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' [, y3 E3 R1 \' S- x2 b" H
0 Z2 Q* j& i1 t( B# _, c
![]() 9 _' K9 _; a- f' U' B' A
一、R2E的PWM芯片# u0 V" x' L& s2 Z. I
![]() 0 }6 k! j7 e g m, m+ l9 |
& ^2 {; ?0 D) T) c& ^: i
7 C- z2 @9 p% M3 Q9 \![]() + R& y' L3 U( x1 o! d6 }) t; }' K
之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700 这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板
5 ^& p% t0 T1 R![]()
0 F7 k$ U& w8 ^. s% K! s1 l9 E
( N( z( Y6 A- g后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM r- O& ^ h) A* H+ A4 R+ j
从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相
) c5 q5 O8 J7 I! \ T9 _直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片
9 q8 d8 B8 E! Q* f! m% \9 B![]()
( g" L2 W: J* @
" T9 A/ D+ Q+ t$ ?$ n二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 E4 ~4 ~. g0 }% a3 s3 W# e$ N
09年采用的是瑞萨电子的MOS0 S. L5 w2 c$ r- C1 g/ B. X! |1 F
上管为K0355 30A 8.2毫欧内阻@10V
7 x1 Z+ p7 g5 Q7 |- R+ i; Z; b1 o" _6 a) G" ~3 H
![]() $ @6 Q( | a2 o9 r N
4 S! L# d' j: z( ~6 M- e3 b下管为K0353 33A 4毫欧内阻 @10V
2 w* c$ z3 s! N1 e![]() 1 Y+ x( I7 N* T6 f8 f: n" _
6 N& f4 C0 Y# }7 ?, S$ I3 L# M$ y
此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 Z R% a/ L6 ^6 [; @7 s
包括前期的P5系列都是此MOS
5 `7 ]) O5 q9 W8 P8 g' n8 l2 @+ _, S8 Z
![]()
4 Y) b$ w9 e# F- y3 S* q( @
. t, U: ^) P3 N; ]1 j2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品: Z$ H Q3 B. Q- I9 Z& q* z4 T% n
6 i+ D- u1 m) w7 a. J0 L8 V0 }
上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L 66A6 c" H4 L# F" U* X: e. T) S6 m
内阻6.3毫欧@10V
- Y z2 E, c" Q2 A- X* ]) E![]()
) L2 D Z0 B$ O
! A( Y x! J8 a/ j0 B/ r![]() 0 ~) n, j: [* f) }2 O
此MOS在R3E上同期出现 包括后来的R3BE 也是此MOS
* Q3 M3 E8 I+ v% q/ |" x![]()
! H) P$ S. W+ ~; L: M$ _三、电感
7 v: E0 z( u/ W. K2 u9 ?6 ~![]() + M7 @) v( \+ B; Y! Y, `2 q
R2E每相电感为30A : O- t" i/ |: t% w. C
16个电感可一共480W输出
v4 {! D) C' s7 K![]()
- J+ [6 @5 H' l7 g+ a7 {0 DR3E提高了10A，为40A / _- K. B, `7 R: k5 m( w
8个电感可一共320W输出
- C( Y6 s. k; O![]()
3 L) f: c4 r9 G( I* ]0 M: V# L6 d6 B( R5 c+ x& u; P
四、效率: e0 f: f( D& r7 N
参见效率图
( z2 R% T: S3 D' `图中蓝线为R3E 红线为R2E 绿线为EVGA纯数字供电
0 A9 k) a7 C/ J3 s$ T9 K![]() |
& k+ B' }, a2 ~8 |" O, T
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发表于 2013-11-12 20:00
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) |: f0 R3 N' O( L