Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

) i6 t" \- r5 Y3 w1 I  Z) ^ 5 `) t: ^' l1 D( D9 _) O + c5 L% A7 G# z$ M; }) W! R* C一、R2E的PWM芯片 % v4 a( i5 I! Q 9 |% l' z! K6 b4 w) A' R* z 6 P4 i9 i* i9 @2 Q , ^8 K+ h* x$ J# F- ^( d  O之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 ( V- v9 c; V2 V4 C. e; e$ f8 w 3 |# S, O; I* _后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 0 V9 w5 K1 F( k, a$ }从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 % B6 z' {8 P8 i$ i% \: t. T: P5 r   G; E8 H* q1 F3 @ 二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 09年采用的是瑞萨电子的MOS 上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V 4 y- j2 g! U" T4 C; e8 w( w, I- v, u 5 |8 h- Z& D& H. i3 } * J7 K& S. J. f, s) Q7 N& `; y下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V 此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 包括前期的P5系列都是此MOS 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 0 t# T; O. E6 @( `$ Y' X, i 上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 内阻6.3毫欧@10V $ I( V: X& I2 ]& i. g 6 `+ A' n% y' k/ Y: {' k此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 三、电感 3 w% a2 S7 v# \& s: f4 \- g R2E每相电感为30A   1 V0 U3 W+ \0 U2 u: I16个电感可一共480W输出 ; e" ~  L' O" c: ^6 P) D1 rR3E提高了10A，为40A 8个电感可一共320W输出 四、效率 参见效率图 图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电 0 [! Y2 j/ Z; ^/ i: z

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

http://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html