Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

" M/ |- J; i, m: V+ {. M% @8 G; S一、R2E的PWM芯片 , q6 g4 C0 R/ u: d* s$ M. F - g5 t0 z0 M& c6 l 之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 2 X  o% \4 f+ i 后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 5 r4 {- k$ t. }  N" b从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 5 P0 E! T( f7 ^4 [% D+ t9 U09年采用的是瑞萨电子的MOS ; B9 }# A/ t1 U$ v1 d. z上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V $ H8 o7 C; b+ B- u. t 5 z9 }9 u8 q3 C& `: p5 t + D- q1 B) Y2 C5 X4 D8 f下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V + c' l6 x4 @# B+ w% K" L5 }+ [ 此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 包括前期的P5系列都是此MOS & F2 T+ n' p6 U+ e7 F: g/ P 9 r. W# x7 ~. ]; k4 g6 z; n 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 ; K+ b. u3 t3 z. ^( |! ?1 T上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 内阻6.3毫欧@10V 5 i; ~  x# a# w/ e % A6 Q+ K% A. w9 | 此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS / p* \9 d/ y7 T8 k三、电感 4 i. j2 a/ N' q4 Z, S' n. w/ Z R2E每相电感为30A     @" k- x# j1 G' t& S, y16个电感可一共480W输出 R3E提高了10A，为40A ; g* [4 X- v, a- g0 |* p0 Z8个电感可一共320W输出 7 V: T: s2 [( W  l  W8 p8 t% B% s, O , E# t! }8 ~5 j四、效率 参见效率图 ; `0 A. ?. ]/ ]# ]图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电 7 L& e9 B  d; y% w$ w6 Y

: F/ Y: Y5 X( I8 Y; N' y5 c

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
+ g$ k7 X5 D/ V: \3 m隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

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