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Intel刚发表的新系列晶片组,分别为P35/X38两款
+ Z* M8 l2 P# v8 k7 K3 E很快的三大厂也在五月份陆续推出多款P35低中高阶的版本' d0 D+ A0 Y- p- \& A* K
" A% R R# J* _; }) l8 K这次主机板是GIGABYTE产品,此厂往往给人的印象-用料佳/价格合理来取胜
3 b) D" z7 l. H& F& H' \$ k但是也有作风比较保守的传统,在超频与电压方面较不擅长: M2 Z( Q3 r$ Y
自从去年的P965产品后,技嘉已经加强对这方面的不足$ C, I7 x! d" r+ K1 T1 y0 t
2006年的DS3/DS4/DQ6三款定位与市场反应相当的好' W& h$ @- q- i. R5 F+ \
8 E6 m# D ^, c# c9 n& M8 }3 kGIGABYTE P35系列也一样照这样的市场策略
2 O' n/ S/ \! W" h5 Y4 T" A/ \主角名称-GIGABYTE P35-DS3P,属于P35系列入门的版本) u) S* t% r2 J/ J% m8 o. }% }& x2 b
9 D) v; A" v4 K" f( }外包装6 z! N- p4 |1 K* }
& \8 K5 X4 n7 t( Y
![]()
2 J' j1 n, D+ \% c; d4 Q+ b5 H
5 g7 C: o; V8 a* S2 a% D4 j1 A, l
3 `, L! J2 P0 u' D V内附的配件9 V# ]8 u+ P n0 |1 D* j7 {
附上一个PORT有两个SATA装置,不同于其他家把eSATA内建在后方IO
$ H2 a1 C! E5 q. ~% P
& s; H' J8 Q) f( _, Y 3 m9 |% k& g3 S" \# c9 ~
3 ]5 N0 L7 N4 |% m! \: [' b% t f1 e* t+ A
P35-DS3P本体7 m4 [) U' r' J/ @; y/ [: ?
全日系固态电容,产地为台湾
' F. g/ o+ B+ ^- k. V* ]- n6 k& H
+ q3 M0 j$ h' \8 N* k) _![]()
/ X0 m6 A. p ~) `* k; R& `) y4 M
) L. P3 c* t7 N& U3 B9 v9 j( H![]()
( q1 r1 W: W$ d, l7 \; x7 B
: C2 R; ?% H; @! e: X. @) _, u1 |. E0 l1 F: R2 G' z7 B4 [+ {
主机板左下" n+ f' i0 }) j7 P9 r1 z8 D
2X PCI-EX16
6 v( I4 A+ \+ K- \8 K9 D8 [(执行CrossFire时为16X+4X)
- T( Y% _, f% H$ A) I3X PCI-EX1
4 P) k4 q! p5 T0 ?) J. o/ g1 f2X PCI
0 Y" v3 l9 k8 _ N3 i7 B
4 v) }1 v9 W) F: Y3 y+ ] 9 X: n. i- ?; j6 h0 d- T [$ M
* ^: l; W) `+ r+ @ b4 X0 q4 i
% w* Q( Z: ~, H. M" ^3 ^主机板右下
I% b# j' x4 n/ [. A$ A) CICH9R加上外接的晶片,支援高达八个SATAII以上
3 B* f5 V5 F2 |7 G$ W南桥使用接触面积大的铜散热片 X$ Y" k- e0 \. |" o4 F6 Z
* U8 h; R& E2 ~7 t; p![]()
, Q( d1 N n* r* f/ i
' [: C. l* @9 r$ }* q! ~5 w- e
: q+ `5 x9 l7 P$ K- e主机板右上
r/ T+ K8 t. t3 K- i四个DIMM DDRII,在DDR3价位与效能尚未成熟前是较好的选择5 R& z/ M3 q G0 r0 u O
支援DDRII 533/667/800/1066等规格9 n5 M m: q" \& d! u9 u( T1 c
; S, b- R: G; V4 L![]()
' N5 j% W& \4 V1 q3 R3 A/ J8 k
. X6 u/ ?7 I% V/ Q: `1 L
. h9 n3 n+ z: A! k+ M2 P主机板左上
$ E" g% V: m) v9 y& T; j处理器周围使用六相供电
* ^& \% v; [3 N9 M9 x) p3 c9 D3 R9 C
![]()
