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- o' s, d0 h! d& H. M5 w& t
" [9 F8 p- z+ Z7 u' \5 Z
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! ~& o" D" y. U( |& R8 e9 x6 j一、R2E的PWM芯片
E- [* y" X- d![]() ' V3 |$ ~! g6 {) m j( K
3 v. L" u7 h: }9 {3 A) [! M% S# G: ^" ]
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; n) O& c& B6 |* L, m; a之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700 这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板) U* u3 w" K. ~3 [; S* @: ]$ v
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. w, q Z9 @6 r, V
9 B! K- Y& j* ^0 y后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM
( N, d8 F- a6 `5 I+ `) z; D从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相. _% w# ~* _9 z# C0 k& n
直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片5 E3 A6 Z/ q! I1 Z' B/ h
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: E# o2 |* M% z, A" e- X
& U5 s- T8 ~) E/ Z5 O+ n* c二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同
8 C, o( t0 p. A/ s! b+ U! g09年采用的是瑞萨电子的MOS
9 D' ]3 p2 ?; H上管为K0355 30A 8.2毫欧内阻@10V
- h! t# f# E' Y* C
4 t1 t* z6 E. @9 i![]() * Q" h' @5 z5 d( |, Z' L1 _
# H b: W% B1 l2 ^8 a
下管为K0353 33A 4毫欧内阻 @10V
; i' z" J$ J$ G7 j0 x![]() ! E' l5 X: @$ V' g9 ?2 A+ y
" w3 X. H) V2 T; v0 }; h此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电) S$ e% W# s0 _2 C( k6 F+ d
包括前期的P5系列都是此MOS
! G" H$ Q9 c( b8 J* s7 a- o, l
; W1 Y5 z; f# I$ q" S![]()
0 n' w9 s9 s% ~' f
" `$ q" g' R5 n2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品% B7 e3 V) ]8 f4 I% u% I; }
/ r" W/ v" Y, t* E. a! q上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L 66A
' ?. q5 b( X K3 x) Z( v- R7 ]内阻6.3毫欧@10V
: U3 j- h6 T# N, T* f![]()
" S4 x% E3 F6 s% h4 e* Z
% [ @# B& t9 S: g/ U% [* D, z![]() 3 r7 @. z: J# {4 N+ j
此MOS在R3E上同期出现 包括后来的R3BE 也是此MOS* P8 t. N' t* V1 [8 W4 M6 y" o
![]() 1 T/ C( f0 z4 A8 }* w# ^' O
三、电感
' a' A+ ~2 Q5 W) p( Q( g9 z: t![]() : J. l; `4 m! T: M' R e! z
R2E每相电感为30A
9 _# U# B/ V" M8 P! ~* e$ a16个电感可一共480W输出( x- |( p' ]2 h- q8 e+ H6 u
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1 a7 e* F, F6 s3 ^, \- QR3E提高了10A，为40A & `; b8 S& O* ]0 N- m
8个电感可一共320W输出8 e8 a2 R d+ l; U
![]() " O# C- Y, v$ F
+ l( Z+ F3 v9 t0 K# q* m5 g四、效率7 W0 s/ d! R. ]- _2 O6 b
参见效率图
$ A7 O! b( ?, H4 H1 V图中蓝线为R3E 红线为R2E 绿线为EVGA纯数字供电" A3 Z2 [5 j w- l" B
![]() |
/ t+ b/ x: c k V4 b. [ |
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发表于 2013-11-12 20:00
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