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Intel刚发表的新系列晶片组,分别为P35/X38两款
) R$ O! m# R# v2 X+ ~, B9 ? K很快的三大厂也在五月份陆续推出多款P35低中高阶的版本
* B" p5 L" V7 S: S n5 r+ n% d8 F$ O1 |
这次主机板是GIGABYTE产品,此厂往往给人的印象-用料佳/价格合理来取胜; l7 P, r/ d1 k' }, S# Z. `
但是也有作风比较保守的传统,在超频与电压方面较不擅长9 n/ c4 s) }; ?7 J* M7 r9 b: ^
自从去年的P965产品后,技嘉已经加强对这方面的不足
, ?' Z$ ~' V4 e# M _: _" s; a. G2006年的DS3/DS4/DQ6三款定位与市场反应相当的好
d; d4 ]1 n' Z/ P2 s) B- j% x; D2 T r7 j U
GIGABYTE P35系列也一样照这样的市场策略0 Y0 v f$ k6 ^# X! F$ e: k9 Q$ \
主角名称-GIGABYTE P35-DS3P,属于P35系列入门的版本
; p. b. `+ `# P7 t! D L* U6 f$ ~6 ~' _# N+ U2 v, R
外包装: r( P+ ?% e+ _1 \
! U$ }) V6 p- s6 R* O
![]()
/ o/ O! U, t) a, i8 c1 m- X- G" Y. `( B7 p/ W) g
' k# M) E* Y, I0 `9 P: C& d& H) Z" v x2 X: W3 F4 A
内附的配件
5 ?, u% Z' r( x9 I3 M附上一个PORT有两个SATA装置,不同于其他家把eSATA内建在后方IO! D7 \0 |/ v. Q' r
& Q3 t& k+ v( o* J, J" u$ q9 O E0 M9 k3 Z3 S% {- ^2 U6 R1 ~
2 @: n/ j$ s- X, U- U8 h7 E
8 Y+ ~2 Y! b+ o0 U
P35-DS3P本体
" A1 k! \- @9 G7 q全日系固态电容,产地为台湾
4 \) S+ T7 C5 ]2 G/ I( K* J9 q
![]()
k3 L0 ?& h d- ]8 b' A2 Q( m% O) J$ a% `0 U9 x
! c6 z# H" L& l1 A
! m% w! F' C7 x0 x; Z# e
$ E* n. V$ `) P
主机板左下8 X% i0 z& K/ ^# Y( h6 p: P( |9 i
2X PCI-EX16
4 l- z) }. ~9 M2 l6 D5 L(执行CrossFire时为16X+4X): g$ `) b4 Q6 I( C
3X PCI-EX1
% d; x& d; l6 U/ R2X PCI$ V3 R% V# ] }# Z9 S% Q
8 Q2 _7 T; [' Z
9 L2 l- r1 a$ j2 }* f& u
& k7 _" c; M8 G
& Q; @4 ~& w" C8 I2 Z8 E3 Q: ~, {& Y; P
主机板右下- M& \( c% D- B1 z$ i$ i ?4 }
ICH9R加上外接的晶片,支援高达八个SATAII以上" V& l( b1 {. Q# c0 ~' `% K
南桥使用接触面积大的铜散热片' C. l( ]% @& m6 \& J$ a! m% O
Y# l" x* }7 d6 m, Q3 J
![]()
( G6 m8 V: x( ^; W0 K5 D: M' F9 E% H' `: n
+ s5 a9 M) D7 C9 Y, r
主机板右上
8 W$ [1 E6 T7 F9 g四个DIMM DDRII,在DDR3价位与效能尚未成熟前是较好的选择! U# E3 n1 {% x1 ]; z
支援DDRII 533/667/800/1066等规格' U3 w% E; S+ h7 M4 Y
' e1 B Y) Z7 x9 h; V 1 I: H: Q/ [4 N7 V& ?4 Q
& d6 A' |, P% A) ^) r+ u; {* S
" _. ~8 B. y# @) E主机板左上* o/ B% I3 ^+ i& T' j; A) ]
处理器周围使用六相供电0 L) g( Z9 B. M1 {2 D: \& Z* I
9 ?7 f9 q- e5 c' Y! D9 i
![]()
6 M. Y) R4 j7 B+ F2 d' E2 `* M4 D8 e: h
: u; R) g% C% S6 XIO装置8 X1 S( A+ O |% A
# H$ N) Y, S" y* i! J: e ' D6 x d$ ~% Q9 A0 W2 w
! s) V4 G: T3 M8 A
. Y2 q7 j& @4 D4 b$ B2 e1 b9 O# ?8 y( L北桥散热器
" h# j) f+ D/ U) RP35承袭Intel晶片组特性,温度不高
]6 Z6 W' `1 {' r( _- N( y: m1 N' l基本上,这样的散热器已经足堪超频状态使用
/ [" s' |+ y+ A" }4 x. X! S7 ]' ?2 z2 ] x9 E2 a* }, g- F- X; y
- o; ^2 `6 [! S8 C+ B- {
) @1 j9 T, B9 i6 i; E2 @
4 q/ k) P( o; a: g开机画面,解析度还不错9 d0 A' \. V& N' l, j [9 `
+ ]/ ^8 f0 z2 g; `$ B* m 9 y2 x+ E" v" Q
. v5 o6 P& g& I$ ?4 ]4 y% D0 V. w ]' ~4 a
BIOS主页面* j. e5 i9 Z1 [ n- o* S* [! P
此画面下按Ctrl+F1跳出记忆体的细部参数可供选择
3 }! [( O) T) `6 b. n
% d; ~0 ]* @8 l![]()
# a2 K% z, F! h8 w( P& v7 a1 k6 F2 n
" p) Y$ f, a. c0 t u% x2 R4 [: y9 r
超频调整页面9 n; y( a$ U" v+ ^) ~7 z* \. H
$ `- T8 M, c7 l# V S * P% p- L/ `5 s3 Y. u, S3 a
7 o% H8 r) k8 A0 k
) x5 O* n4 k$ U% C- C+ F0 _2 B6 ~$ C0 R
# M' z8 W! ?9 T. O9 m
- R; J! H8 `( g6 L: t8 x
CPU外频范围
0 ^+ }8 I, I. k8 @
1 y, X; P+ A1 ? ( X$ [) m2 K- \* D
S8 N1 J. g% [& ?
