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% H. n1 u* I3 A- a4 s
4 Q2 L d+ H# F. @/ P7 G$ I6 b![]()
) t0 @' v6 J4 P' y一、R2E的PWM芯片( k. S$ U% p9 @5 [0 q7 B- w
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3 I' X7 O/ a" W$ a- z
4 T7 ^# g2 e4 g* l* c7 p# V" d: O# w/ m- ?. Q" k
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. z: J( p% u; R. N: S5 `之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700 这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板* A& A, f, k t4 A
![]() ) E! B) Q, Y: b1 D! y
8 O- t: r! w4 H$ x6 W+ b1 Q; w后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM2 x3 U) U- ]- W0 h8 |& k: ~
从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相# t% n+ E k7 n* X' a
直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片2 N3 {+ L+ i( Z9 T* ]0 Q3 p
![]() 3 o! |7 v) H: v' \
$ V, N- B O; r& W
二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同
7 l3 @. e9 y: S( M09年采用的是瑞萨电子的MOS
: G f. H6 A4 A, y上管为K0355 30A 8.2毫欧内阻@10V+ v# N4 C Y& m' H2 O
1 `& h+ x1 O7 L9 S; U0 b4 ^: Y
![]() ) L) c5 f U$ F& {7 S
7 O4 h5 h- ~' s- n/ g- f
下管为K0353 33A 4毫欧内阻 @10V7 K: [" k; o+ q5 g1 t% ~2 ?' ~
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1 a* Z, s2 S7 X8 {
% | E, V" U1 `+ Z6 V' y, ^此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电( z Y/ V' R; X+ `; K
包括前期的P5系列都是此MOS4 k2 L8 a9 w# t$ r- y1 J) O- L* u4 c- y
# c- i0 g$ c; D+ z: n- B% x& {. c3 e
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# w% @3 ?6 D/ P% F- I- y0 N! u; l* D2 f: K1 @$ F0 a1 V" X# T( E- |
2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品" [- {. K/ J7 Z2 v+ R( M. ?7 y @
& R+ j0 o, q6 L上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L 66A1 |: J4 r I) j' }2 V+ c h
内阻6.3毫欧@10V. k% w7 K% E- F
![]()
; @+ V( i4 t3 {. h* q
. _2 {1 V/ v; j$ `; ]![]()
# ?7 A% x& p/ v0 |$ A! F此MOS在R3E上同期出现 包括后来的R3BE 也是此MOS
' m0 h- B4 z+ |) O* v7 w! b![]()
$ P6 ?+ Y: G U- E" [& w三、电感
$ d9 F1 S8 d, O1 r, ^% Y; E7 G![]() - k/ [1 s( E# m# m3 i8 M/ e
R2E每相电感为30A
' s9 T# p1 @' t16个电感可一共480W输出. S+ E4 u6 [" N) a. `4 E, N& g
![]() ; N6 h0 H7 L6 y2 f% r9 Z
R3E提高了10A，为40A 9 |/ J, U6 ~" R* e0 A
8个电感可一共320W输出
- H& F" e# r2 G5 u![]() ) g' y: Z. {. w
- g( ?8 |) E5 {' W3 h' a3 x四、效率
7 {# W+ a" R, W/ n$ a参见效率图
: [# G2 h. L* f+ ?# G( ?图中蓝线为R3E 红线为R2E 绿线为EVGA纯数字供电8 R* T+ x; D9 d$ F! q/ w' X1 g
![]() |
8 t+ L$ j7 q x: M9 N" J |
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发表于 2013-11-12 20:00
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