AMD这代好超是因为用了浸没式光刻？

spinup

原帖由 Reon 于 2008-12-23 21:46 发表


请问你这是怎么知道的呢?
是怎么样获得这个结论的?
请给出详细的论证过程,不要用臆测,
写出一篇详详细细的从半导体结构的文章,
就像嘉兰最新翻译那篇intel45nm工艺分析的那样
而不要直接得出结论

我去年年初开始写的文章，现在累积了快2万字.......
翻译老外的文章是因为他们说的比较简单.............要解释那篇文章的几个概念，每个都要几千字.......

fku

原帖由 Reon 于 2008-12-23 21:46 发表


请问你这是怎么知道的呢?
是怎么样获得这个结论的?
请给出详细的论证过程,不要用臆测,
写出一篇详详细细的从半导体结构的文章,
就像嘉兰最新翻译那篇intel45nm工艺分析的那样
而不要直接得出结论

我没这么高的水平
我只是做个推理,一直以来intel频率都比amd高些  也更好超频,
但是I7集成了内存控制后频率比不上PII,是不是可以猜想技术不如AMD成熟

inaty

原帖由 fku 于 2008-12-23 23:33 发表

我没这么高的水平
我只是做个推理,一直以来intel频率都比amd高些  也更好超频,
但是I7集成了内存控制后频率比不上PII,是不是可以猜想技术不如AMD成熟

CPU的内核和内存控制器是隔离的，有什么影响

Reon

原帖由 spinup 于 2008-12-23 23:12 发表

我去年年初开始写的文章，现在累积了快2万字.......
翻译老外的文章是因为他们说的比较简单.............要解释那篇文章的几个概念，每个都要几千字.......

那您能大概猜测下为啥i7目前极限频率不如肥龙呢?

zaknafein

个人觉得大概是静态L1的问题, 当然, 如果像amd一样把uncore频率调低, 不许出评测成绩, 估计i7上6G问题也不大

xeon-pan

某人啥都不懂就别来猜想了。。。。
一点科学依据都没有。。。。

fku

原帖由 xeon-pan 于 2008-12-24 12:45 发表
某人啥都不懂就别来猜想了。。。。
一点科学依据都没有。。。。

你是说歌德巴赫!??

spinup

原帖由 Reon 于 2008-12-24 00:59 发表


那您能大概猜测下为啥i7目前极限频率不如肥龙呢?

其实低温下intel 65nm就好超，而amd此时有cold bug，现在amd的45nm赶上来。
很明显这和一个不被大家注意的工艺改进有关。intel在65nm开始PMOS和NMOS使用不同的栅极材料，而amd则没有，AMD的45nm具体分析现在还没看到，不过预测中不大可能不采用分离栅极。

半导体材料在低温下电气性能提高，这也就是极限超频的原理。低温主要影响的是晶体管的沟道区，不过多晶硅栅极按理也能获得一些好处。intel在45nm采用high-k和金属栅极，这两样东西低温带来的电气性能改进不会很明显。