Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

9 R# O% T# S; d! n6 l: e. E" T" w8 E 一、R2E的PWM芯片 7 p7 `& w/ @. H2 R9 i5 [, x & m$ J! t/ k- Q8 h) G2 h " N* U9 G4 C7 F  A5 \ 之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板   A2 G9 G  F6 G  f/ P) r7 [. |3 ` & M' q* [) T* ?3 b* M   n$ u  K7 R% f& S9 ~; q: X- \后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 % [; Q0 {7 U2 ?直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 % w. q' N/ {/ x, T  \0 U4 p: \二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 09年采用的是瑞萨电子的MOS % C( @( a2 g/ ~/ P( J6 r5 f上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V 3 h: d/ x# ^  ]3 {7 W4 t4 B& B   t( A' k- }! |3 G/ J8 B/ J 下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V ; G* E$ S7 |# U4 {/ [此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 1 y: P0 B3 E5 G9 V包括前期的P5系列都是此MOS ; r: O6 E5 L; ?8 j7 c! f # J  r8 ], A& N- b" _3 ~7 R. n2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 # t- y; f, W) x  s) q7 e5 J 上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 9 Z- p9 G3 t; {1 Q- a& C- s内阻6.3毫欧@10V & l! c, D, ?/ k+ B9 [" h% A4 A 此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 2 s; C3 t2 p: J- k' }: H三、电感 . p6 Q" {/ }# M' E R2E每相电感为30A   ) n3 ]4 Z; W5 r) a: o16个电感可一共480W输出 R3E提高了10A，为40A 5 D. {  Z  k1 @* ]8 U2 X8个电感可一共320W输出 + {+ w* r1 e/ J+ y' p& V' Q8 Y . j  ^1 v3 C4 w; O0 _2 a1 V 2 _4 d4 \2 g$ v+ E四、效率 : k. H1 F% f& J) _2 t/ P. o参见效率图 图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电

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aivv 发表于 2013-11-12 21:33
隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

" y  @; P* w9 h, y$ v) nhttp://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。