肥龙II vs Core2：迟到2年的栅氧层

Asuka

很久很久以前，IBM在研究下一代工艺的时候，发现异性Hf-Si-O最小转置周期放倒CVD（Intel用的PVD，不在讨论范围之列）里面要起码700pm，根本不够45nm用

所以，IBM在YY Hf-Si-O体系的时候，roadmap还是定得比较长，45nm以后才用。IBM体系的65nm和45nm制程，就靠现有工艺硬顶，AMD自然跟着一起倒霉

AMD一直比较被动，就问伯克利，能不能通过退火修复沟槽，伯克利笑了：Intel已经和我们一起弄这个2年了

实际上，单纯的RTA和闪光退火IBM都有积累，但这两个工艺单拿出来都是有害的。RTA机械性能好但不利扩散掺杂，闪光退火的氧空位有利扩散，但氧空位本身会严重毁坏机械性能

AMD本来是跟着IBM，等到45nm以后才用Hf-Si-O，现在却等不及了。开始和伯克利合作，搞RTA+闪光退火。

将Hf-O系通过LPCVD预沉积到SiO2上形成过渡层，进而在此层之上沉积Si。沉积完成后进行6毫秒的RTA，出来的样品进行掺杂，然后在对应气氛保护下补一个3毫秒1200度的闪光退火
闪光退火带来了极多的氧空位，这些氧空位是界面问题的根源，但这些空位在基体中却也刚好形成相当好的缺陷扩散机制，而通过扩散来弥合界面一直是IBM梦寐以求的结局.............


之后的故事，就不用多说了，肥龙II的栅氧层终于用上了INTEL 2年前开始使用的工艺，大家有空可以去看看肥龙II频率刷新的速度 :a)


http://www.挨踢噢吸劈.com/thread-17580-1-1.html

[ 本帖最后由 Asuka 于 2008-12-27 19:04 编辑 ]

naze

禁止给他站打广告..
看来45nm的amd使用ibm的工艺是afan众YY的?

amon

http://www.禁止给他站打广告.com/thread-17580-1-1.html
很好很强大！

Asuka

原帖由 奶牛老仙 于 2008-12-27 19:04 发表
思考自己的发言都看不到地址了

没办法

商业么

俺理解elvis

元旦去爆他句话

PS，俺不是思考

xeon-pan

技术贴要顶，google大学下先{victory:]

itany

原帖由 奶牛老仙 于 2008-12-27 19:06 发表

传言 传言 {handshake:]
PS：明年 AMD用了 high-k 那不是要更高主频？

明年AMD哪来的High-K？

digitalera

早知如此,何必当初{mellow:]

花泥

以前频率上不去主要是工艺差太多了，工艺的差距比技术差距大

angelion

好牛的网站，收藏了:charles:

http://www.挨踢噢吸劈.com/thread-17580-1-1.html

lvhan

挺高深地理论  学习学习

cool_exorcist

没有足够的权限，发个隐藏版的东西给谁看？http://www.it
ocp.com/thread-17580-1-1.html

dx1983fdly

权限不够，谁贴出来啊{cry:]

cool_exorcist

肥龙要拱拼率了？但愿别变成高频低能的主。

最弱的ID

要邀请码 我日

rickerlian

itopd{biggrin:]