|
|
偶在05年写过一个该问题的文章~' X4 i% `: g2 D( Y
偶以为那时候这个问题就已经解决了~
* R" n) m4 x! `; W# Z5 c0 H- x7 X
没想到又出现了~嘿嘿~~
6 N& V! A1 l" ~% q0 _7 B偶也是学微电子DI~~$ y. k" D! ~! t* y) x# K3 L
# {7 A. ^3 U; ~
降压使用对cpu没有危害!- -9 i% b' K: |* O4 L
* {" T/ a3 S, }. T5 P
: `9 S* r1 f' e9 ~* n+ A. G
' a* z5 g) C8 L( D/ d: f; E% ?! N& U3 ?只要cpu能正常工作,保持信号的完整性,
- w) c2 j5 s, ~+ w# ], ^系统运行不出错误,那对cpu的就没有危害!: {5 R$ ^1 P: ]1 |+ V8 M0 R
; D2 U1 J6 U$ E! ^$ m有些人解释说降压工作对cpu有害的原因竟然是降压也能/ Z, E! b7 l1 |
引起电子迁移的加剧!
" [' \( Y8 ^# V8 a; \8 Q; a
+ P1 a- ]: P! U" s9 B( z% h/ s8 Y5 B现在,我就驳斥一下这种说法:; V0 ^% N- M" v5 w3 f( m9 ~' Y/ H
2 B* h; Z. _& o9 E2 J
首先对于电子迁移想象,我不得不再重新解释一下,相信好多人已经看好多遍了。; X" ~7 U) g9 u1 ?, T/ o) r" D
# ~- [) [9 J4 e电子迁移现象是始终存在于半导体集成电路里的一种物理现象。5 t" |+ ?/ w: J/ ~+ Q
在电流加大的情况下,这种现象就更剧烈一些,如果电流太大了- n! I2 h+ Q( ]; r! E) E+ V3 H
就好比洪水决堤--"河道"也就是电路就被损坏了!8 L, S. R& I5 Y. T
那为什么电子迁移现象总跟"热"联系起来呢?那是因为"热"
9 b5 a( c! f7 f% x Q能加剧原子的微观热运动,所以能够加剧电子迁移的程度。& v/ d4 f( Y" [. E* e3 l1 X7 g
而且,集成电路中电流大的时候,总会很热!
4 w: W- z% t) ^! j" P/ ~: w1 n1 {7 T! X, s% j+ l
所以,电流大和温度高是造成致命性的电子迁移的根源,而这两个
8 ]7 J' S2 `7 x# a& b# a, _根源的实质是统一的,电流大自然会导致温度升高!电流小发热自/ u' O2 k; C5 g' C6 e' v$ b
然就小了!
* ?) Z r" d% p3 @! v4 N/ B/ z3 P2 W. B
大家知道,现在cpu采用的都是CMOS电路,CMOS电路是一种互补逻# p4 L4 M" ]2 G' {% D
辑电路,它的功率由三部分组成!' V' P2 X0 o3 S
" G& A y0 I- `8 Z: l M l# B$ _
P= Ps + Pt + Pc + F0 |) d2 K3 e! ?9 _
; _$ Z: x+ H; wPs:静态功耗# Q6 t8 h+ p/ q, _( t) W: V! R- \
Pt:顺态功耗2 j* W) Q m! z2 E4 ~
Pc:电容充电功耗
7 v: q; f3 V% ?6 k! Q- _) a9 Z& E. y2 E9 T
以CMOS电路中最基本的反向器为例,因为反向器正好一个P管一个N管,
% j% i; l- c+ `) ], R" r2 R" R ^是最基本的互补逻辑。
/ t6 t0 d. x2 S/ A2 d
B4 L% `, k$ D6 D其中:) O& A% U4 e2 i: V
) l/ E% Z: w4 @* I: N/ {' J. G5 x
Ps=Ios*Vdd H) r% F5 ~2 P# `# T( q7 {
Pt≈1/2*(tr+tf)*It-max*Vdd*fc
0 V9 v% t! i! i* jPc=Cl*fc*Vdd*Vdd
" \+ Z* x) h5 v; H4 i
) X" K% a! |3 c# r9 M0 q我们看这三个公式,其他的我不想解释,学过半导体物理的人,一看
* f+ H" `- s1 j# ]* N- A' I便知,大家只要注意三个公式里的Vdd就行了,可见Vdd一减小,功耗: X3 [+ W! d3 h: m# [
全部降低,总功率也就降低了~~& M& |' h0 f/ j% W* p5 Y8 {8 R
) Z5 q4 e1 X0 L* ]
呵呵~~所以说降低电压肯定会降低功率的!* P! A; Z- T6 S, W: g$ ~
那功率降低了,发热也减小了,前面也说了,发热与电流是统一的引起( ]; L# u1 a9 {# h( Y. u
电子迁移加剧的根源,所以电子迁移作用自然会减弱。2 A8 `$ a, F$ s) m5 `9 `
所以,降低电压是不会引起电子迁移现象加剧的!那怎么能损害cpu呢?
! p- l* p- Z3 C; ^1 B# W, ]) g6 d& K4 A* k% L: D6 A3 M- Z
再说的细致一点,还是看那三个公式,除了静态功耗外,其他两个公式
& H6 c( q% S! j) }都有一个因子-fc。这个就是频率,为什么功耗中会有频率这个因子呢?0 {3 N( r- m* W1 z: y! Y- x! K
那就得说说CMOS的工作原理,传统的CMOS电路功耗主要来自于Pt和Pc两
& F: o; R: j1 R$ T z部分,近年来ULSI(甚大规模集成电路)的普及才是Ps也重要起来!
1 }, x- o: h! j; T而Pt一直作为IC最重要的功耗来源,只在CMOS电路逻辑翻转时才会产生,) P8 ~; e b& P) r# C! i
tr和tf就表示逻辑翻转的速度。所以cpu的电流大小可以说是由cpu的运行) w3 h' s# j+ `) V
频率和cpu中参与运算的晶体管数量成正比的。 + z. }7 L2 s% ~+ s: o5 `' |
[ 本帖最后由 gz0921 于 2006-10-11 20:16 编辑 ] |
|