4 [( A: ~* T U- S! f% O) E效能分为三种模式5 h% T" X4 s3 K; I: |2 S
6 p2 `, i8 M8 n# d) n
. f; w) l- g4 t: r6 A' K
9 ^- Q! y' X* x9 w- N
$ n% Y; ?! ^. n9 {8 [8 }DDRII除频比率
8 n8 H1 G$ |5 G' y [' c `' b
+ r, ^1 `$ y8 U7 |: k 6 z3 ^! |/ N6 L
0 A5 F6 \/ m x0 w) L
) n4 Q, Y, L4 Q8 n
DDRII最高可加到1.55V电压2 H( x9 U* W# I# C$ s3 ]4 m! A- Y
也就是1.80+1.55=>3.35V
' [* c" J! B& p x5 Z7 C6 R$ a9 G$ j' Y; ? W# W
1 k& r2 c" s0 T/ @7 R! D+ \
! {/ c* H9 t7 m6 H' }7 J* J2 K
5 a: Q& [. n# I6 L' _FSB电压
2 J! \# D/ Q7 ~' }8 Z* ]# t# p( H+ U; F' R( _7 G: p
![]()
& V: ?, H1 X6 \/ `/ c/ I
; ~' Z E9 w8 `$ u4 u0 }- G! M1 ?( t! h8 ~
MCH电压" p# B( z$ t- g# c2 j
2 @! [- w: P7 e. ~& C![]()
, K$ o3 n8 l% u$ t2 F" x* ~/ c6 k
r# L+ N6 L7 ^% CCPU电压* z6 m2 r1 |2 ]* o; c* N% j/ b
最高可达2.35000V* W, Y( g+ v- w- g% [- T
' n' g( H/ x9 T
![]()
! h0 F: V' C* m5 w' N0 B2 u. ^: a# E, t( M% a1 R# i u* {
5 G7 I/ v; s/ B! X4 |
PC Health
; S0 d0 t) W/ w1 n8 X8 [5 N' i( w
- N- M, k8 e5 Q ; ]1 M) S9 s# _0 o7 U g
& x) t8 H, p2 q2 o, L; N0 |* Z, d) d, ~5 A) d9 F- q+ z- v
测试平台
6 P, d5 Y8 p e: a! QCPU:INTEL Core 2 Duo E6850" z- }! z" R1 h7 p U
MB: GIGABYTE P35-DS3P
8 d+ D* b& o/ w* y! dDRAM:CORSAIR Dominator TWIN2X2048-10000C5DF
8 o2 [, W8 W; L! U+ Y7 s5 SVGA:MSI NX8600GTS-T2D256E-HD-OC ' q2 F9 b9 n( S
HD:WD1600AAJS
7 b. e8 I) a) i! M0 P4 Y$ M- vPOWER:Thermaltake Toughpower 850W
1 p5 F7 {- C. ?/ O5 V, VCooler:Thermaltake V1
) g/ P+ p9 o7 ]% U, i9 p; o* V$ G b$ b$ Y, {
![]()
+ C! p# f8 w7 \7 a( z: @
: q6 B% l0 ~* u1 r3 a5 B
6 c, p* J1 |; E2 v' N. ?. {- W500X7=>3500Mhz 晶片组不加压
( \3 {; M$ [- I8 x. dSP2004起跑 f, M# i$ @; u- J9 Q8 m' f6 v/ A
/ M5 |: l0 {5 L) J 3 O' F; D7 E8 x- g" S5 R6 l
9 c& a3 k1 M' m- ]" `, D( S
( }4 m) }3 j3 h) ^3 T8600GTS预设时脉
; N, m% A0 z3 o1 J& j4 N; }1 D T0 {! A: p
3DMARK2003
0 e) ]) `8 T) U0 C ]. e& K) w$ |% `. T5 g. |
![]()
3 ?! r8 G. f4 y& e- W
6 B4 u; j$ ], q$ J1 r" Y0 H* A: i7 j8 ]4 W+ B
3DMARK2005
3 b. c/ u7 ~" I- w$ \ S9 B% c- D9 g& W5 t4 k) o
![]()
: N" C! u, l: U+ B
% K( B6 y$ j. \! ~( x4 J# s* K( i1 k6 T" w. o6 C
3DMARK2006
