Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

7 p8 c& R0 {8 @) x2 X! i! d( e , S2 p: Y2 V9 f+ z3 @6 K ! ?* f& t. p$ ^8 {: _& q一、R2E的PWM芯片 / V& ?) {& L0 E9 \% b & x/ t  J* b) _之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 ) D3 Z4 W+ h/ Y) ~" [ 后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 3 O4 h: P9 z# t; O4 V从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 % V5 O3 N! X6 g$ m. V . b, g# k: s1 P7 [5 B二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 09年采用的是瑞萨电子的MOS 上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V % y  T. P8 |" s3 G% p+ Q( q 8 m4 `, F9 D" J- ?) f/ N" B " o( i. _7 o0 {- \ 6 T$ n. b" @; O; E) V0 ~/ W- ]下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V 3 L  @$ h3 H* T 此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电   g4 H6 {) m! i/ z/ Z, Y' A包括前期的P5系列都是此MOS : Y8 ^" Q" }' V+ [ * @1 c: C3 Z5 _. M2 b& m2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A , m5 N8 l- [: b3 Q/ ]9 n内阻6.3毫欧@10V 2 ~/ Z$ y& y9 o) R, [7 R 2 J0 D. ^) V9 j) i6 r4 I1 i 此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 0 J1 Z2 Y! ?+ K+ y7 f# I三、电感 0 x5 ?  A4 @6 N  w1 t/ aR2E每相电感为30A   16个电感可一共480W输出 " q$ x2 j( K/ f. u0 mR3E提高了10A，为40A 8个电感可一共320W输出 & n! z; i) \4 f 8 T, D6 g# I; {4 i8 K. n/ Q $ ^4 a8 \! l& v+ X: f四、效率 6 L+ a8 l- \5 T( k. \& ?参见效率图 ! t8 Y+ V- C* v; F图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电 . h0 K1 j* \, W2 k9 g3 f+ u  k

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

% S) g- S0 U1 n+ {8 r3 {; R3 |

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
: `/ C  Q) S7 g% ~9 T3 o隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

http://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html