Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

% q( u+ h) h& f' u% i 1 a# N/ \( L9 d3 t % M' q& h9 ?' l+ Q& a3 _一、R2E的PWM芯片 4 a% s' T- J- i! z! _2 m1 B * f  J. |" D2 T% ? 0 m0 I# I+ e* Y* [ : Y0 B1 H/ Z, m) \( J8 t/ b之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 ( R4 S1 q2 u( E" `$ |" e 后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 3 _1 A2 I. w( ]从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 0 G/ b  ^" d# I" h, r5 @二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 5 M" _8 b5 j6 a09年采用的是瑞萨电子的MOS 上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V 9 v# @8 @7 v* }( Q 1 z* \( E; X& e 2 }& K+ c$ g% V  U 下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V 6 I9 Z; U' X0 C   L+ d* E3 N( b此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 - J9 G; T: p7 a* N2 m' ?4 b: {0 v2 X包括前期的P5系列都是此MOS & V* j# b& G' V) C! @6 n 8 A7 |5 I* g$ W" t. O2 g2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 . x/ T* c! v# P3 V3 ~' L 上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 7 q& F; O6 V! [3 }! V: e& ^  I内阻6.3毫欧@10V $ z/ N* Q/ E9 t( Y  | 0 B/ I+ v. z8 d% Q; T8 t) c" q 此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS $ t9 q  n8 B' o% o 三、电感 + J/ [, P; q7 ^% V9 E/ H R2E每相电感为30A   16个电感可一共480W输出 9 k& k8 c4 _5 h. a) T3 m) P; x & B% X0 U/ k1 Y2 n, A" G( ER3E提高了10A，为40A 8个电感可一共320W输出 8 Q+ O* P! _) {' s7 ^! H3 b' j 四、效率 参见效率图 6 E$ K" @" \, d图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电

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aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

" A! V' M* X9 {6 n* \
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