A ' T2 ?* \& r) y) c) I: R4 `2 p
8个电感可一共320W输出* O, z6 L3 m( F3 c! B! P
![]()
! X5 l+ E& Q- Z' _7 q( o8 b- F9 X0 G: }
四、效率
6 a. A9 G7 v, {参见效率图
8 U- x& [+ w/ B! P2 ?: }9 @图中蓝线为R3E 红线为R2E 绿线为EVGA纯数字供电
" @& F' F! @- a- ?![]() |
) v+ R1 }0 ]( ^
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发表于 2013-11-12 20:00
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