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Intel刚发表的新系列晶片组,分别为P35/X38两款
3 G/ G; P& e1 }很快的三大厂也在五月份陆续推出多款P35低中高阶的版本
0 X i- a0 d' t) f5 _7 w
5 D( n0 \2 n' ]4 e6 K3 d这次主机板是GIGABYTE产品,此厂往往给人的印象-用料佳/价格合理来取胜5 J" O4 a( F) |# R4 t, f
但是也有作风比较保守的传统,在超频与电压方面较不擅长) e, W6 h! @* t0 j/ U' A
自从去年的P965产品后,技嘉已经加强对这方面的不足
: A# F' v& G$ ?* o4 M% g2006年的DS3/DS4/DQ6三款定位与市场反应相当的好
# r3 p% h4 m7 F8 ^/ w9 f- [) Y0 C7 J2 Z. p+ t
GIGABYTE P35系列也一样照这样的市场策略; d, q! M4 P7 k1 A
主角名称-GIGABYTE P35-DS3P,属于P35系列入门的版本
9 z5 V3 O5 ~6 ^0 ?' j2 r8 A/ s% |
0 B* Y0 c/ W. {, ~! r' S外包装1 n7 g& C/ W l" |& P0 J- P/ `( |
' g+ @8 D( n( X& g & e2 o, L- z# g }# {8 l6 {" O
) k) ^: {/ Z+ w
- e1 [% U" r! d! V, |. J# {
% d" I( w$ C. Z9 F3 W2 }' f内附的配件
. V# l5 p. Q6 C5 i6 X3 }附上一个PORT有两个SATA装置,不同于其他家把eSATA内建在后方IO
2 p& W+ S0 S7 l& {+ F* N0 q7 ~& k$ s
; [2 b+ E( H# q, O! m% X& f $ p5 n$ [4 c) h2 ?9 k* a* _' `- e
3 F7 j) y) |: {' {$ Y9 e5 a4 H2 D3 Q# d, }0 C; p' f: y6 ^$ q
P35-DS3P本体5 H4 J& ?& j$ q( j7 G5 M
全日系固态电容,产地为台湾% y: P! v% u; P3 A
7 a' ~* _( D Z8 _! }$ P ! q8 n& |8 T: m; D3 p
2 V8 w* |# F. n5 M![]()
4 w, l `1 v. V. e {3 C
* W. m) O0 L/ J" R( m8 v3 S3 v! P- g+ a# s
主机板左下
; b+ o( ]5 ?7 ]1 c% p2X PCI-EX16
- G* z0 y) h9 X. {(执行CrossFire时为16X+4X)1 l) x$ @1 E0 x
3X PCI-EX1
: N3 J4 o5 T9 G4 K% y2X PCI
+ K% ^. q0 r& C: ?7 I) e, n, `- I0 b
5 g6 M. {& M* z2 @ ) |7 L5 P0 S5 z
, T8 Y& F3 v, E0 E& q( c0 b/ p' h& N. ~* |7 b) [
主机板右下, f" ]% p1 i$ Y, W: r* l9 s
ICH9R加上外接的晶片,支援高达八个SATAII以上
" L0 @4 f( } w0 x1 |南桥使用接触面积大的铜散热片& t, D) j! `! B
5 G b2 E4 n' g 8 G& T4 z0 G5 ~
5 K& C& _# m5 p+ v
8 V& I) ^# \) W' e% j+ U ~主机板右上
: I- Q% Y1 |" q7 ~) b* A+ M- @四个DIMM DDRII,在DDR3价位与效能尚未成熟前是较好的选择
/ f* K5 j) R3 F5 u0 r% W# ^1 h& j支援DDRII 533/667/800/1066等规格
" Y6 B& E1 Q' z g
+ e9 u, u& g3 b! L$ [/ v+ l" R! E3 ?![]()
$ K" P! P7 A$ i7 W6 `, k3 t! ^+ w# ^+ {
2 s6 A* I+ e2 ]0 i7 K
主机板左上 e. T# ^/ a6 N/ @6 c8 Y f1 g
处理器周围使用六相供电+ a; `9 m. m L, w R0 d
, e6 h9 h ^4 m% ~: i4 I0 r/ b![]()
; d! F9 v+ Q5 \. H4 q9 Q0 Z( O7 i! W1 o
( H7 z3 q c0 k( O6 @IO装置
+ V# h& b+ j# @) ~
) Q9 f6 y; V& M![]()
# ^) J2 g. `, T
$ k( t- A- G! a: ~
. N2 A* ~! V9 b! [, I4 }" u g北桥散热器
# ~' k, F! Z6 G* H7 x% xP35承袭Intel晶片组特性,温度不高
0 U R( c v) v0 q6 g基本上,这样的散热器已经足堪超频状态使用 q! Q/ H7 j" @$ N) g. G3 G
6 e( L4 O* T X8 r " j3 u9 O" K5 J/ l' s
1 _7 R- @" `6 r
9 A+ z% B$ K( g i$ C' X: g4 q
开机画面,解析度还不错
/ Z* u/ h" S3 n" u; z) M$ p; A$ z( U! l