* `5 f2 H, a" J1 E6 a4 D
+ `/ i! T7 |4 h![]()
|- S' \* J1 S8 u" E* r8 {0 O# v7 m, B5 a! ^ u2 X
% A7 j+ z$ ^2 _" M2 ?9 r0 B! E# @
DDRII 1132 CL4 4-4-9 2.3V: n% T P6 v0 v6 U* ~$ b0 ?( V( F
Sandra/EVEREST记忆体频宽
" }' v* q% d: Q/ v5 ^% }. I: T: b" d7 U# G/ P: e. u* g
![]()
; x Q# ]9 v# D! T1 ^" J; `! ^7 Y$ M5 x
) o' p' x( E! d- A: `) a; uDDRII 1250 CL5 5-5-10 2.4V- H7 x. i/ t' D( n5 _
Sandra/EVEREST记忆体频宽+ d' ]) E. `4 X
* F( |3 z o- C; [
! ]( a% h* N9 L+ E
/ U; z. ~8 v, w7 {3 n5 |. Z
4 |7 U+ r% Y4 t0 f% v0 eDDRII 1250 CL5 5-5-10 2.5V
1 h Z4 ]0 Y9 N" y4 m双SUPER PI 32M
3 m7 k m1 L3 Q" u. H* D0 O8 f# i7 a: i6 Z" u0 s# ]6 K
- F) s a4 V7 r1 T- V
) G' m( ~/ V- m% g! {2 r! ]2 G; y/ d6 l) C ?: x+ X
500X8=>4000Mhz DDRII 1000 CL4 4 3-9( d1 m8 M+ P! h5 S
Sandra/EVEREST记忆体频宽
- D: i6 a6 o5 ^
) N" K; S0 R& z) B * C" |5 H. t/ s1 W
6 ?* J' w2 \/ K S
5 Z1 F2 | E7 o- ^- pSUPER PI 32M
0 F- o# _) \4 j. Q0 `6 \6 Z. \7 H( q, T5 T: r) E, v9 A
![]()
7 g4 O; `& H9 o0 X! z7 `6 S$ c( s! N; M. a: l
! Z3 E- l# D; M! ?: g7 f
四核心 QX6700
6 T6 v# ?2 E9 F450X7=>3150Mhz0 N; f+ @+ @) k3 q- p- p
四SUPER PI 32M
2 G4 u5 y- g# A. H5 m; ]0 P
7 \ i7 E# O, r* o. |![]()
& `. {: J! y C1 E0 |
0 l2 Q$ ]0 T& u4 h! u2 Z) \ L% E* t# }, [( M; B3 D
GIGABYTE P35-DS3P
* V. {# a4 M1 J5 u& y3 L- K+ y2 p& _: a& l* D5 ~/ k
优点, l4 e( a' y P. ]
1.全固态日系电容.南北桥散热器质感佳.产地台湾5 I3 t4 A8 @& O8 ~8 z1 @7 |
2.BIOS选项众多,电压与频率范围也广
3 ]2 H8 L/ ?7 A$ ~+ }6 X+ f0 M3 E' Q3.可稳定达500外频,体质好的CPU应可以上到更高
6 `+ [& Y: s0 u1 k- K# d4.DRAM方面比之前965系列表现更好,可达DDRII1100~1200以上的水准
9 u3 a1 }) C/ Z3 {) O5.以此用料与超频能力,在近来几款P35中,C/P值较高
* r/ D& _8 I4 K# V2 ^+ H
0 `) ] E3 W4 L. N8 A7 O+ Q, ?% S6 q9 W& r+ f1 J
缺点
: L& F" d- R, T1.OS下EasyTune 5介面图案不够精美
0 f. ?& U% R ?4 k' x' G" Z/ R2.一样的CPU,双/四核极限时脉比它厂P35低6~10Mhz2 A* Y" P p/ y) D/ A" v
- o/ T' e% P, F* W+ x补上一点,在北桥背面也有附上散热片来补强
+ {, `- f, \$ q与先前使用过的GIGABYTE 965P-DS3相比较
" Y" K( e" [* k: eGIGABYTE P35版本除了有更好的用料.范围更大的选项与更佳的DRAM超频能力等等改进$ M4 I' B' H+ z9 s% n
Intel新推出P35晶片组各厂争锋下,GIGABYTE P35-DS3P拥有相当不错的性价比:) |
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