联钜科技发表可外挂式DRAM的固态硬盘控制器 --- LVT820/815

imodding

联钜科技发表可外挂式DRAM的固态硬盘控制器 --- LVT820/815

2009年02月25日--矽统集团子公司--联钜科技(LinkVast)宣布推出可外挂式DRAM的固态硬盘控制器(SSD Memory Controller)--LVT820和LVT815芯片，符合笔记型计算机硬盘及桌上型计算机标准固态硬盘的规格需求。


LVT820和LVT815芯片采用SATA II接口设计，最高传输速度可达3Gbps，分别提供八通道(64位/64CE)及四通道(32位/32CE)的内存架构模式，适合制造成各种规格和容量的SSD固态硬盘；支持高达十六位除错修正码技术(16-bit ECC technology)的机制设计，能有效提升闪存的容错率；加上先进的动态及静态均匀抹除写入技术(Dynamic & Static Wear Leveling technologies)，更能延长固态硬盘的使用年限。


LVT820和LVT815芯片使用了富弹性的闪存接口设计，能支持各闪存晶圆厂所提供先进主流的SLC&MLC闪存，其外挂式DRAM架构的设计，不仅有效提升读写效能，与非外挂式DRAM的控制器芯片相较，在随机写入(Random Write)效能上，有高达100~200倍的差异；同时亦解决现今市场上非外挂式DRAM之固态硬盘控制器，在操作系统做多任务处理时可能发生系统停顿的现象，由于大幅降低闪存的抹写次数因而大大增长了SSD固态硬盘寿命。


LVT820和LVT815芯片采用0.11um先进制程与最新的LFBGA绿色环保封装技术，其应用产品-闪存的固态硬盘(SSD)具备了无噪音、低功耗、体积小、重量轻、防震、高读写速度及寿命长等特性，为新一代储存设备的主流趋势。


联钜科技自即日起提供产品样本和产品应用的参考设计供制造端客户做验证测试与设计，并预计于今年第二季导入量产。




***图为LVT820/815固态硬盘控制器芯片及其SSD应用产品