![]()
3 n- G9 f( [ A; Q3 i& e. P" w+ p2 a ~! [+ e O9 e+ I9 q' q6 b% O
: e, N3 K3 j; I+ w3 }- ]
BIOS主页面
0 p/ l) M- i! X/ |此画面下按Ctrl+F1跳出记忆体的细部参数可供选择; Q; g5 u4 J6 Q/ ~) R4 S
, C' e( S0 G/ I/ S! a![]()
" W- W+ b4 b/ ]& v/ P& v7 K
6 a$ q2 D4 o2 `$ N: P6 G
" e5 W( l9 |* \, @) D, O$ o% ]3 U超频调整页面2 u- T% Z7 u5 S' `5 `
9 J& L. V7 R2 n- L' o/ k
![]()
! X% L+ I. J9 e4 Z. I9 A) q
$ ]7 m- o+ m; F' Q. r ; A, c& U' k* |1 ]
0 ?% M- i- O4 I4 T
1 e- G$ f1 E7 ?8 t3 a) l* A0 o
CPU外频范围 F Z7 i W% u; T
! I+ D; u3 d5 b, s ) l8 O5 h$ `' i+ U) T
; T% v' p' P. a# J" t. J7 o# H X- i
1 u0 y1 z4 m g/ o% N4 |
效能分为三种模式2 f% _4 o2 X3 d9 B+ s/ U
& u8 `+ G* b& U" |( q' |
+ c6 G0 V1 z* A. c+ {$ O
d4 ^% j9 X2 n' S* u; r
% Q, c+ ]1 s1 BDDRII除频比率: b" f6 ]( I5 ^2 N
8 f8 l3 |& Y' x0 u8 [; F! v
![]()
8 R) L& ]0 l; e
N1 J, V3 q0 }( y
* m2 k$ T9 J& W& D: S- g! @" mDDRII最高可加到1.55V电压6 R, Q) u# Z' O; m7 j$ [; T
也就是1.80+1.55=>3.35V- W8 P7 d0 X5 p: e, ]
2 B* K/ u: W$ K* q+ t. q / ]# r5 I: }! d" K) a9 v; [
* \' t& K- Y/ j
3 y! `/ k7 `, X! J* I
FSB电压% }8 w3 d6 u0 v% u" C
j7 u% t" y: n
![]()
( Y+ F0 T1 t4 [& Y/ u) s9 A6 j/ {
% T* ~+ c0 z; yMCH电压/ G) R7 g( J. e& y2 t
* a" [ o8 y4 F4 j+ i, A* ?) J9 e
3 ?- A8 k$ M' H2 k9 T6 Y) q! I
$ [; D& Y. L, Q, f) G1 I' v" Z+ B- e8 M; ?* @
CPU电压, W4 y0 d/ y& [ m1 n! R9 v! ]9 @
最高可达2.35000V- k- G3 I: `5 v9 ?4 i5 j) y: v, B, W
& K( a' Z ]1 u% M* `0 n4 m# V $ x( f% j. k; J9 u& o7 p, k7 b4 v& O
4 _* U6 }# [$ J
/ u1 G9 a$ ?( h8 l+ Z+ z1 IPC Health( v# z9 E& Y" l5 j! b+ D- o
. k" |" w( B: n) J
![]()
0 z, A& q. A5 u0 c# \* B* Q
+ W3 |9 R* A" o3 q4 T0 B1 o* C. n d: y M" W$ N7 e: h; s, Q
测试平台) l( m0 Q) l* x! K' V- ?% w
CPU:INTEL Core 2 Duo E6850 _8 m' z/ l p3 }/ C& K
MB: GIGABYTE P35-DS3P) Y9 {. H5 N( V6 T/ ^) ]
DRAM:CORSAIR Dominator TWIN2X2048-10000C5DF
% f( d0 D. X; h) o; @VGA:MSI NX8600GTS-T2D256E-HD-OC 9 \. O: k8 i+ O" l2 G4 ~
HD:WD1600AAJS 0 Y/ X$ b6 K& P
POWER:Thermaltake Toughpower 850W
' k4 Q5 F8 P) X- O0 T4 N, [Cooler:Thermaltake V13 ~5 @7 c5 e6 H
: P3 w, i$ A$ P/ Z, c![]()
9 _% R z( j3 e$ b: `1 b4 Z8 x1 Z9 k2 O* E7 G3 d9 u
" A. [5 P5 Q# }) ~500X7=>3500Mhz 晶片组不加压- _$ v6 B! l/ a5 z& A" q
SP2004起跑
/ M6 `( t; [& m; S; `7 T6 D- s- A( A, Z" ~ t4 A& @' t
![]()
0 S! v+ B5 }2 h9 v* ~$ {4 q" g& l, Q; w
# H+ m7 e, ` X/ w/ F' v
8600GTS预设时脉
# L$ F; K" e5 o0 Z! V6 d. i2 X% m I3 O) N5 ^/ \1 v; c
3DMARK2003* A l: |( J1 a. s$ r
