Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

) h( p% O7 \! y# b  |8 S) J6 i $ f% b2 }5 Q4 v* S一、R2E的PWM芯片 5 O3 |* C4 ^5 a & Q' P: K, J$ u  Z* a1 M# H 之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 6 k4 a+ S4 k$ i- ^0 k; ~; m+ y* {8 M 后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 0 {: X9 c3 `7 M# E直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 + f8 H6 }% n% ~5 y1 l0 I: A* _ ) f6 M9 f2 `' P 4 L  `1 p1 m8 e2 V( B& d二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 + T0 D0 T. {, h09年采用的是瑞萨电子的MOS 上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V - v& d# C: N3 x. f 1 P$ x$ n; E7 |9 \6 x1 _ ; N4 P/ N4 N6 S' i0 u1 { 3 b9 ^8 W- L/ W下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V 此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 : E! A  y- u% h" \包括前期的P5系列都是此MOS 2 U9 H  r! z  {! M. A2 T3 U : L8 L9 w1 `7 s2 v ! Y0 |7 p- Y4 L' C6 s" ~2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 * `, S, ~. U. i: ` 4 N! O8 d% a1 ^8 Q9 M上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 内阻6.3毫欧@10V , j# i) h! N0 @' F3 `( y$ f: V 1 c8 M9 q4 ^: X: l9 h / Y* y3 K% w' H2 B% E" y此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS ; t: m. }' \: j7 B- L: z 三、电感 R2E每相电感为30A   " o# y* i# Q# Z8 x. O16个电感可一共480W输出 0 a7 I& q. a0 u9 y- y% \* R ' e. x0 u: Y; J! _! v& v( Z. HR3E提高了10A，为40A 2 ]4 |; N* U: `% `9 V( \8个电感可一共320W输出 6 [* i& a: H% ], \% R) U: |5 j4 t& ] 0 h9 O4 q7 W$ h% E. I" k( f四、效率 参见效率图 $ X- E1 S1 J% T; y% R$ _图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电

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aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
1 r6 v" [$ i1 }; Y# L0 X隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

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