关于RV740的40nm工艺……

mooncocoon

39# mooncocoon  
我理解的RTA 是，Rapid Thermal Annealing，不知道是不是有误会。
从我的印象里面RTA 对于Si 工艺的金属杂质，如铁的影响很大，有实验表明基本差距在1，2个数量级，联系到40nm的漏电传说，想到可 ...
tomsmith123 发表于 2009-5-7 18:35

極端快速熱退火確實是Rapid Thermal Annealing，你沒有記錯
但是在作用方面，你記錯的不是一星半點。而且漏電本身與所謂的金屬雜質也沒有一點聯繫。不管是亞閥隧穿還是感生，這些漏電統統與所謂的金屬雜質沒有一點聯繫。
另外，相對於柵氧層減薄50%之後導致的12至13個數量級的漏電量增加，你記憶中的1.2個數量級根本就不能算是影響，更無從談起會快速放大下游效應了

RV890

投票机最近涨价了，怎么办啊，我还想给RV740多投几个反对票呢。

mooncocoon

良率不高是和RTA条件不当和次生关联效应有关的，在现代工艺中完全不用RTA是不可能的，这是常识，正如你上面所引述的，RTA除了能激活注入掺杂，还能实现低阻Si金属化，调节S/D-ext浅结界面, 修复缺陷损伤，以及改变沟 ...
AN_Fusion 发表于 2009-5-8 13:13

既然你也知道RTA具有很多作用，那也应该知道RTA对于浅节外延的缺陷度有极端严格的要求才对～至于晶化，那可不是RTA而是PRPTA的工作。
没错，RTA的作用是很多，但并不能胡用瞎用，三温期的时间和温度的细微都会导致不同的输出结果。另外，RTA可不是激活扩散掺杂，因为RTA导致的空位向基体表面的反向快速扩散，基体内浅层的缺陷密度会大幅降低，扩散过程会在开始阶段因为扩散动力的急剧下降而停滞，也正是因为RTA对扩散的抑制作用，如果没有掌握好闪光退火以及双退火联合的次数，顺序，时间及温度等环节，仓促并且盲目的直接使用RTA纯属自杀的行为，这才是常识。

shu0202

56# mooncocoon
我对工艺这方面的问题不懂，我只想问：RTA并不是在40nm工艺中能用不能用的问题，而是怎样合理使用的问题，是不是这样？

mooncocoon

57# shu0202
首先，并不是任何40nm工艺都不能用RTA，但也不是所有40nm工艺都能没有限制的直接使用RTA的。
另外，相对于RTA来说，CMP的问题要致命的多

ak75

撇开a版提及的那么多深奥专业词不谈，楼主的分析是很有逻辑而且通俗易懂的。

当然NV在制程上的保守可能可以解释现在的情况，但不代表以后他的优势可以继续保持，就现有的架构来看。

740试水的成分更大，目标应该是为870做准备，问题是有，但40 nm估计正在逐渐改善。

策略很简单，就是为870铺路，在下一代成熟运用40nm.这样的话制程差距就拉大了，这个对NV很不利。关键是，就算AMD 40nm不行，NV这边有什么可以拿出来完成下一代任务的方案？继续55nM?NV的设计应该能保证55nm下，下代卡的成功，关键就看功耗了

DrewGooden

卖Chip还是卖Die是商业上的秘密，不知道版主是如何得知的。。。

aylwyn

永远BS NV这么多的马甲！

mooncocoon

60# AN_Fusion
你。。。真的知道你以及我在说什么么，我什么时候跟你说的是一回事了。。。
至于所谓的堆砌名词，恕我无能以及教育的失败，我7年的材料学及冶金物理化学学习过程没接触到用大白话解释反应过程与问题的部分，在您面前我承认才疏学浅，我错了，接下来9月份开始的6年的学习过程中我会加倍努力的～
好吧，其实这个故事告诉我们，我跑来回帖纯粹是吃咸了。。。

fjy248

做版主做到某A那样确实难得，在此佩服一下。

lswq1978

管他良品多少，只要市场有卖，我能买的起就行！

tomsmith123

60# AN_Fusion
我和IC 最接近的是做过半年的前端，总体上，我还是做系统结构的，所以后端和工艺一般是接受教育的。
其实很多时候，只能从侧面了解一点leaked 信息，然后猜想，本身我们接触的就不一定是事实，再加以猜想就更难说了。

tomsmith123

71# AN_Fusion
算不上小伙了，人到中年了，在这里不很某种水产。

mooncocoon

我一直不知道如何跟不知道自己在说什么的人沟通。。。
好吧～小伙我只好像往常一样躲到一边去了～您继续吧～

其实我也有错，我为啥总能遇到无知的气球呢。。。