转贴。关于GF100的纹理填充率

jikke

从ZOL看到一篇文章，在讲到FERMI的时候的介绍，有人问怎么有GTX285比GTX460强的说法，我想大概是从这里推论了。但是我们看测评和介绍的时候很少有这样的详细介绍。老实说，我对里面的说法也是半懂不懂，所以发来给大家讨论下。我一直是A饭（自认为，从来买显卡都是先看A卡的），但是却阴差阳错的买了8500GT，8800GT，GTX260+  ，世事难料哇

以下是文章的节选部分：
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其次是Fermi架构的TMU资源发生了变化，这导致Fermi架构GTX470/480的纹理填充率低下，甚至还不如曾今的王者GTX285高，更别提和HD5870相提并论了。有两种观点来解释NVIDIA此次的设计，第一种认为NVIDIA已经没有足够的晶体管来做TMU部分了，所以Fermi是64个TA + 256个TF的1:4非对称设计，这种设计在G80上曾今出现过，当时比例为1:2，但是在G92又被改为1:1，因为非对称的TA/TF资源在运行大部分图形运算时，会对GPU全局速度产生不容忽视的影响。

    另一种观点认为DirectX10引入了一种叫直接像素纹理的技术，如果未来的图形编程能遵循这项技术，则输出的像素直接构成材质，没有纹理和混合等概念了，这样GPU中的TMU和ROP等单元都将消失，Shader承担绝大部分图形运算，Fermi很可能是在下这个赌注，因为Fermi的Shader运算性能很强劲。

    导致Fermi难产和功耗较大的另一个因素是芯片的栅氧层漏电情况加剧。RV870的内部互联极为密集，采用CMP可以更好的保障层间以及层面上的应力稳定性和可加工性。虽然NVIDIA的线密度和布局决定无需借助CMP进行处理，但也因为这些，NVIDIA不得不面对比ATI更加严重的接触性热电跃迁。

    RV870系列多为重复单元，互联级别和走线长度都很大，这样层上的应力负担就会很大。这时候使用CMP可以减小层上以及层间的应力负担。NVIDIA没这问题，但是NVIDIA的布线触点很多，触电部分是最容易受热电子迁移导致的物质迁移影响的部分，所以必须想办法减少这部分所带来的影响。

    简单来说栅氧层越薄，晶体管也会有更高的性能。按规律MOS管的栅氧层每一代都要变得略薄，90nm阶段，栅氧层厚度发展到了小于2nm。2nm以上的栅氧层可以看作理想的绝缘层，但是2nm以下就会出现明显的穿通泄漏现象，这个泄漏也是按指数形式增加的。栅氧层漏电的情况AMD和NVIDIA都在忍受，但是RV870的21亿个晶体管规模明显小于Fermi架构GF100的32亿个晶体管，所以宏观上漏电导致的发热也就更低。

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文章在中关村，有兴趣的兄弟可以去看看

其实应该说，世上没有完美的产品，总有那么一些不尽如人意的地方，作为下个产品的改进目标。

jikke

个人认为，SP少于128个的话，升级到GTX460性能有明显的提升
A卡800个SP的话，完全看DX11的需求了。

Asuka

楼主你能简述下你的标题和内容之间的逻辑联系吗？.....

66666

光栅化靠的就是纹理，尤其是在DX11之前游戏大量使用贴图+低细节多边形模型情况下，纹理性能几乎决定了游戏效率。

没有高质量高细节的纹理，shader写的再复杂也没用。SP数量你们跑现在的游戏感觉貌似有瓶颈，等DX11大量细分曲面和DC5充分使用的时候你们就知道SP的重要性、、

jikke

改过了，现在这样可以了吗？刚才是一边看文章一边在编辑，没搞好。

xiyibest

这文章和标题有什么关系，牛头不对马嘴。

jikke

这样子可以看清楚了吧？
第一种认为NVIDIA已经没有足够的晶体管来做TMU部分了，所以Fermi是64个TA + 256个TF的1:4非对称设计，这种设计在G80上曾今出现过，当时比例为1:2，但是在G92又被改为1:1，因为非对称的TA/TF资源在运行大部分图形运算时，会对GPU全局速度产生不容忽视的影响。
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让我想起了一个词：螺旋式上升

Asuka

http://we.pcinlife.com/thread-1465738-1-1.html

panjanstoneborg

gf100的纹理性能测出来还是ta：tf=1的

jikke

那版主给的那帖子，纹理确实不如280？那又怎么说

Q神

这种理论文章 完全看不懂。。。