|
Intel刚发表的新系列晶片组,分别为P35/X38两款
( r5 T6 u: H/ m很快的三大厂也在五月份陆续推出多款P35低中高阶的版本6 x3 a5 c. T8 _# q) V# f' v
1 d% t4 F9 i: r- n! j0 _
这次主机板是GIGABYTE产品,此厂往往给人的印象-用料佳/价格合理来取胜
. `3 [# }. p' c6 x o) l v' j但是也有作风比较保守的传统,在超频与电压方面较不擅长
, t* G$ }7 U* q+ U& n自从去年的P965产品后,技嘉已经加强对这方面的不足
4 z& S+ v+ @, }% i& ]2006年的DS3/DS4/DQ6三款定位与市场反应相当的好) b9 x2 ]( Q9 k. o% Z
2 H( {# r$ j- D9 T5 w* [& u
GIGABYTE P35系列也一样照这样的市场策略
4 e: U' R4 K/ i) C3 v1 Y% Y主角名称-GIGABYTE P35-DS3P,属于P35系列入门的版本- U, x4 d0 b" u; D' i
$ n0 Y% Q1 I, {. s" a; Q0 P外包装
/ \6 I3 j9 I( [
' A* B! b, H1 g1 k' s9 p![]()
/ |" w6 z" {" L7 c! w& p: z) |( Q( T+ {
7 c4 @$ t3 \0 _( n9 f/ H
3 x3 {+ N2 Y- x2 Z! w内附的配件
- ?4 F1 P6 D! _( ?) i附上一个PORT有两个SATA装置,不同于其他家把eSATA内建在后方IO
( h, c! I/ S9 P, C
" `5 @8 k' C& B; M+ q# |![]()
" P/ O: Y( _- I6 S3 T
# c, D5 i& x6 G9 C8 O' a0 c+ \# a4 a. y Q
P35-DS3P本体; W/ g& ?: z) E; C% y4 T. c% p
全日系固态电容,产地为台湾
3 A7 ~* @+ p( ?7 C5 P* V% G k$ J# v" e1 P
: |- f6 ^1 {9 f& L9 T9 _
4 T2 Q+ h7 Q% Q6 `+ f( L 6 k' _, E) }5 A+ C5 `
: p5 o' D7 L7 {9 O! A
5 x+ h' _- V3 ]- B! T
主机板左下! V" G+ S4 w9 o2 |, q3 K' t
2X PCI-EX16$ n( o- {2 r0 Y- Y8 G
(执行CrossFire时为16X+4X)
3 j k9 o$ I, L; B( ^* n3X PCI-EX1: Y! D4 s9 R0 y
2X PCI: l, f/ R+ W O. U
- S/ _* |6 J3 Y0 ^% G' k( K; Z1 s![]()
" o+ S }8 S0 B1 b/ w6 h9 O0 p* E% x& E5 O0 l8 x" {4 T6 f
2 |' N0 V2 h: m! m' u主机板右下
! P# i" O8 K; e" _! }) vICH9R加上外接的晶片,支援高达八个SATAII以上
. v/ ?* d) x4 W' T) y5 C) E南桥使用接触面积大的铜散热片
/ Q; V+ b j) V7 v
* t3 R; W O, r% m2 j# ` ) M; o, V/ X+ z6 y
$ O5 h5 ^! J) }6 x! s
p; ^; d1 D2 t4 X主机板右上
/ k4 T. W; L3 n! X0 F: q4 Y四个DIMM DDRII,在DDR3价位与效能尚未成熟前是较好的选择6 |' m M2 t2 Y7 M/ U
支援DDRII 533/667/800/1066等规格& r& S) i) a* I5 g ^
" t+ v/ Z$ L( c: x1 \, R![]()
1 w8 x# G. i* k& W) f4 Z) ?
2 G! Y3 |/ A. r# }# b" z9 p8 {8 c
' n Y L' I% E主机板左上3 `9 m6 N* I- e9 i) n* @- o
处理器周围使用六相供电6 h7 ]/ I4 Z& K. B
8 }& N$ c( a1 m8 _: f. c" z
- }5 A9 u: z9 b
* c& ?0 g) H2 H% A( J3 E
( E8 E H- m$ W* zIO装置 V8 F/ O8 w' t$ e l. p8 C; B0 F6 h0 M
) A$ {) r( i7 V* P& o
$ e* E5 c! x: B: X+ X+ ]" D/ M
4 e& F* y+ ^ S- v" M
, K/ m% N; W% c; B北桥散热器
) u3 _! a7 B) \4 d) a# J& _P35承袭Intel晶片组特性,温度不高* @; @; W4 @0 _! V3 \
基本上,这样的散热器已经足堪超频状态使用
: W3 s$ v V* g' e. z8 D z5 S: S/ S& p6 y+ _1 D/ _
![]()
$ L3 L% S9 r% T3 ?) `3 o" y( O1 x5 U3 R/ _" s5 X6 }
c: m) R. |& y9 g+ G
开机画面,解析度还不错9 \8 l8 s# b( h
9 J; O. Q& Z0 [* V
" X9 {) ?/ N* g7 A3 e* P9 ?
