POPPUR爱换

 找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

手机号码,快捷登录

搜索
楼主: shu0202
打印 上一主题 下一主题

关于RV740的40nm工艺……

[复制链接]
21#
发表于 2009-5-7 11:21 | 只看该作者
LZ的最后一段令人遥想到与R300和NV30何其相似。
回复 支持 反对

使用道具 举报

22#
发表于 2009-5-7 11:24 | 只看该作者
AMD不赌博也得行啊,毕竟实力和金上落后太多,而且现在也不是划时代的变革,暂时不会有当年NV赌博赢3dfx的机会了
回复 支持 反对

使用道具 举报

23#
发表于 2009-5-7 11:26 | 只看该作者
期待RV740
回复 支持 反对

使用道具 举报

pharaohs1024 该用户已被删除
24#
发表于 2009-5-7 11:28 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
回复 支持 反对

使用道具 举报

25#
发表于 2009-5-7 11:30 | 只看该作者
A饭和N饭之争,有点象选举,双方都在摇旗呐喊,比的是士气。人气、士气高了,或能影响人们的购买意向。

咱们不上当,谁的东西好,就买谁的,其它的不管!
回复 支持 反对

使用道具 举报

26#
发表于 2009-5-7 11:48 | 只看该作者
你连AMD和TSMC之间的芯片供应协议基本内容都没搞清楚是啥,谈什么良率呢
Asuka 发表于 2009-5-7 02:39


请问A版这协议基本内容
回复 支持 反对

使用道具 举报

pharaohs1024 该用户已被删除
27#
发表于 2009-5-7 11:57 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
回复 支持 反对

使用道具 举报

pharaohs1024 该用户已被删除
28#
发表于 2009-5-7 11:58 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
回复 支持 反对

使用道具 举报

29#
发表于 2009-5-7 12:21 | 只看该作者
11# Asuka

对于新制程,20% 已经是可以接受的良率,这个良率意味着不存在重大的技术障碍。
就RTA 而言,影响局部的清洁度很严重,比如在Si 工艺中,金属杂质的含量影响可能超过一个到两个数量级,局部杂质超标会如何呢?漏电大,特别是高频率情况下,漏电会无法控制,当然,频率也上不去。
目前的情况是,RV740 可能良率不理想,但是频率已经飙上来了,功耗不如预期乐观,但是仍然也是一个不错的结果,RTA 这个问题,应该已经解决,而不是不做了。
从过程上看,RTA 问题,在RV740 第一批流片的时候应该是个问题,目前进入量产,如果仍然存在,只能说量产是失败的,而不是目前的情况。
另外,AMD 后端也参与了40nm 的工作,基本满意吧,TSMC 的40nm 其他客户比如Altera 相对比较满意。
回复 支持 反对

使用道具 举报

30#
 楼主| 发表于 2009-5-7 14:08 | 只看该作者
本帖最后由 shu0202 于 2009-5-8 21:37 编辑

11# Asuka
抽空回复你巧言令色的说辞:
一、AMD、NV和TSMC的合作方式不同,但是并不是说AMD就能够对TSMC的问题漠不关心。AMD必须考虑TSMC所能够提供的工艺水准的现实性而不是一味强求杀鸡取卵;TSMC也没有义务为了成就AMD而使自己蒙受重大损【请注意用词】知不能实现量产目标的话AMD必然要选择适当延期然后逐步解决问题的方式,TSMC也完全能够提出延期的要求而不是必须报废大量晶圆。而且延期的情况又不是没有出现过。目前HD4770能够正常买到,国外各家品牌的产品都已摆上货架,不存在有价无货的情况,并且价格战已经展开,显然在成本和生产数量上AMD和TSMC都能接受。你的说法根本就是耸人听闻。
二、HD4770的正常上市同时证明工艺上不存在难以逾越的障碍。照你夸大其词的说法HD4770只能是火星生产的,因为40nm工艺由于关键环节存在严重问题而不能使用。而实际情况是HD4770在频率和性能上都实现了AMD预期目标,功耗上面也没有成为什么问题,这说明TSMC的40nm工艺稳定性不错,不存在什么工艺质量无法控制的情况。
三、你的什么“内部人士”云云能比TSMC公开正式的声明更权威恐怕没什么说服力,你所说的TSMC领导层说谎也只是你个人立场,TSMC的所谓“匿名员工”出卖内部情报来让你诋毁TSMC的工艺你不觉得荒唐到了极点?他拿什么来证明他帮助你揭露TSMC领导层公开声明的骗局来坚持新闻的正义性?所以你耸人听闻的言论甚至还不如我基于RV740正常上市的事实的推论更可靠,虽然你试图用欺骗外行的“专业术语”来装点你的谰言。
回复 支持 反对

