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Intel刚发表的新系列晶片组,分别为P35/X38两款0 m( w2 C: l( J a' f/ _: P
很快的三大厂也在五月份陆续推出多款P35低中高阶的版本
3 v* {! _; P5 A7 w* y1 j
% M; a* Z5 c' ]9 y3 q# E这次主机板是GIGABYTE产品,此厂往往给人的印象-用料佳/价格合理来取胜4 k( @9 T+ I; H2 j" y: N" B
但是也有作风比较保守的传统,在超频与电压方面较不擅长
0 }# _6 e/ L) ?& A+ b自从去年的P965产品后,技嘉已经加强对这方面的不足
% G% V! s3 x+ l6 D2 a7 d: Z2006年的DS3/DS4/DQ6三款定位与市场反应相当的好
% i0 Z" ]! {6 d5 {1 k
" j- b( X V% s* g! Q, B/ Y% iGIGABYTE P35系列也一样照这样的市场策略& v- e5 ]9 ]$ o/ A
主角名称-GIGABYTE P35-DS3P,属于P35系列入门的版本
" T" P w" E- ?- _# w5 C1 J' e
1 M) B7 l! w }8 P8 K1 i# C外包装& K; ?. [- V7 l+ l% M1 L& Y
% A, u- @6 C1 `- B
![]()
0 d: l; M3 U; n+ ~3 e. G" n. H" g( W
. g( G$ b, e5 b
. B5 g% w6 F; j2 E内附的配件
* ?2 Y1 a! p# p* d附上一个PORT有两个SATA装置,不同于其他家把eSATA内建在后方IO8 I0 Y/ c6 v% n# g3 q; Y4 q" M/ m
8 y0 I( _$ F1 m t+ R1 B ) o$ F& f0 u2 U3 s
' v% J* Y2 B7 h) w$ _8 G* C+ p/ T$ b* A' ?
P35-DS3P本体; K- R1 O5 D; R) l3 t
全日系固态电容,产地为台湾
: p- S( \* c& K2 ?
- o' c) ~% E) w% R C( v q![]()
/ k# {: {! F; N, M' Y2 ^5 A+ s" P5 ?! f+ m, u
( B- M3 |( b3 `% |0 X# P' ^8 y
" ^, L8 r% Q/ M" Z4 k, t( I6 {* C; u
0 b* G1 x, E6 P( Q! D
主机板左下
# K6 x0 ^: o4 ?3 b. E2 M2X PCI-EX16
& m5 Y) t! M' ]7 |- g K! p(执行CrossFire时为16X+4X)
, _ a% D5 z$ d# W( I" ]3X PCI-EX1
" O0 b. Y+ y+ ~2X PCI; e: o* i: ], u
" B/ b$ Q: K( n5 {- t, i 8 w' I5 |2 _6 _& w' n4 B' z" N
0 O6 Y; y/ j3 E* ~* o/ c" S/ N) M
主机板右下5 u6 q8 g* L: H
ICH9R加上外接的晶片,支援高达八个SATAII以上5 ]9 ^; i/ i+ M0 ?/ i8 T
南桥使用接触面积大的铜散热片
' ?( T$ p) l4 { \% B: N B1 Z! ~+ d" G
![]()
( J# X, d3 h0 w3 b% ]
; R8 r$ V% H8 h* d! ?
7 l+ K( f0 A+ p5 T9 F( Q主机板右上
' @4 M2 U. W7 F! M四个DIMM DDRII,在DDR3价位与效能尚未成熟前是较好的选择! s2 y8 C- o" j: Q
支援DDRII 533/667/800/1066等规格
( j; L/ c d7 z* O' C0 w" s8 Y- A# f- D' e4 N# ?
* Q, X+ X* ]! f
8 f# Y. v6 F7 F( ?% Z) ^9 _$ a- R( V: |/ s6 l% C* J
主机板左上
# J$ x% J; w0 N$ c7 T0 [处理器周围使用六相供电' @! T: A" S( W% ^
7 N4 |6 ?9 z8 d N) \2 O. k, d' B; Y ) c( I" f4 e& O& O6 n
5 P/ A) y5 r% R( y" f. Q) E" o5 K4 F8 y- u" n
IO装置
- |) g/ E. A. E5 I# I% @/ Q& Y4 u. L+ ?) |
$ b! S- E7 C- C2 j
: f- x& y9 q% [, ~/ V+ q3 v& F% X$ h# h2 R/ b% Y/ I% A8 }& S
北桥散热器, i( | Y# y. @& A: \$ Y/ V* T, s
P35承袭Intel晶片组特性,温度不高8 o/ a( |- r6 L
基本上,这样的散热器已经足堪超频状态使用3 I. |. x! Y: ^# d
! t& X6 V5 E4 G5 d; j6 D) _![]()
$ z, z1 I1 Z# Z# `& K) L" n- [7 A; l) a
( A) G" }* e; q$ C开机画面,解析度还不错# t6 P4 Q7 F. ]
# R+ `- m. U, S8 p) d6 {7 `) F9 q' c
![]()
0 t/ S1 ~3 x* s4 s1 d* G* [
% L/ b- v# p V! R' \/ j
\! |, z# m$ R: ]$ `0 UBIOS主页面
1 h/ X- I5 l! ^. p此画面下按Ctrl+F1跳出记忆体的细部参数可供选择
1 M& I! R! F! w! o: S
4 Y& `7 V& }/ R! B' ~. q1 l' R! v + z2 _2 S6 I; d$ d/ j" s" c# @( |$ `9 @
5 a* [- M' _& O5 \: C" @/ s8 ?; m" _5 ~
超频调整页面
0 `+ E8 H3 B& a. m1 r8 m" O3 X, p' L. a% n/ [0 O; \: l
/ O7 } w' H% u5 ?$ H% ]( R
! X# j$ U x- `0 I; Z( I4 n2 u1 b) n! |
![]()
+ \* ]; j% C% x) X- D* |" X: s& t2 O
0 o3 h) O5 ?/ XCPU外频范围; G4 e6 ^; J' B6 F
) y' E3 t. S ?