5 a4 o& B- V7 h) K! E( o2 E* x
- A: K% k2 [& i0 |BIOS主页面; [- ?/ y ^. n" N" E" g5 o2 r0 f
此画面下按Ctrl+F1跳出记忆体的细部参数可供选择" |3 B. I( _* s7 L7 m
1 v% Y& a2 G% `2 ?+ P5 Q
![]()
/ [9 o" w7 b& B9 Q _) B/ y8 K9 J1 M/ t# Z
1 m- ~, c% A& x0 i. A! N' i; L超频调整页面
0 w$ Q: D: d& d1 U
3 V1 v* k! ~ u- z 2 N0 ?! b2 N$ s1 n% G
" ?; Q/ E) q1 q' m
( A, U0 X$ N- S9 u
' w6 O! u, Z8 f1 Z. x: ]
. ~4 ^6 n: x& T9 U2 A, E( gCPU外频范围! s N: V; y% ?( B4 a. D V4 I0 M
8 w4 W- H* J' H3 U1 Y![]()
# c4 _7 J1 z2 j* x4 E; B, x9 h W( U6 v) q7 W
* ^- u* X/ @' G, [效能分为三种模式
' ]0 S0 r1 n1 E! Q6 D# x& g
4 Z. m* W6 Z" r: I$ M" L. ^! p![]()
. @; K; c0 g6 k
! v' m) f( E2 M; e) w$ F* s4 l
2 l, g9 R+ T7 U) G2 O, a0 V, aDDRII除频比率- w9 E) A& g5 @' \
; R" a7 J+ G3 s+ @4 i# l![]()
+ } b+ b5 F& Z* a
2 z3 G6 K4 K& N- T
D) k$ d4 i& T( _% JDDRII最高可加到1.55V电压
2 F4 M* d4 z; |$ C0 i也就是1.80+1.55=>3.35V
6 u' r1 }5 ^3 c: i4 u+ l x6 l7 T* P' J; P6 T
![]()
1 ^9 t ?, x2 y6 ^# _% {* L1 X6 e! u: G% N8 z: x& m+ Q o8 ^
! ~' M' W) ~* [: nFSB电压
; O- s* V! J: |/ r. n7 o1 r7 E
) J! e3 d# a: @& p# C![]()
' D2 K' M/ R) W: Y1 _, K7 {# \0 J( E" Y% ^
& c' ?) P; A2 ^" ^* J
MCH电压' D; g; L; b t$ A- C0 A
! J# |* j+ T6 \# [- D6 i* d ! d' n R- e% l3 ?( p
; f- A- a$ X! n; G+ F8 L/ V) H$ R+ h! j
+ E( l R- I/ oCPU电压
# ]# R& f# j! P最高可达2.35000V
" r2 T/ F; Y: h0 ]6 p- T2 D$ g
; J1 M4 S3 }3 }. i9 e![]()
' H8 \; s4 m- M/ {; R! D7 Y) Z3 D/ ~$ {3 H- h. e0 f2 \$ X
6 [2 O: G9 m* U; o& |& D) i% H8 ~PC Health8 J& K1 h+ f% A
) L! P$ V: Z" R$ C
v1 i5 A+ i+ v4 j
5 J7 `: \. ?7 Y7 i4 `4 W
$ Y% U7 c' n8 u/ u
测试平台1 c( k: M ` w" {
CPU:INTEL Core 2 Duo E6850
, ~6 a) L9 r+ e, x! { B" E+ MMB: GIGABYTE P35-DS3P
9 ^* t7 a) @1 l- F9 J. FDRAM:CORSAIR Dominator TWIN2X2048-10000C5DF
* Z' Y3 ?8 P: J6 R9 U9 VVGA:MSI NX8600GTS-T2D256E-HD-OC
1 g0 L2 L7 n( m0 U3 AHD:WD1600AAJS - e4 w9 k/ a5 [& W4 g4 N8 `* W
POWER:Thermaltake Toughpower 850W6 U5 W9 V2 l5 L
Cooler:Thermaltake V1
$ Z* U9 o( p, {* { F
$ _- _, m& B! T/ n; z1 w & S6 c! t& k9 e. x0 z s+ G
8 N3 Q. t& y v6 q
& Q! s6 I ^) m1 l
500X7=>3500Mhz 晶片组不加压+ u: w. p1 W8 m5 Q0 h, D" B
SP2004起跑
( q" n, j7 n) W: P: L7 H/ S! l+ t
. b( `1 P) H. u# r0 R![]()
9 B e+ @1 X8 A. A& l' O
% `( L. G1 ~2 k
% ?2 |2 t) a( S# U% n7 ]8600GTS预设时脉
+ A4 m$ n2 T) J/ W# x! R' x( f8 w# N7 s- Y' ]* q
3DMARK2003
