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Intel刚发表的新系列晶片组,分别为P35/X38两款. C- j! S, K9 o: ~
很快的三大厂也在五月份陆续推出多款P35低中高阶的版本4 C2 H" q( i4 a9 k. S* k3 Z
7 y" L( k3 O3 U% V& @4 t
这次主机板是GIGABYTE产品,此厂往往给人的印象-用料佳/价格合理来取胜& F! R& u! C- ~: @' x" _( R0 I
但是也有作风比较保守的传统,在超频与电压方面较不擅长
}5 b1 u1 W7 I) A; Y5 T8 ~9 Y0 P自从去年的P965产品后,技嘉已经加强对这方面的不足
" V2 W6 Y/ g. a2006年的DS3/DS4/DQ6三款定位与市场反应相当的好
# d" A( Y# i! H2 {" p9 a T; J" K- o! c" O- t% ^2 [
GIGABYTE P35系列也一样照这样的市场策略; I- t$ T3 X( n5 ?* N& O
主角名称-GIGABYTE P35-DS3P,属于P35系列入门的版本/ m. r: W9 [. {
# _* h9 ^0 A6 j' ]! T' N' C7 m# p
外包装% X( J7 _. J: }" L3 n
7 l6 j: R, `. Q) e/ q
0 M( M% b0 H5 t6 t/ K/ T+ w5 I
+ E5 H. q# W2 X& s6 Y1 z( [5 C# i; N/ p+ b9 k8 S. c
* X. E4 U1 W% i# [2 W5 d3 t
内附的配件
8 {/ K5 X: N4 J5 F0 i附上一个PORT有两个SATA装置,不同于其他家把eSATA内建在后方IO9 z" j5 d4 a n
& ^ P- h) x4 I, Z$ L' h1 f0 p. m. g
1 E' }+ F. K- V
8 d5 Q% N q4 K& ?7 F4 g- {) ?9 ?" v* u. F+ z! O% @
P35-DS3P本体
& x9 a! L8 ?; ^全日系固态电容,产地为台湾
. R7 B8 @ ?: k- f
# O+ \& M, G3 ] h' B 4 Z& l2 ^+ j i" m5 c$ u
$ N* Z0 u, b9 ~) C / Q7 i% F6 m7 e( j
) e/ M4 V& S* L0 g: _6 T- }
, o5 T& S0 c6 R( T1 P. J' e主机板左下) s6 m# c5 O7 y. S6 `* Z6 U
2X PCI-EX165 |4 Y4 x t, {
(执行CrossFire时为16X+4X)
0 A; }7 Y9 Q% ?% I4 w3X PCI-EX14 F1 ~* F# u* }
2X PCI- X2 Z' T7 \ J8 v% p2 k
7 z5 @ C: M" ?2 y* T! T
* L# |2 F0 |) ]" b( X
( L: S8 w! M. j
( ?! x- _" z' H# ^. K" E主机板右下
# ^4 v S7 o8 ]7 t: rICH9R加上外接的晶片,支援高达八个SATAII以上
" U9 s6 b! L$ \$ Z南桥使用接触面积大的铜散热片2 |4 l! u( j" ^3 |
; e+ G; a; a$ M, z9 U) D2 q9 m& U
![]()
# R6 `! s- C# {9 p% L5 D5 C: g7 {' F, q2 V* ?8 [
9 M+ y3 S4 m/ l
主机板右上! _5 f* Z1 p) j- G4 g2 Z2 d
四个DIMM DDRII,在DDR3价位与效能尚未成熟前是较好的选择' Q! n6 P- d2 }# r. M8 Y- g
支援DDRII 533/667/800/1066等规格
! G% r" K) R: j2 r* B/ p8 d0 r2 _" ~3 W
![]()
4 t/ s2 a+ G$ S1 C$ [. L! ^4 |. X# e: V5 L) o
9 A X# j! d, S* Q9 z
主机板左上
3 ^' F( |4 m9 Z4 h* M处理器周围使用六相供电
: U F+ C& b& L/ p6 x+ a- l; [/ Y1 Q% x; l( W6 U
1 ]" q* K# q; }/ k% M
2 ?, l' ^/ s' L+ X
2 x$ E* n0 s8 FIO装置5 f& y" P# H' w. W
6 n' D" z6 H i8 @6 w- h; z
8 V' M& B/ n7 v' A
( X6 ^* ?. N5 [. }* x& C2 |4 e2 Q9 f9 Q- U7 S5 }( E, X. i" u7 v
北桥散热器% y$ h- ^5 z4 N- S
P35承袭Intel晶片组特性,温度不高/ f, k6 n: U" _9 Y7 O2 N) s
基本上,这样的散热器已经足堪超频状态使用
4 V |1 N/ m: x
- U* J6 y/ Q" [ ! f9 ~5 |# |* i# o% @) S$ t
5 G" F7 m& J, C# q7 A4 _* T" r
& B, Z5 n$ k( m X3 {# `
开机画面,解析度还不错
: \: d5 ^5 N: A& A3 n8 A2 ^1 k: b# a5 M! i" p- v
![]()
2 W$ D; t+ n% U. ^2 P) h t& i7 ?% ]# F0 A4 R u8 R$ ?( i
% e% p. G7 _7 W1 Y+ }/ d2 v1 pBIOS主页面/ K+ B& T5 b6 c
此画面下按Ctrl+F1跳出记忆体的细部参数可供选择% C& u A! T1 Y+ n1 n9 ]4 \' @5 A