使用道具 举报

31#
发表于 2009-5-7 16:13 | 只看该作者
其实4770的公版一开始设计的那么豪华就是针对初期制程上遇到的问题吧,经过延期后新一批4770芯片要求不那么高了但是公版PCB又定做了不少,就只好在上面省点料了
回复 支持 反对

使用道具 举报

32#
发表于 2009-5-7 17:46 | 只看该作者
11# Asuka  

对于新制程,20% 已经是可以接受的良率,这个良率意味着不存在重大的技术障碍。
就RTA 而言,影响局部的清洁度很严重,比如在Si 工艺中,金属杂质的含量影响可能超过一个到两个数量级,局部杂质超标 ...
tomsmith123 发表于 2009-5-7 12:21


RTA跟所謂的局部清潔度沒有聯繫

如果一定要說什麽雜質的問題的話,極端快速熱退火會在基體內產生空位的表面反向擴散,顯著抑制渗透扩散作用,從而導致摻雜進行的不順利,但這通常不會導致wafer表面的所謂金屬雜質堆積,更何況TSMC並未掌握任何實質相關的金屬擴散工藝

RTA的作用在於通過退火過程調節介面和溝道應力,同時通過瞬間的動態再結晶來修復S/D延伸中形成的損傷曾,但這一切都是建立在清洗完全同時沒有有害擴散和表面缺陷的前提下的,如果清洗導致MOS位上出現缺陷,那麼RTA過程會將基體內的空位大量擴散到這部份缺陷周圍并形成塞集,然後結局就只有整個基體順著被塞集放大的缺陷出現崩毀或者破損了。基本上,這就是目前的狀態下必須放棄RTA的原因
至於CMP,問題會稍微複雜些,遠沒有RTA這麼單純,所以暫且先不詳述了
回复 支持 反对

使用道具 举报

33#
发表于 2009-5-7 17:47 | 只看该作者
期待RV740
回复 支持 反对

使用道具 举报

34#
发表于 2009-5-7 18:27 | 只看该作者
普通消费者谁在意良率不良率的。只要知道价格和性能就可以了(做工等另说)
现在740性能不错,超频挺好,功耗较低。样子难看。价格便宜。
知道这些就足够了。
回复 支持 反对

使用道具 举报

35#
发表于 2009-5-7 18:28 | 只看该作者
当然ATI为了清仓4830没让740在大陆出货让人气愤~
回复 支持 反对

使用道具 举报

36#
发表于 2009-5-7 18:35 | 只看该作者
39# mooncocoon
我理解的RTA 是,Rapid Thermal Annealing,不知道是不是有误会。
从我的印象里面RTA 对于Si 工艺的金属杂质,如铁的影响很大,有实验表明基本差距在1,2个数量级,联系到40nm的漏电传说,想到可能是RTA 相关的问题。
回复 支持 反对

使用道具 举报

头像被屏蔽
37#
发表于 2009-5-7 18:43 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
回复 支持 反对

使用道具 举报

38#
发表于 2009-5-7 19:09 | 只看该作者
只要AMD敢卖低价,偶就敢买
回复 支持 反对

使用道具 举报

jack099 该用户已被删除
39#
发表于 2009-5-7 19:58 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
回复 支持 反对

使用道具 举报

头像被屏蔽
40#
发表于 2009-5-7 20:43 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

广告投放或合作|网站地图|处罚通告|

GMT+8, 2025-8-23 17:32

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 POPPUR.

快速回复 返回顶部 返回列表