( j( j# }3 N) b" j! |+ O5 T1 q, f+ I$ M+ p0 ?3 u$ s1 r
![]()
3 D O6 e2 _ b4 ?' D2 u
! G* h/ e/ \, c' n; O5 ~$ E( x' Q3 Z- p; V* V+ O$ j2 C9 q% c
3DMARK20059 v0 d/ v% L& D
8 q+ B' v& V* K! h3 t![]()
1 L5 j2 M" s; N" o
/ e% ^7 U: r8 ?4 s8 k% F2 t9 h4 D( o) i- _
3DMARK2006( Q) ^: C- S1 m3 K
f$ ]6 d' K+ t9 |* g
) g* }0 D) X' [+ \5 o6 h
5 I' r8 k- C& j9 F; U
1 Z: c3 ?- z: @
DDRII 1132 CL4 4-4-9 2.3V
. j7 V; S8 Z( N- MSandra/EVEREST记忆体频宽( ?. r# [& `2 G' y
. i0 i7 Z& G* b& ?, D+ f) U; I" r
![]()
2 d* S* }( ^3 ^* t$ o3 w v
& v2 n/ u6 K( i9 z1 i
" x% ^0 l" C4 p) SDDRII 1250 CL5 5-5-10 2.4V
0 J* L! l6 v5 }: ^) BSandra/EVEREST记忆体频宽4 s% d% i9 ^: L+ R0 B* B4 p. {3 Z
- Q8 d. T# i$ l3 J$ o R# I6 o
9 B* u4 S% Q3 c# T3 I" O' b* S# u4 v9 T6 d2 T7 v
3 l0 p1 E( v+ h9 o1 u) e# d5 J3 L
DDRII 1250 CL5 5-5-10 2.5V( F [) m2 `) l, J
双SUPER PI 32M
5 g5 m/ _8 n9 L
/ F- [& P0 x5 q * i4 L; D& X5 k5 Y2 X/ ?/ d0 b2 H0 Z
' \& Y( j1 ]* n' b5 ~2 u/ E
6 |8 A8 d9 l4 P. J500X8=>4000Mhz DDRII 1000 CL4 4 3-92 V! o$ M2 g/ ^7 y, t% @
Sandra/EVEREST记忆体频宽! n' Y' }( E1 L1 X. b
* y% [2 ~& F, y: L7 R+ \
![]()
6 i# u4 o1 p, H, g6 k
# c0 ?# I, H0 }+ L
0 T% t, O! b$ s; cSUPER PI 32M
" U$ A, r8 ^9 L. `2 v/ x
- u2 k( G& V6 r+ s; c( o2 r( M ( U: ?. v6 O: q; G! K$ }
$ w4 v5 ]! e& T5 @2 s; [
d) n0 j4 G6 V/ X+ L! p四核心 QX6700
! Q7 [9 J0 b- a! @7 b5 f450X7=>3150Mhz) j0 H, G/ R8 E7 ~7 ~+ L2 N& D) k
四SUPER PI 32M
% l8 N/ D$ |$ U4 e0 x' A1 B3 w# D/ o6 X6 j
![]()
5 o+ X r+ I4 k2 u: i, S
0 ~. _- U' n& e, D' F* [7 a& q& O' }9 y: c
GIGABYTE P35-DS3P# l7 Y$ O. I5 z' F* [! x
. n: r7 Y: v B( a9 w! S, C$ x: B优点3 W5 m. A3 e: @; F
1.全固态日系电容.南北桥散热器质感佳.产地台湾, Q' E) U6 d* d; ~
2.BIOS选项众多,电压与频率范围也广2 A8 j& a0 [- c% @ G
3.可稳定达500外频,体质好的CPU应可以上到更高
1 ?9 p( i7 e. V- x' M/ J4.DRAM方面比之前965系列表现更好,可达DDRII1100~1200以上的水准
; H1 O- _' k4 H) K5.以此用料与超频能力,在近来几款P35中,C/P值较高) z( c% ~+ N6 U% \; a7 E
% u0 \: [$ n& N7 z1 V9 c, j o# T, C ^0 s) A/ G$ U) c
缺点
% k3 R" O* K5 A1.OS下EasyTune 5介面图案不够精美 W! _8 Y, J0 j$ R
2.一样的CPU,双/四核极限时脉比它厂P35低6~10Mhz: O, D, ~ M9 u+ Z( _* l* a
1 W# z0 w. n& F* T6 @0 C; D
补上一点,在北桥背面也有附上散热片来补强
; R f% m L9 |* v/ p- |3 v i与先前使用过的GIGABYTE 965P-DS3相比较7 L- L2 X* U6 _: L0 g, A3 r) a6 Q5 Y
GIGABYTE P35版本除了有更好的用料.范围更大的选项与更佳的DRAM超频能力等等改进. s' S0 y& r0 \, D' o
Intel新推出P35晶片组各厂争锋下,GIGABYTE P35-DS3P拥有相当不错的性价比:) |
|