9 O5 f* J4 Z1 q" m$ D5 j% V & D% [$ ?0 J5 s" I+ |3 |8 U
4 P+ k( K; f! G- m2 F6 B7 @7 S6 B4 \$ s1 D v; C
超频调整页面
9 }, h9 G& f' \" t5 h$ h
- q- s$ l% a; Q) T![]()
- z. J$ j ~0 q' V# K9 Z2 k1 H7 A: D2 H7 C0 z
, c) z3 v' Z9 b/ N1 N. e; D! V
' R/ l: o; C& j4 k
4 e# {, g+ L8 ]7 _' h2 T6 z% D
CPU外频范围
. ^0 f2 ?( f( A) Y+ Y
& p, m6 _, ?; h/ s+ |( Y# o![]()
" x% R0 @1 q8 M" m9 G* ?' L7 p9 x: M5 K; A5 [) u8 C% P8 I3 a9 I
4 v; | r1 X" z( o; r6 `4 t* H3 x1 N
效能分为三种模式
+ y( i# \& q8 x+ p5 P. B1 t6 `& H4 \* ~ E3 z i) ?% @3 T5 [
4 W9 g7 Y5 ?0 y+ B( I/ Z
9 {- ?1 n5 C4 f9 Z* ~; M8 U
& e2 M" @. |" r6 x4 t3 M! JDDRII除频比率
, }* H+ q( _- }- j, o( c( ?
! y6 Q9 O6 B v+ O+ n4 ~! @![]()
0 e! s+ f V1 V% F3 H5 F! n7 S- m
$ E. N' B3 k" k; _1 n% g, a) R1 ^0 v% v. w' ^
DDRII最高可加到1.55V电压
. n0 z+ o4 B) C1 ]* \3 I也就是1.80+1.55=>3.35V
7 G, h' g ]6 L! p S+ d5 n
; W3 B/ T: c! R5 { 1 i% R ~: W6 i& D
/ [1 m k- @& F
6 s6 P% G: Q3 D. r- T q4 o' E4 yFSB电压1 x; |! R2 k; P7 ~
" I1 z- w) R: [- v( d/ e" v $ c z3 N+ v2 B/ f9 b" E2 Z* \
5 r8 x' j) E% w0 X4 _
t' G( h' ?8 w/ d% VMCH电压- o' l1 R2 [; c$ k. F, ~
, X7 K) f) J1 J2 Z4 m3 d0 \) {! n![]()
1 X4 x: v7 o6 N; R; h. Q
: w+ F' L& D5 O$ V1 A1 g1 P3 K: S! j: _ r6 c* m1 G1 A
CPU电压
) c+ d1 j6 r% W8 w最高可达2.35000V
* M ^# ?2 W; _6 f I* z
e) S& N0 |0 k. f9 I![]()
: b) v7 Z3 P7 Y* u: w- C& ^* A0 i
5 R; [6 Y a( O& M1 G) u' K9 `. }2 D0 N9 l2 W7 X
PC Health' q) e2 O, A- @5 X1 Z9 ]! p, o
" c! p# @9 p! ^, m* }7 ]![]()
* g/ L* `, V# w+ P+ l
" ~6 R3 J( q" |& L8 {% C; J, r1 L
测试平台, k3 R! y6 S& i
CPU:INTEL Core 2 Duo E6850- h# u% w$ e5 T
MB: GIGABYTE P35-DS3P7 \, h% x: F& N1 G0 ?. T
DRAM:CORSAIR Dominator TWIN2X2048-10000C5DF
5 f* R* I5 T8 K( K4 l6 \+ xVGA:MSI NX8600GTS-T2D256E-HD-OC
6 U! L5 E; c% R: H. x6 W6 ?HD:WD1600AAJS
- F* A0 G$ A; {8 @POWER:Thermaltake Toughpower 850W
. O8 R, r: J* N0 S, uCooler:Thermaltake V1
, X0 w' ?8 F- z( H+ u" S$ l$ p# } r3 r
1 M+ O: d9 K9 T! }
$ y) n$ e4 M1 `$ h r5 Z1 J! A
2 N6 t0 p* _& i0 t500X7=>3500Mhz 晶片组不加压 h/ X9 m, v! m
SP2004起跑
" u, k: m8 Q6 W7 r5 u! j' p$ E' |" O
3 v0 y$ H/ G. ^7 d
3 q, z; i. k8 m6 ~
6 R3 g+ U/ j& E; a! P. Z9 r8600GTS预设时脉
6 T( A9 k; M: p% g& ^7 m, c9 u
3 Z+ o/ c) N, B8 U3DMARK2003; p ^0 p, W9 |$ ]
' V+ ]# W5 E7 X5 [+ L 1 {+ V3 x$ ^/ d3 C2 T
$ T9 g) X) i+ C" `# n! k0 A1 f1 L$ Q0 a
3DMARK2005
2 ^% M6 o( X' a: w7 o1 ]( @% k' F, S1 X% t& `$ \9 }6 Z2 A c! f4 Z
) ~0 n3 p& U8 F8 R: d2 g
8 y& Y, H7 `/ z8 P! L$ p/ T8 g3 i7 H: P2 r8 S0 b
3DMARK2006
, O0 e& W+ s( J t8 @! G
" P2 L: o0 U& ]. {6 {6 N6 k1 y9 d" J![]()
7 ^0 s. b8 o! l4 I2 f5 e$ \7 n* r" }3 s" E% ?