![]()
6 D1 `# D5 y- g- o
& X& V( M. N t$ o f5 j; Z2 Z' [8 |/ m
效能分为三种模式
7 `8 X" Z- `8 d; y, N5 s, J2 X8 m. h& G
![]()
. R# F9 r+ f0 F7 a+ j2 Q- J0 g! u5 \; H- h# @! V" n
0 b5 N) g g- p4 c8 z
DDRII除频比率
' {4 N" l# _- q# F* t) G
1 Y a# ]) f" h: R & u, n1 A/ J; ?1 T7 N% ?
/ x9 G! B. N$ v7 B& u# t, v2 Z; d: ^- D% i* F% A
DDRII最高可加到1.55V电压( Y% w D! r" v, g$ `
也就是1.80+1.55=>3.35V
7 Q1 z e: X. _: @" F! M9 W
6 t* J9 t+ q/ t0 ^) p![]()
. j8 ^8 a$ h# Q0 J" @2 s3 c/ f# }3 w
' n( M' A& u9 V. X1 Z: U5 {9 I, v) P) f# t) |; p
FSB电压
) E: f( i, G% B% |5 W9 s
2 e* |6 l( w7 ~![]()
5 m) w; e6 p3 n- C$ k, ~$ V
, l* Z" F4 V( p! F6 P/ N3 @
$ A6 `) j; T. I7 A/ ?: P3 ?& ^MCH电压
( C" _+ Z2 J& H' i0 L6 J; m% b8 @
) [" d) B" C* Y8 f9 v" }![]()
, r6 ^5 A9 ?' E1 A* ^' ^+ e0 d1 e! v' B+ i2 \
9 f5 H, I, I8 K; Y" tCPU电压; ^+ R7 X5 [! R5 j7 f' h; W
最高可达2.35000V& L$ Q% t q' p k4 O
0 L, T9 L8 z' J8 c( l
![]()
# B9 L2 M; F8 S
- j* J) U9 `9 |- R* ^- e3 S0 m) {; y8 T' q. Q7 X+ o( E
PC Health
9 R9 o+ {7 N ?$ B4 k' I
6 ~: R- M7 B# A5 u![]()
- R9 }; ^% g N6 T1 O5 e7 v+ [ ^! m, h! V; _
( j& x T, |, K* ^" R
测试平台
7 h6 I7 G' n- R1 `: v/ M; y6 ^9 xCPU:INTEL Core 2 Duo E6850' U7 S) ? j! m( e
MB: GIGABYTE P35-DS3P
% a. `) t/ {7 V1 F& nDRAM:CORSAIR Dominator TWIN2X2048-10000C5DF
1 ?1 z: F a6 C8 E' ^VGA:MSI NX8600GTS-T2D256E-HD-OC 8 {5 |5 j9 @ Z" @4 k R* r6 X! p
HD:WD1600AAJS
8 P" V3 |1 {: Z; l5 \POWER:Thermaltake Toughpower 850W
- |, B8 r, e$ T6 h5 c4 x7 GCooler:Thermaltake V1
" Q% l3 x- k# C8 w9 P" a/ ]3 u
4 F" d2 n" j6 N% V4 f ) g1 U: R' d+ u% O. G6 Y% E) w
$ X: C ~" K! f& ~; o4 }3 F
: {! H% O9 V T! i g500X7=>3500Mhz 晶片组不加压
o, @1 z y+ gSP2004起跑! t& h; \- v: y/ J
1 U* q B( ^5 s }% f: E![]()
$ D$ e, L7 J$ n7 G/ U: G, v5 I" m+ _2 t! Q6 i) G# \
! u8 H* D+ Y! v4 t/ W8600GTS预设时脉; C! b& z; j. b* [/ @
+ u0 b0 O" S* q) @# D3DMARK2003/ d& { ^- k0 [3 u) b
, n9 T8 K0 ?9 a2 d/ `) r& L: M u. v; r![]()
3 X' F( x5 q' z' \! t2 A5 e( s; I
% s; Q g% D$ S' t" g$ m0 O
, C9 G7 U5 T d$ Y# W3 Q# B4 n ~3DMARK20052 u7 d" [$ d# q5 J
; r0 O+ h* w6 g' A( X! y
! ?. \; V/ k. W% G6 Q! }
1 ?2 C1 \+ ~* _
, r* G2 T- Q; l0 V3DMARK2006: H8 |/ I# U9 O% T& o- w4 N, Q; V! E4 ^
