转帖：有谁知道45纳米CPU的安全电压？

oomph

有谁知道45纳米CPU的安全电压？
查了些帖子，甚至包括国外的E文论坛，得到如下数据：
1. 1.5V长期使用:本论坛很多人这么认为的；
2. 1.45V极限电压:其他论坛看到的，包括国外的一些，http://www.overclock.net/intel-c ... ers-1-3625-vid.html
    貌似有Intel的工程师认为 1.45V是45纳米的极限电压，且不一定是长期使用的电压。
3. 1.3625V

4. 还有这个：
65NM         电压范围：0.85V-1.5V
                  建议在1.4V以下长期使用

45NM           电压范围：0.85V-1.3625V
                    建议在1.3V以下长期使用

简单的说，本论坛貌似很多人认为1.5V是安全的，不知道有没有考虑45纳米的VID比65纳米要低？很值得考虑。貌似有人已经有可能缩肛了
同时根据本人过去的测试，对于E8500,1.328V，不超频率，待机功耗就达到50W左右，满载90多W，电压每加0.1V，（0.992V增加到1.328V测试结果）待机功耗就增加80%,所以1.5V的功耗肯定是惊人的。

wukefei1219

先学习一下,不知道哪种最正确.

jin009595

{lol:]我都没过1.1V。。。。。

kojiboku

这个是说BIOS电压 还是实际CPUZ看的电压呀。。。。

digitalera

不知道AMD的是不是缩得更厉害

fxj13920

不超过1.3625V就行

kojiboku

不知道AMD的是不是缩得更厉害
digitalera 发表于 2009-2-17 10:13

同问

看超AMD的电压觉得有点儿恐怖。

穆赫兰道

LS的明智呀

libotty06

K7缩肛的大把，K8缩肛，好象还真没见过，包括三年前那些在1.5V下用的闪龙2500+，没见过缩的。

figg

学习了！谢谢！！！！！

hejialian

路过帮顶。。

那吗错币

p2 1.7v随便加

古墓雷神

个体差异比较大，别人能用的电压你用可能一下就烧...

铁道虫

我的K7用了5年都没缩呢。Barton OC 2.3G，1.65V。

spinup

90nm以后铜线普遍使用，所以电子迁移不再是大问题。
现在认为造成失效的主要原因是栅介电层的击穿。

我手头上的资料说厚度16埃（即1.6nm）的SiO2在1.6V的工作电压下可靠性大于10年。
intel的工艺65nm时介电层厚度为1.2nm。1.5V仍然应该在正常工作电压以内。更高就难说了
AMD的65nm介电层厚度为1.7-2.0nm，理论可耐电压应该还略高一些。45nm介电层具体厚度没有报导，不过按比例算1.5nm左右应该有的。1.5V也不会算高。

intel的45nm EOT为1.0nm,折算hfO2的物理厚度应在6nm-7nm，这个厚度应该说介电层本身击穿的问题不大。

按我手头的资料，由于3nm以下的SiO2层都有泄漏电流，所以理论上都有寿命----只不过相当长。额定电压下基本不需要考虑寿命问题。1.5V下2-3年应该也不是什么问题（考虑到实际工作时候所谓3年真正的加电时间有1年就不错了）

另外动态功耗与电压的平方成正比，即标称电压1.2V，加压到1.5V功耗增加大约60%----如果同时超频30%的话总功耗加倍。
泄漏功耗现在还没有可用的简单算法，不同的工艺本身条件都不同，不过理论上不小于电压平方比。