Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

0 b& }) J; u; p# ^7 _  m 0 x+ J) l1 g+ e / |7 y0 L: M# m一、R2E的PWM芯片 / I$ ?3 v0 k) m) X $ ^1 h  W; N) u7 E' {9 Z6 j  }之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM . s7 }5 c# e- V9 h从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相   \8 a+ H( L& J: Z( P8 Q直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 : Y9 w% \/ L% i1 B0 `5 n* | 二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 09年采用的是瑞萨电子的MOS ) G0 g1 z9 C  u! R3 k# C& a上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V , P0 x( E3 o& I4 M% _# {# M$ P- S8 s2 V. V 0 o7 [8 l: U/ v5 X8 W 下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V # a) N; w$ b7 M% X 0 w0 U) Y; K1 S! y" L. Y& s此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 包括前期的P5系列都是此MOS : Q5 G8 G  ~! Y( q/ i " \' s* n9 C4 O0 J 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 内阻6.3毫欧@10V 2 B8 ~0 x7 D1 l  Q/ K* u + |$ H2 y+ b0 C; G6 n 此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 6 e6 Q4 r8 v% x# k 三、电感 , t: a$ H; ]1 c3 ^  w * r* j8 B) Y3 w% o; r2 vR2E每相电感为30A   3 b$ C2 N" D7 Q# u, q16个电感可一共480W输出 R3E提高了10A，为40A / i( K8 r$ P- u) x8个电感可一共320W输出 四、效率 & c2 K6 m6 q  }+ w, h7 d- B参见效率图 4 h) O- Z) D& j$ ?$ D7 N0 S* H/ ^图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电 / d) A  g2 Z$ ?/ m/ e

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

- u. p/ e! @- i( N' h2 w

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

/ u" Q' \5 T- r3 U9 v
9 f: h0 K2 |- Y- L' [9 F( rhttp://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html