( c5 Y* r$ p& D" N/ O6 O' v![]()
0 J4 D# q" u% A' y# A, ^1 r6 q+ `6 J0 L! h8 `
+ ~0 J$ u2 x7 H3 h- m( z9 yDDRII 1132 CL4 4-4-9 2.3V9 q. q% b9 R* A( v8 [2 R* |
Sandra/EVEREST记忆体频宽
$ o2 L8 h; T2 ]- \0 O8 K+ r6 L6 ]- B3 v, W) n
![]()
7 r H6 K' v; o- J' v# @
* R7 W" n% M5 p% N6 G7 ^% Y5 B: c% a9 |( L: O* J* j: h
DDRII 1250 CL5 5-5-10 2.4V- m( b" P4 u2 k/ {2 D3 u$ r: d
Sandra/EVEREST记忆体频宽
9 M9 r! B/ n/ l: [
/ m, m: a& _2 v. `8 [ ! k: A! a+ N. C1 Z+ [# |3 p, _- N# y
j6 v2 J2 S0 M$ E+ O/ w+ S8 h8 D6 @8 \+ I0 I
DDRII 1250 CL5 5-5-10 2.5V
% i) T8 W" C5 F! G+ _* ~1 w" a双SUPER PI 32M; @3 a% X1 N& U1 M, \6 ^. G" l
3 e I' B8 h/ v A- M1 u' |% \
![]()
# ]8 {$ r# s, H; Q3 s# g% p( s8 |) w& \3 f) p! Y- @
8 u6 q5 {$ T! S$ W+ {500X8=>4000Mhz DDRII 1000 CL4 4 3-9
' b4 ]$ h& P1 p& HSandra/EVEREST记忆体频宽
" i h4 k! T: }& z2 b0 a6 Z% w; E" w- N3 P/ [8 Y
![]()
( K& { s9 _& e, R) y/ [
. Q1 T6 \3 V7 A, N# ^% ~! V! B
3 ~2 \+ B# j0 |8 h% g6 a+ jSUPER PI 32M
9 f+ g: [% S7 [8 l
) c! T$ f0 `; U2 H0 G; w, h![]()
& h- p, y* J% k+ g) o3 F
( |0 i# M1 W# s
- r# C5 \, G2 L- t+ M/ n2 R2 E: {四核心 QX67000 r8 h, r& c) U6 w) I
450X7=>3150Mhz
5 h) k! y2 v$ N- X四SUPER PI 32M
' n% G9 L- T8 H# Z0 c! R0 _. c% `" f3 a2 y6 Y, g+ z7 A, [* ]
![]()
1 M; d7 @3 u* h4 J% d. m$ Q% X- u" I# r; q- f) Y, n& _+ [3 i4 {
% m4 V( V- w: @% U+ |8 x: a& |% GGIGABYTE P35-DS3P
; l. j0 v% N0 i" `2 f) _6 \/ C) O7 ^" R4 X% u5 ~7 T a$ s
优点4 K1 k w. x% y2 `& ^
1.全固态日系电容.南北桥散热器质感佳.产地台湾
0 k3 Z3 Z/ @( p3 P2.BIOS选项众多,电压与频率范围也广
0 `, \( @4 [' N2 s/ g. M3.可稳定达500外频,体质好的CPU应可以上到更高
" j/ Z' V* n! K4.DRAM方面比之前965系列表现更好,可达DDRII1100~1200以上的水准# u% \& t0 P+ o2 @8 H
5.以此用料与超频能力,在近来几款P35中,C/P值较高: G2 g- U$ T/ ~7 l7 Y
# b' h( T( [6 G5 X" H* H, ]# g, R: v/ S/ Q! b6 j8 t
缺点
3 U: C) ~# |6 ?' t6 R) R1.OS下EasyTune 5介面图案不够精美
`% @! k9 y: L! Y' m, t2.一样的CPU,双/四核极限时脉比它厂P35低6~10Mhz
) u4 D+ B% U- ?4 `5 u. S$ v, ~" \
- r5 {: n9 N2 Q+ Q! w补上一点,在北桥背面也有附上散热片来补强
8 Q- r V- U' a- e3 z与先前使用过的GIGABYTE 965P-DS3相比较
0 p% x! R; n# ?1 eGIGABYTE P35版本除了有更好的用料.范围更大的选项与更佳的DRAM超频能力等等改进
2 ~9 F7 g3 z$ i4 w4 y, S& S8 Y1 ]Intel新推出P35晶片组各厂争锋下,GIGABYTE P35-DS3P拥有相当不错的性价比:) |
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