Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

5 q5 C1 V, h. M3 p7 S: w' t ! E; m  Z9 O6 ~4 C0 M7 X1 a0 I . g  ^1 G$ P0 ]一、R2E的PWM芯片 & w3 H, n) o, }. w% o) J7 o ( q1 f. L2 l; G$ J! ~6 u0 L " o/ H5 j( F0 Y" {" x; g8 v 之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 ( Q3 o- ]) n- ?/ k" W3 ]. ? - L, P; u: N8 I- w3 K后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM & G9 D2 i! b2 o: L7 @从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 ( v$ m  @7 o' g' }0 ?, q6 B直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 , d, _( S! `0 n4 u' c ! M& ?0 c- Z3 n ; \4 o1 J7 F+ m% {' p二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 09年采用的是瑞萨电子的MOS 5 t1 M$ S: ^* U$ ~$ b/ q5 i+ A2 f上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V 9 x) E9 S) ^. X" O$ Y4 ? 0 `9 F, N; e: {) S8 |" h* U/ c" e + A) U' x: ?: r8 X& k下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V , e0 k4 t  c* g: V) L , b% V/ y* p- ^ * O+ p9 r, U5 X此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 6 h5 l8 q! e7 o; N: m包括前期的P5系列都是此MOS ! h" x& Z5 i$ U 6 G' G2 |; H* [  g 8 c  k% i- S( i5 H3 | 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 # x3 B: u: c- D/ \* i 5 f$ c$ ^' X( n( o( K" h3 x上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A % c  O2 S8 I# T内阻6.3毫欧@10V 5 K) o+ k) H# g+ u4 t- Q" [ 2 M% f$ T5 C/ F( Q( t5 j, E6 ~ # s2 ~2 P. I+ f. I 此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS % J; w# T+ P3 U3 s$ z ( L7 H- B" x' f0 o. n! y! a三、电感 6 V% b; J5 X5 k+ g4 C/ a% p) s . X* g9 y* P, @7 ], P" FR2E每相电感为30A   9 u% @2 C' E+ d. f16个电感可一共480W输出 % y9 L4 _8 Z" a R3E提高了10A，为40A , {7 V+ `# W3 Q3 M; u$ z  [% C, z8个电感可一共320W输出 1 u. \) S4 ]' v 8 l& l; U/ U$ D( h, o% W- I 3 c) w: Q& D. p/ L& o9 z5 Z! \四、效率 3 G5 O6 P: [# T) S参见效率图 图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

4 X1 f! K; r/ B3 s; L/ q- o1 ^

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

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