6 y% C8 l( ~: I; f4 C* r0 b9 R. H8 v $ J) r& j( ]3 h4 r
2 H; t! ^5 T# p* M2 M. e
; |( j6 p& ^- r- e3DMARK2005
2 G: t }# c9 `- ]0 U4 j! V
! ?* N/ X1 i0 ?0 y" R* H . R% m2 N2 W9 {& u9 G: F
& w' n3 H. J; }4 ~
6 e( G$ n# h8 V( c5 g! r3 s
3DMARK2006
# G5 h" j% U2 F& |8 O# L: i
4 _7 \* V6 ~2 Y% _$ l; T; g, n . K3 o4 a; Q& g" z+ W& P8 Z: _+ v
2 N4 m: x& c- I, Z9 N$ K' H
$ Y7 {5 R2 v5 [1 S7 z1 _
DDRII 1132 CL4 4-4-9 2.3V
8 Z( O0 y" q! {$ gSandra/EVEREST记忆体频宽+ g0 V3 \2 u3 O: i( P% ]
$ P9 [& a+ T& f y) {) v 7 v) `: A6 ?& a. Y& D! G
- W5 Q9 V* u% i9 A/ o/ L$ h% p
4 ~2 y( {1 Z6 [) _
DDRII 1250 CL5 5-5-10 2.4V
& n% h2 Q' Y& i4 I7 }; K: RSandra/EVEREST记忆体频宽
. J1 B0 D% E b9 Q( a/ S: d8 B' S/ ~+ L. `2 j8 R& K, y
+ w( t5 ^" S, ^0 Z
' Z6 R' F$ }2 r* [. u! W
2 v& g3 D* P9 Y7 T. l/ ADDRII 1250 CL5 5-5-10 2.5V! S8 R2 q' V+ w% G: Q/ Z
双SUPER PI 32M0 P( v1 O* X% p
! t: Y' o# @+ }3 P$ y
![]()
0 I! \/ ~4 k/ ^7 f0 l. _3 A
6 ?; {% z3 q$ _
/ o, Q1 ^% e$ S2 I0 p500X8=>4000Mhz DDRII 1000 CL4 4 3-9+ S+ ?0 D8 c& E$ [
Sandra/EVEREST记忆体频宽
- K. y8 h$ t: b3 ?, ?
8 y% O$ w b, N( [( v6 O ( t) j N& B) E4 h: N
* C' ?9 F6 l& Z' a" I. f
( h* }% u5 }3 KSUPER PI 32M
9 d. x7 E5 M1 G: \5 R t. b& ]# s, ]4 C& T8 m; Z1 ]
![]()
: k3 \. |4 `! U* D% K; q( e5 [5 b. R) Z
; b" u4 U+ T3 L8 n四核心 QX6700/ w# b% Y5 i3 b$ Y) M, R+ i+ l4 ?
450X7=>3150Mhz
. R8 ]' K: c, L* U7 c: O# f四SUPER PI 32M
! Q0 J, O% ^3 n
7 B4 r' M8 }- I0 Q0 J! M![]()
1 D4 m. j$ a O6 O/ Q# n% L1 ^- m/ ^ l' g) O
& @+ A* A! L+ x7 I- m2 [/ z
GIGABYTE P35-DS3P! a+ x, X) t9 W8 n
. K) g8 r3 A9 ]
优点
0 t* L2 h- y1 i" F1 l" W( H1.全固态日系电容.南北桥散热器质感佳.产地台湾
2 m3 h6 Z$ _+ [* k; t3 d2.BIOS选项众多,电压与频率范围也广
# N: \4 [' ^' X2 }3.可稳定达500外频,体质好的CPU应可以上到更高
* T4 o2 x: d5 p" j! C# B4.DRAM方面比之前965系列表现更好,可达DDRII1100~1200以上的水准0 G# m' Q) {5 p Z+ Z$ Q9 T
5.以此用料与超频能力,在近来几款P35中,C/P值较高
. P1 g; ~- o& d! V6 g3 V7 y4 M) ^% }4 L+ m4 H& E( \3 t
' B3 M W% h* q% y8 s/ ~" D缺点: p1 Q2 t) F' L' U+ L5 | \
1.OS下EasyTune 5介面图案不够精美8 j1 O; e$ n N2 E' j+ s# a/ W* k
2.一样的CPU,双/四核极限时脉比它厂P35低6~10Mhz
: _; U7 k* F! d; l* C7 ~
/ a! a( }4 z2 q7 m% D! D' b" G! @) M补上一点,在北桥背面也有附上散热片来补强
) j" H$ W- [& u T7 _* x. t$ q2 \与先前使用过的GIGABYTE 965P-DS3相比较
# K0 G5 _, S0 c( Y* w& v& L: |GIGABYTE P35版本除了有更好的用料.范围更大的选项与更佳的DRAM超频能力等等改进
2 b# _! c6 O' u3 @" cIntel新推出P35晶片组各厂争锋下,GIGABYTE P35-DS3P拥有相当不错的性价比:) |
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