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到英特尔官网溜了一圈,说32纳米今年开始量产,22纳米还有两年。。。期待ing 。。。22纳米的U不知道会不会更好超?
http://blogs.intel.com/china/?iid=gg_about-cn+intel_blogintel
今年是Tick 模式的一年,按照惯例32纳米技术将在2009年第4季度和2010年年初这段时间里开始量产。
英特尔32纳米技术,半导体业界的新路标
那么英特尔32纳米技术和英特尔45纳米技术相比又有什么巨大进步呢?
先来看第一个问题,英特尔32纳米技术和之前的45纳米技术相比,有以下这些巨大的进步:
1. 采用了第二代高-K金属栅极晶体管技术:业界最短的栅极长度
- 用于高K材料的等价氧化物(电介质)的厚度从45纳米工艺时的1纳米缩小至0.9纳米,栅极长度缩小到了30纳米,所以单位面积可以集成更多晶体管。处理器的同比封装尺寸将是45nm产品的70%。
- 采用了第4代应变硅,电子在晶体管中的流通更顺畅,阻力更小,耗电更 低。
2. 业界最窄的栅极间距
- 晶体管的栅极间距只有112.5纳米,为目前业界最紧凑的栅极间距。
- 虽然间距更窄了,但是漏电流却得到了更有效的控制,和45纳米技术相比,PMOS型晶体管的漏电量减少到原来的十分之一,NMOS型晶体管的漏电量降到原来的五分之一。无效功耗降到更低的水平。
3. 目前半导体晶体管技术中最为有效的晶体管驱动电流,高能效。
上面三项技术都创造了半导体业界的最新纪录。
4. 在临界层上使用浸没式光刻技术,蚀刻电路更加精细和精确。
5. 晶体管性能提升22%,令人侧目。
6. 9个铜导线低-k互连层,更低电阻率。
7. 无铅、无卤素的封装,绿色产品,更加环保。
英特尔32纳米技术的优势和成熟度,让32纳米处理器能以不低于45纳米时代的速度高良率量产,甚至可以超过45纳米的量产速度。英特尔公司将再次向人们诠释"摩尔定律"的神奇之处----最新的32纳米处理器更小,更快,更强,更高能效。
集成图形芯片的32纳米处理器 Clarkdale
依照惯例,英特尔会把最新最先进的制造工艺运用于处理器的生产和制造,32纳米到之时也不例外。英特尔32纳米技术将应用于研发代号为Westmere的系列处理器产品,其中有一类研发代码为Clarkdale的新处理器,不但包含CPU内核,还把英特尔的图形芯片集成在处理器的封装中,采用的是双芯片方案:
Clarkdale = 32纳米的Nehalem + 45纳米英特尔图形芯片/内存控制器
Clarkdale处理器增加了图形芯片和内存控制器,传统双芯片芯片组(北桥芯片+南桥芯片)的平台也就不适用了,因此英特尔设计了平台的单芯片方案----英特尔 5x系列芯片组(目前的X58除外),如Intel P55,没有南北桥之分了。
投资70亿美元,预计将有4座32纳米工厂投产
每次制造工艺升级改造的投入都是巨大的,英特尔在未来一年半到两年内上马四座晶圆芯片厂。位于美国俄勒冈州的D1D芯片厂 和D1C芯片厂,D1D目前已经试产,D1C将于2009年第四季度投入使用。2010年,将再建两座芯片厂----亚利桑那州的Fab 32和位于新墨西哥州的Fab 11X。
由此可见,32纳米时代将如期而至,虽然今天45纳米还如日中天,但是它和它的前辈65纳米一样,最终只能让位于后起之秀、更加先进的32纳米。
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