Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

一、R2E的PWM芯片 ( P( z9 ]1 X8 Q7 ^) T/ P / X% `) ?$ A: l! l0 b之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 , p! O1 |4 F# A 4 s8 z% E  P) ^0 r3 B9 G) m6 a; m 后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM ; j2 g. X0 y6 F从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 & d/ D, G5 s% G' @直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片   l1 ]4 c( p: w5 K0 U  m3 j( ? 二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 3 ]! C. @/ C9 B3 P4 T6 X09年采用的是瑞萨电子的MOS 5 L5 j0 z& C* K9 y. v, p/ t上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V 6 C/ F$ ?0 S( x7 b/ \  e# @ 4 e. a* J* n0 z- {' W- g   w. G6 G5 V6 Z: W* ?5 ]6 z0 i4 f下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V * |: E( q  v, m) I8 h 此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 2 T# X$ X$ s5 b/ ?& a包括前期的P5系列都是此MOS & p: K% V8 D4 R5 ?( O# y  K+ F " u* _& S) [5 j( X3 m 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 3 B7 ]6 m% S- p) R; N 上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 内阻6.3毫欧@10V ' A& b; }4 N. M3 S3 E4 l) L 此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 5 }. Q9 s# U  }, p& V+ y% _ 4 Q5 q& q, G0 G. \9 ], A. i三、电感 9 u; J2 F0 l+ [' ?3 h9 {R2E每相电感为30A   : w" |- ]; b& \# z16个电感可一共480W输出 5 u4 B9 h% T: ]1 w( _ : N  {1 W& w, A8 x5 FR3E提高了10A，为40A 8个电感可一共320W输出 3 S, [- ], M7 M4 j 四、效率 参见效率图 ( {* S9 C6 i& }8 S6 d$ b5 o$ ~$ I图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电

8 k; R& z& o# r5 z+ L( p# m

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

- l' V* a$ B. N* f- u

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
' d+ o% g2 ~$ k+ _; \隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

http://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html