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偶在05年写过一个该问题的文章~, Z+ ?- L! j; u: x L# ]/ c
偶以为那时候这个问题就已经解决了~. i# l& y, c! M* `
, a9 W9 n3 t: T' A( G2 w% |' x$ C
没想到又出现了~嘿嘿~~
6 B6 Q1 Z3 j* I' O' r1 V0 j2 f9 _偶也是学微电子DI~~
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2 [1 U1 {* _- ^4 }降压使用对cpu没有危害!- -
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, E1 X3 Q. d$ x) C& o9 z" j1 g, W
j4 g/ x1 g1 }. r% J3 _; D! e: s- }2 O
1 j$ o6 |8 S% U' s! C+ Y8 C只要cpu能正常工作,保持信号的完整性,
! k1 p* x6 @* C系统运行不出错误,那对cpu的就没有危害!
/ N$ u5 D: X7 b1 @0 R) ~, J5 X1 T. g! H: Y# ^+ Z- D
有些人解释说降压工作对cpu有害的原因竟然是降压也能" }- P3 D' d' b) _6 f- h) p
引起电子迁移的加剧!
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4 c" i! F% q6 O, H3 ^4 }$ y F现在,我就驳斥一下这种说法:& f; y: U1 a8 L, a u2 b0 N* f
0 I; t0 b/ N% x+ i% k2 m& r首先对于电子迁移想象,我不得不再重新解释一下,相信好多人已经看好多遍了。) S( F2 V0 d4 l+ }: c, a
9 d( }/ F2 Z2 G# V7 |1 I4 F6 p电子迁移现象是始终存在于半导体集成电路里的一种物理现象。
9 |# |* _' h" `: |在电流加大的情况下,这种现象就更剧烈一些,如果电流太大了% E& z% e. G8 L3 U$ k
就好比洪水决堤--"河道"也就是电路就被损坏了!( ~/ H) o, r% @5 ~. Q* Z
那为什么电子迁移现象总跟"热"联系起来呢?那是因为"热"
) P4 e1 C# @. D! U能加剧原子的微观热运动,所以能够加剧电子迁移的程度。1 C5 f( z8 s% I" p: E) C: L
而且,集成电路中电流大的时候,总会很热!
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0 M3 t( O& P- z. F9 N所以,电流大和温度高是造成致命性的电子迁移的根源,而这两个% p5 F$ r- z5 S( H
根源的实质是统一的,电流大自然会导致温度升高!电流小发热自7 v: F, Q$ W4 ^* N* X
然就小了!: \8 t0 p4 G D+ c8 p+ Q0 z2 U
3 _: n% x" Y) Z6 v- O大家知道,现在cpu采用的都是CMOS电路,CMOS电路是一种互补逻
: F% v" K, R2 _1 U6 e辑电路,它的功率由三部分组成!
; Y6 j# l6 o, c; l" {8 `% X8 t- B- C7 H8 v" ]
P= Ps + Pt + Pc
, }' V, t) H3 R- m" W7 e. d/ m2 [5 r
Ps:静态功耗" F( {. D; f- N) ?: r9 x6 v8 ~4 _" S
Pt:顺态功耗
& V4 b" n* ~0 M$ ]Pc:电容充电功耗
6 O: V7 z/ Y7 H" M" K
9 W' g. L* _1 W9 U! z' n以CMOS电路中最基本的反向器为例,因为反向器正好一个P管一个N管,
& Q$ H/ i# H8 \是最基本的互补逻辑。, q9 I3 A+ t% U
. k1 i! [, T' V- [2 |% o# l
其中:$ ]6 c' g: J- G, l7 ?4 b/ C
" v* W8 V# `( r& M
Ps=Ios*Vdd4 z+ u/ v- {0 }3 h" j
Pt≈1/2*(tr+tf)*It-max*Vdd*fc
) |0 i/ l7 |/ f, L& ?+ B: LPc=Cl*fc*Vdd*Vdd
4 s2 E' L. k. \; V0 c: h2 T% ~" }+ I2 n7 ^0 d$ q: t3 Z! P/ F
我们看这三个公式,其他的我不想解释,学过半导体物理的人,一看3 i5 u) x' H" ~9 G0 L1 U3 L5 ^
便知,大家只要注意三个公式里的Vdd就行了,可见Vdd一减小,功耗# Y6 R: i `/ j t3 Q( [+ A
全部降低,总功率也就降低了~~
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1 h( m& Y2 F" B* H3 n呵呵~~所以说降低电压肯定会降低功率的!& t! R' W9 `% ]( S6 O
那功率降低了,发热也减小了,前面也说了,发热与电流是统一的引起
( A7 M0 h5 I( Z8 u3 s电子迁移加剧的根源,所以电子迁移作用自然会减弱。+ [% F4 x1 }9 X
所以,降低电压是不会引起电子迁移现象加剧的!那怎么能损害cpu呢?
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再说的细致一点,还是看那三个公式,除了静态功耗外,其他两个公式
$ y+ d9 S# ]; _) N9 ~ l1 M7 G都有一个因子-fc。这个就是频率,为什么功耗中会有频率这个因子呢?
. I6 a) _5 I" h' l4 m6 m/ K" L; c那就得说说CMOS的工作原理,传统的CMOS电路功耗主要来自于Pt和Pc两
3 t# p' `1 K: M" l4 o部分,近年来ULSI(甚大规模集成电路)的普及才是Ps也重要起来!. t- y) \) ^1 B' O
而Pt一直作为IC最重要的功耗来源,只在CMOS电路逻辑翻转时才会产生,
% k- y' ]- l9 C% s" Otr和tf就表示逻辑翻转的速度。所以cpu的电流大小可以说是由cpu的运行
4 s( r( W1 b# g$ G4 e3 ?; _频率和cpu中参与运算的晶体管数量成正比的。
. @# {! o7 M' u[ 本帖最后由 gz0921 于 2006-10-11 20:16 编辑 ] |
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