Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

4 l; o, d+ ^- m6 ]& ]' i& c ; i7 e* U) u6 f7 Y+ g& {% M9 @ 5 S& L5 `# `* T2 Z# O4 @0 V: W一、R2E的PWM芯片 ' u: y# J$ l' h  L0 O. f $ ^2 p8 e8 b2 t8 k1 c2 x% V 之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 3 D# I& ^& F0 d3 E) ?, F. r . z* q# t# ]& w$ O后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 3 l7 h# A; H/ N8 ?从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 $ O, d8 X/ N+ H7 M  H8 N8 D直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 3 I0 K  }; A! h2 e: w- R6 D; G; e2 Z二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 ; l0 v* L5 X* i/ @09年采用的是瑞萨电子的MOS 上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V ) O1 o. }$ ^0 b0 \9 d 4 a& Z2 K" F, \) F0 T: }, ?3 c 下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V 7 h; ~0 S  d4 l, a* D. H8 T6 k, S 此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 ' O# Y" k3 E' n/ ^  c# h包括前期的P5系列都是此MOS ' j  Y2 d5 v1 x/ Y 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 3 i8 l7 \6 V* \1 L) G2 s 上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A 1 R8 h! O) X$ L9 R7 C9 h8 u2 g, S4 a内阻6.3毫欧@10V ' W+ T9 d: K* H" g9 p; k. n ( ^/ q* L8 }6 S3 j + ^4 u2 B+ o4 z  O 此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 三、电感 0 Q8 W3 z7 B. x5 q1 D5 R$ E# G; G! L 9 w# Q  O; X! m7 i  k. aR2E每相电感为30A   16个电感可一共480W输出 R3E提高了10A，为40A 8个电感可一共320W输出 : T& d  |8 i, E2 s6 T' L. t 四、效率 ' v& ?; F. `4 A& }" W参见效率图 ' G6 y, F: ~/ C3 @- a5 z图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电 1 `% W% G/ l9 k) ]6 o# e+ d

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
* j7 U# {. t; G( O6 E- J* Y隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

1 m' D0 K5 V3 J4 g/ }$ D+ U8 E! P$ J, e
- b, L/ [) M# vhttp://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html