ASUS P5Q系列主機板研討會部份PPT圖片

sxs112

小弟挑了幾張重點來放，至於內容的話....因為小弟不太懂這方面的東西..所以就不多表示意見
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1 J# H! J4 o; D2 m7 E5 a+ }5 ~內容有酸了G-Brand幾下....
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[ 本帖最后由 sxs112 于 2008-5-18 20:23 编辑 ]

Travis

非常地具有误导性，不过总算可以看到华硕对自家“真16相”的分析了
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! ]' J  C% H$ h& EMOSFET Driver是可以把两路的Driver做在一颗芯片上的，以往的板子上有这种设计
不过这么多相必然要有对应的Driver，而PWM Controller内部整合的Driver显然是数量不够用的。
" w: f& |- c' e电容并不单独属于某一相，所有的电容都是并联在一起的

, h- e- K$ `! `5 E7 k. J这次还是看不到EPU是谁家的芯片，不过应该还是一颗四相的芯片
) M; Z$ B; @1 G+ V( P8 A! }而PEM就是一个四路电子开关，轮流控制向四组四相供电输送信号。这个最好用示波器来验证。
这样一来，轻载下实际上是PEM在控制相数在4、8、12、16间切换，EPU（其实就是PWM Controller）同时降低频率
- |8 R$ o1 ^7 v) P# c/ {& ?相数从6相提升到16相（如果真的是16相轮番开关的话），相当于开关频率提升了三倍，ripple当然减少
: M! J* i; {: d9 X# z感值的问题，因为真16相的MOSFET上桥导通时间明显变短，所以感值可以取小一些，低感值的动态性能会更好，负载瞬变时的过冲会小一些，然而华硕在16相方案上使用的1R0反而比8相上的要大不少，这样估计是为了轻载降低相数和频率时仍然工作在连续导通模式。
MOSFET是Low Rds_on型，然而开关频率高了以后MOSFET的开关损耗会上升，这就要看具体MOSFET的性能参数。
: O6 E2 d% \7 {6 v+ s. c; P具体这个“真16相”设计和技嘉的6相设计在开关频率上相差多少？这个是和ripple性能相关的。
如果找不到控制芯片的资料就只能用示波器去测量了。
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. l* k  @. E2 h( H和G牌的六相散热对比是刻意使用了CPU水冷，使得CPU散热器对周围供电的散热基本帮不上忙。这也说明即便有华丽的热管和鳍片，水冷时仍要注意CPU供电的温度。
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2 \. a* t' r" A  y3 n总的说来，提供了有用的信息，然而本身是很具有误导性而且很没水平的市场宣传。

newshore

晕，这么多说道，看来我要重新考虑一下了。