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经过一定次数的高剂量离子注入光阻层的清洗步骤后,采用SiGe的PMOS区很難保持超浅结(USJ)的完整性,尤其是採用與45nm相同步驟的RTA(极端快速热退火)以及與後續CMP之後這種效應更加明顯 目前為止,導致這種現象的成因不明,我們只有選擇暫時放棄通過RTA來修復溝槽
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这个不是问题,总可以解决的·· 唏嘘的猪肉佬 发表于 2009-5-5 14:16
成品率低?新品,会改进的。台积电也不是吃素的啊。 天涯孤狼 发表于 2009-5-5 14:21
TSMC面对NV 40nm 束手无策,这个应该适合点,最起码人家ATI都有成品而且开卖了,NV却啥都没有 绿色床头灯 发表于 2009-5-5 14:50
无论怎么样,或者说4770烂成什么样,等着看它在这半年占领这块地方就是 如果NV敢下打 那么4770直接500米,两家都不活 当成本和性能优势都在自己手上的时候,AMD营销部门虽然烂到不入流,却也不会玩的太凄惨 嘴仗和心中的恶意是改变不了这个事实的 不过AMD在中国的营销是烂中之烂,也是事实 至于报料,起码给数据啊。给成品率产量之类的东西 玩相机的知道没图没真相 玩芯片的自然都知道没数据没真相 是不是我也可以“报料” NV高层狠4770狠的牙痒痒?然后缀上 “本主题不具备偏向性,只是基于事实的陈述,希望理性讨论 PS,各位有料的可以来交流下,私下PM也可”deathwaltz 发表于 2009-5-5 15:51
版主能说的清楚点不。。具体事情不知道啊 红发IXFXI 发表于 2009-5-5 15:55
12# Asuka 别的不在乎,在乎的是4770上市的日期。。。 版主哪里的消息说会是7月。。。请指点。。。 hansomehy 发表于 2009-5-5 15:57
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