3 v" H/ C0 f6 J4 X7 W% w1 m7 ~. K1 J1 o8 h
. q9 n' ] Z1 C) A. }
IO装置5 H' i$ P/ j$ m8 }; Y
" S; }9 M+ O5 N) |6 n
![]()
2 d, w: M# D# r, }1 D+ j+ K) @( r/ c9 |- }' J, |9 Q) ?7 H1 N+ @
+ G, X V. {* a! W北桥散热器( Y/ x! W2 X7 N9 J
P35承袭Intel晶片组特性,温度不高1 P% O) k! R& j- O+ S( I" b
基本上,这样的散热器已经足堪超频状态使用/ I8 z7 N2 X4 I( V; J, O
/ p0 \# F8 X2 V: F$ _+ p
# ^) e# E0 Q1 Y8 P6 l1 y) ^- k
- R0 ] S* P1 V6 j& s
" w. ?) a! f5 a6 N4 X开机画面,解析度还不错 \5 P* f9 z) V# p8 [
% A& K+ M: G' I1 {
![]()
: u0 M+ e7 Q( y5 B' Z
\4 L' |; o2 L, L
+ M1 u5 g) q! [ }& L; o% F) a( P: g0 L8 fBIOS主页面
/ A: j' L0 W. A6 `+ Z7 l* I此画面下按Ctrl+F1跳出记忆体的细部参数可供选择6 N! y5 @+ ^3 D, R c8 |/ h8 e
5 _' K: X1 C h; s* r![]()
) `" f0 a1 U' {) W0 P R0 J7 c9 e& I, G, g
' ]) m; ]* P |$ C ]) H8 @" J# D0 w
超频调整页面5 C) j; `6 f: f. { h" o/ j
6 ^7 M* u( j2 H7 A
![]()
& p4 J' A* A$ l
5 l! S0 F' W+ n9 h L! s D: P, c" P' H) e
$ e* A( u: Z) C; D& L( I
; V! ?/ ]; S* a( m cCPU外频范围
6 j8 j9 |5 u4 M! ^8 G4 q& w0 h! |9 J$ d) d: G$ V; [
8 g7 K5 L' |( \0 j/ C
5 J- m% T/ s$ L' E, y% K, Q
2 y6 s+ _) c7 n& K& ?5 N" d
效能分为三种模式6 Q( g4 z9 {: U) e
* R& B" P4 [+ A& V9 d8 u
+ Y4 ?% H' k' V% Q7 l4 J
* l. X- s; t% o6 o3 J: a+ N0 E3 f4 A: C
DDRII除频比率
; T$ N" Q- p* ]/ ?+ D! N: I' x* F
% o- @7 B1 G7 X& ^. a3 [; O![]()
. ?* X& C8 a$ ?+ K! D% I2 b1 ^: L& M6 R
! B i/ @$ A* e$ f
DDRII最高可加到1.55V电压
1 b2 y$ o" x5 i4 r0 x7 X$ |也就是1.80+1.55=>3.35V+ X! q2 m- m9 k4 }5 {! x
7 c! P2 R+ _, g! P: | + n6 j. D. F7 H5 a; C, `- V/ h
2 m( w( }# Z4 u) N8 N# s4 T" B
. u5 v8 I: H8 gFSB电压2 C- ]* ^" k% ^: w R+ m9 f( Q, k* D& K
4 {9 w- ~1 K2 M4 T( P![]()
3 j9 G" d4 t% \9 j# d
' `! S- q9 L1 {/ w; Z) D! T! W- r; c4 ~% q8 g
MCH电压7 q+ Q9 v5 y6 d2 A% s8 ~8 ^) O8 W; m. x
8 c0 r/ ]9 K" q: p. h% O9 l7 U( o
![]()
" j1 S, w1 e8 G* p! F" ]: z7 u' T0 H
! U! T8 U1 k8 T$ _3 m2 o+ ZCPU电压
f; C: p5 v1 }, R4 q最高可达2.35000V& M! [' C. z4 ^+ J$ h4 Z
! H8 r9 Z. W6 n. z 3 l) i2 a: k; A! e
@3 i( P' }8 L) V# e' F
( U: |9 ?0 U& ], \, R0 @$ ~ ^
PC Health
+ f6 K$ N9 E/ K2 j% \
: c4 I1 q$ \* [4 B' q![]()
! C+ e* @, C, M" A8 S8 V' w( x1 ?
