Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

) I4 ?! _; C* R+ Y   O4 A$ u( j- H- K/ i) e2 i) }一、R2E的PWM芯片 + {7 B' w: Z- I+ a* [ 3 Y/ e6 M, r2 f5 x/ J6 n' D& t8 Z , ?8 H* q4 n$ d, r& f之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 ; \* R, R5 g( A  f2 Z ! P; B* L5 y7 w! [6 S8 \- a 二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 09年采用的是瑞萨电子的MOS 上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V & m' L# s% Z; r3 I6 i4 c 5 v3 F8 y) z$ p/ ]" R下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V % ?0 G9 g9 n3 R% ]8 U2 s ; F# I$ M3 D1 x" l- c: u此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 ; z8 H- d9 e  m' j! |6 Z包括前期的P5系列都是此MOS # q/ N  g6 I5 `6 p# N2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 2 Q7 x: q* A0 B3 |, Q上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 7 ?3 o9 }+ h' W+ `0 g# B: S内阻6.3毫欧@10V & I: H# P0 _6 [' X8 Q8 A : ]; w) V; W4 n3 x* `0 @5 x/ ^$ v 此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 三、电感 $ _0 y8 R" E  j3 U9 R R2E每相电感为30A   $ o% E: }. u/ j( I* z; j% _16个电感可一共480W输出 R3E提高了10A，为40A 8 m6 S9 U6 n7 D9 a% ~# [' ?/ u8个电感可一共320W输出 2 R$ e5 U9 N# m0 ? 1 g0 E0 D$ f& S- l 四、效率 : O' s# y$ I2 J9 ^* Q, ?3 f6 z& [) {7 ?参见效率图 图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电 : ?, k+ @9 _1 i% I' d

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
: _7 @6 t/ ~' p; P+ n+ ^! U- ?; Z& H5 p隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

http://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html