Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

& y6 R1 J% W2 ~. G1 w' `/ m2 t一、R2E的PWM芯片 4 p6 c: [# D- Z8 k 之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 - \7 {5 W5 u% |% {  Z后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 4 J9 X) c: v& F& Z" r" X  l1 S 二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 09年采用的是瑞萨电子的MOS 1 }3 g! v/ m, \' }% Z- z& a0 M上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V & p. P9 C6 q/ g: o ) W$ `' i) _" `1 |3 [7 D 3 G) Q  V: b; t1 _ 下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V * L1 F% Y8 ]9 V- p ; F3 S4 J  V( J5 h  f% u此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 包括前期的P5系列都是此MOS ; X7 H+ h6 I, } # z4 y, n4 d0 Q8 H* W' a ' `0 _1 [6 I8 S # {  o* @8 j) y& F7 W2 D% E! A& B: u2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 2 K8 j3 c, D- f6 l/ L, |+ [上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 内阻6.3毫欧@10V % U# A6 c) }: K 4 o# I( E0 ?  e6 Z8 c! S此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 9 ^1 U" b  H! f2 `& _三、电感 , z( i, L, O9 ]% ]9 y1 k1 Y2 f R2E每相电感为30A   5 C3 v) R  s# I- n; U16个电感可一共480W输出 8 ^* |, J+ }9 x. y; R6 rR3E提高了10A，为40A 8个电感可一共320W输出 & `. B: U1 c! p- L' @3 H & @, I6 i/ @" X; { * Y* A" `; G9 E* \+ x! x* @四、效率 参见效率图 + a1 B5 d$ H9 @8 s+ m4 b3 R0 D! z6 N图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电

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scujie

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aivv 发表于 2013-11-12 21:33
0 ^1 M& d; y: g隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

http://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。