5 B) _; E! Q H! t: W, b5 m3 B! J! s* c* @
7 M% S* S: @3 d4 ] c& R6 M% m' B( k测试平台
1 n7 }4 o2 y# X& {% @CPU:INTEL Core 2 Duo E6850( ~! L/ f+ j' t8 w. K0 ~
MB: GIGABYTE P35-DS3P
( ?9 H! e0 L K2 [- E7 d3 VDRAM:CORSAIR Dominator TWIN2X2048-10000C5DF
/ C% |9 V( R+ |3 @. a$ B: YVGA:MSI NX8600GTS-T2D256E-HD-OC
/ W, }5 u$ B/ C9 r, ~1 GHD:WD1600AAJS 0 W4 z, f. H4 S# I* f" T
POWER:Thermaltake Toughpower 850W0 ]7 G; G9 `& h9 C! H9 R
Cooler:Thermaltake V1
1 W0 n- F* s+ p# T
# H- o- `$ g8 d; G Z1 g6 ]/ F/ z![]()
. D/ Z1 r6 _- V: S0 a: u0 \ N0 v% g% e" Q1 \
g8 V: J/ W* c500X7=>3500Mhz 晶片组不加压
7 [- Z c& d; i! V" Y3 `/ USP2004起跑5 a }# q$ ^& ^( ?! l
3 }6 S6 x+ o4 G. T( ?' [![]()
$ I' R$ Y" n0 j9 B
8 E) w+ ]. P) b( a% p2 w/ o- c/ n
8600GTS预设时脉$ J+ y: I/ n" u7 H v* A8 o7 r
8 V: ?2 Q3 n" I2 {
3DMARK20035 {. J& v' f, r
/ e' d& q$ U! r# g' ~ q 0 M, X. E0 n) c0 T7 {4 R
$ O s2 O; j2 v0 h3 h. G9 B3 v
9 ^2 Z* o+ e% g5 f( i) v. e
3DMARK20053 E4 A9 Q2 s* ]$ \5 A
0 j, d6 [: @( l! e: ] + Y# q! [0 Y/ g, d" V
" @; l8 X, c, @! Z1 L( j$ B/ \) J2 l$ M# W! \4 p0 ^8 I$ K! q
3DMARK2006. D! F9 c9 s2 F; u! B7 }3 a
+ M6 @9 y9 D, O4 Q![]()
7 \$ a4 ^- i% r6 U# g/ o1 L
8 @: Z$ }) B6 s( r) O) T+ p7 T v$ q
DDRII 1132 CL4 4-4-9 2.3V" {* ?5 W* H7 t2 |3 u0 q$ ~
Sandra/EVEREST记忆体频宽
: ^' W; [: C9 A$ q0 r
) S; w* L9 |" H4 A/ w0 m9 l![]()
2 E1 Q* p2 C5 C6 ^! |1 v7 L* E/ H* ?, W8 I) Z w% E7 [
( x% {7 f6 U5 A) G; d
DDRII 1250 CL5 5-5-10 2.4V
5 H$ H5 r% Q3 R0 [2 aSandra/EVEREST记忆体频宽3 g) {* p4 V5 f
6 ~8 l R6 a( L5 V- C; ^
0 ?- r4 P, J8 r" D: M6 _8 g/ l0 [# c- y8 d5 Z( n3 \
2 `1 O& g$ {- u8 q
DDRII 1250 CL5 5-5-10 2.5V: S6 P$ m2 p) y/ ~
双SUPER PI 32M
1 l! ?) p. v3 n6 s% T7 V+ N$ v1 F: N, m5 a
0 i5 H r. N3 x
+ _ n7 {' C5 v8 o6 J/ V. x6 p* x# u
500X8=>4000Mhz DDRII 1000 CL4 4 3-9
9 g' `* g/ y( ] ^! |, `Sandra/EVEREST记忆体频宽9 C% H! q* r+ }! C
! c) \" `' U9 D" b$ ]1 _* A0 a3 g. _0 w
6 {$ r1 T/ t2 _
; R1 B( A4 m; Z, M2 Z. k; @, y
; U; U+ t2 q1 R1 R0 `* b4 {. ^
SUPER PI 32M
3 i9 }+ P( [4 v) J" Y& h% q- T6 T( |- L+ g9 |* `1 J' v
![]()
, e+ b0 x+ q+ I0 ?. q; V* C. c/ C. ~, {! F3 D
( O9 ?7 N; r& \* Q2 Z0 j四核心 QX67008 l/ r' M; s2 [( x
450X7=>3150Mhz
: ~+ d7 X- x6 P: p: S四SUPER PI 32M' X9 L& ` z+ |' b
- ]6 U" W0 Y; v4 m/ L0 e
* ]9 m- P7 G7 K4 E; U2 C
3 {- {5 Q0 F% D$ Q' F
) u* O% w: k" t9 J% [9 V- CGIGABYTE P35-DS3P/ n& d6 d$ f: N* M
9 q0 g' v9 e/ D5 ^优点
( A, [0 R/ @; C1.全固态日系电容.南北桥散热器质感佳.产地台湾
2 T8 R' O6 a! s( B: ^# k# c- l2.BIOS选项众多,电压与频率范围也广
# L3 ]7 a9 L: p* i; Z* e3.可稳定达500外频,体质好的CPU应可以上到更高
1 V7 J% D4 M3 K5 T7 w4.DRAM方面比之前965系列表现更好,可达DDRII1100~1200以上的水准8 g' i! N! l/ _$ G5 Y
5.以此用料与超频能力,在近来几款P35中,C/P值较高. U( s! t- f! z# G' s
, M9 S- W) }8 I2 E6 ?0 A5 `* S3 Z/ Q0 e$ |/ V, n" A$ K9 P6 S3 V% k
缺点4 E4 ~) G# l0 G6 r4 r& F [% d8 Y
1.OS下EasyTune 5介面图案不够精美
9 J- ?3 S- H: R2 Q2.一样的CPU,双/四核极限时脉比它厂P35低6~10Mhz
, K4 ~% O7 o! o5 B5 ]4 t: x! E( F" h/ y6 k. i, ^1 r
补上一点,在北桥背面也有附上散热片来补强
' q# J, C: \# e: @9 ^/ o8 q& U与先前使用过的GIGABYTE 965P-DS3相比较$ R o' G2 w; u/ c
GIGABYTE P35版本除了有更好的用料.范围更大的选项与更佳的DRAM超频能力等等改进
5 P. {( L( _( XIntel新推出P35晶片组各厂争锋下,GIGABYTE P35-DS3P拥有相当不错的性价比:) |
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