1 k0 [) R9 k% g/ zDDRII 1132 CL4 4-4-9 2.3V
5 S# z2 Y9 a, SSandra/EVEREST记忆体频宽5 R2 I8 _. e& E
: Y8 w8 x! }7 E w8 z+ ~5 I: P& L. R ; }0 ?0 W8 h. } m* }1 A
6 K1 C5 m$ u$ H% O: `' i
/ O! v. ^0 t6 Z) R
DDRII 1250 CL5 5-5-10 2.4V
& e' f P/ X e' USandra/EVEREST记忆体频宽5 O9 s# ^, S2 A
; l5 Z, o9 {" O C% U
% @; O" N% C" L/ C/ ~# c0 x
, A I' V8 E& o- P2 V% Y
|8 V) U6 G/ \# W7 }. @) CDDRII 1250 CL5 5-5-10 2.5V
2 {9 c1 ^ a9 ]4 G* n双SUPER PI 32M4 l4 C6 q* n8 z* o/ T. K
5 x$ I4 o2 M, h7 p' ^7 Y
![]()
8 N% [) B% ?- f- z
* j/ I, X+ ]$ ]" C/ g
% h( _ ]- H" n; \500X8=>4000Mhz DDRII 1000 CL4 4 3-9. ~5 e# x) z' m7 W( ]
Sandra/EVEREST记忆体频宽
* w8 o. S* B8 h: ?; F' Q
: @) K8 S% O! x# p 2 d u) |# C$ w1 {8 \9 C
5 A9 Q3 h. @) b. p% B: r6 `- |5 {5 p) b
. X* W. ^% {4 ^/ i$ E1 b- ?6 USUPER PI 32M+ A b/ J) B8 ]: L1 b' [
0 [7 e6 ]: o; D/ h7 S ' p k7 C1 W3 \) {3 ?1 z( Q
' f" Q, ^) l4 a" h! p# t9 E+ q* e
! ]" I9 a7 T* b' {# o! m
四核心 QX6700( I4 O5 w J9 g: |( i- ]* x
450X7=>3150Mhz9 Q& n- `) o( E6 b
四SUPER PI 32M5 a4 ~) V" Q6 ~" V8 Y
! _: w. r3 D7 j; Q6 d
6 R' H) ~3 w- U I6 H% b
8 ?2 H; J |6 o) d. g2 i& `
+ k/ \7 d4 E, f! jGIGABYTE P35-DS3P' }! x( A% W9 g2 M/ c9 a+ T; J% N5 ~
; [. g# T' ^6 \; ?; r& Y& E' Y* Z优点
5 i4 T1 F3 @1 L2 n% V- w2 J7 B/ x; ^( [1.全固态日系电容.南北桥散热器质感佳.产地台湾6 s$ a* P6 |( U: H% d4 [& a2 Z
2.BIOS选项众多,电压与频率范围也广$ ~6 E, r! b) ~0 Z$ |, h+ a
3.可稳定达500外频,体质好的CPU应可以上到更高
p" u' ~) N; v' ?7 e4.DRAM方面比之前965系列表现更好,可达DDRII1100~1200以上的水准6 ^; M( l Y/ V' S& y6 L1 C
5.以此用料与超频能力,在近来几款P35中,C/P值较高
1 u: h6 r/ J Q$ ]# l4 t; D% L0 }, s) L0 Q
* ^; F: Y2 G6 q9 d缺点0 Y1 X& `/ p G, x3 ^
1.OS下EasyTune 5介面图案不够精美
) V# H( k6 K7 u$ f% q2.一样的CPU,双/四核极限时脉比它厂P35低6~10Mhz
( p/ E# r8 a# V
% U% T2 t! x3 p3 t4 @1 @! U2 ?: ?, W! z补上一点,在北桥背面也有附上散热片来补强
5 r8 E3 \( @5 i6 g+ g与先前使用过的GIGABYTE 965P-DS3相比较
) }5 K/ @$ M9 N F cGIGABYTE P35版本除了有更好的用料.范围更大的选项与更佳的DRAM超频能力等等改进, n$ t- o: C u( D5 `
Intel新推出P35晶片组各厂争锋下,GIGABYTE P35-DS3P拥有相当不错的性价比:) |
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