Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

$ E5 f. v1 ]$ V , @. w) p# B0 e8 P6 u" e8 n0 i1 {* \一、R2E的PWM芯片 % ~9 t- [$ ~: ?* E % K" J% k8 l6 n7 z0 \0 @7 A8 H 之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 % ?; ?' k: r6 q4 v) K* [' m& X" X& f 7 L( H5 a/ ]  r. ^& V5 \ 后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM & [1 n+ ^1 s; Y从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 & [1 z9 |4 K8 v9 h  N直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 $ V/ p! U* G) h2 E# G! ? % b3 y) j  j' e/ f9 a 二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 % q. r4 h- `" \! w" L/ F09年采用的是瑞萨电子的MOS   J/ p2 t% S+ B# h3 I4 ?" c1 J上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V ) V1 l, V  R$ S ) k/ J/ O1 x0 l下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V - X3 T! ~) T5 K* z+ ^8 j 此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 包括前期的P5系列都是此MOS 0 Z! t0 f0 W4 U3 ]- [* h 3 {% P" s4 K- Z2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 ' H2 h. x  Q. ]+ A  t) ?* C9 ` / i+ }' s1 [+ c; M' y; M7 _上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A ; r/ [7 }/ s2 e内阻6.3毫欧@10V 9 ~, |! K8 y5 G$ @. j. ]* @; }. N/ L此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 三、电感 ( E. P6 @% I# ~" k R2E每相电感为30A   + c  _! b' j- T$ P5 c16个电感可一共480W输出 , k& u: O2 Q+ v6 b4 o0 D  v R3E提高了10A，为40A 8个电感可一共320W输出 四、效率 9 U! O6 q' G: a( A8 }8 j7 x参见效率图 图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

* k6 i+ e- v0 [$ W1 U3 j" C

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

* o8 [$ h. H! l4 T
6 l* x- K0 z- e2 Q; xhttp://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html