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求助黑潮BI-100 OC E5200 4G(320*12.5)OR时掉电0.04V这是为什么?

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1#
发表于 2009-8-27 14:08 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
求助黑潮BI-100 OC E5200 4G(320*12.5)OR时掉电0.04V这是为什么?
: Q! N) [( v# K求助各位高手解答一下,在不超频的状态下 OR 不掉电,基本上BIOS设置多少就是多少, 超到4G后掉电严重 掉0.03~0.04V,另外问一下是不是与超到320外频有关系,北桥和FSB需不需要加电压??????
2#
发表于 2009-8-27 14:22 | 只看该作者
掉压与电流相关,超频后功耗大增,cpu电流提高很大,vdroop开始起作用限制超频,intel自称是保护cpu,呵呵。
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3#
 楼主| 发表于 2009-8-27 14:22 | 只看该作者
沙发招租..................
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4#
发表于 2009-8-27 14:23 | 只看该作者
沙发是我的
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5#
 楼主| 发表于 2009-8-28 09:36 | 只看该作者
我想是和主板电路有关系吧,LS再给解士一下
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6#
发表于 2009-8-28 15:45 | 只看该作者
wo 的BI 100 也掉电0.04V
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7#
 楼主| 发表于 2009-8-28 18:48 | 只看该作者
难道就是板子破啊,也是这个价格也没什么好讲的了,
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8#
 楼主| 发表于 2009-8-28 19:23 | 只看该作者
DDDDDDDDDDD
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9#
发表于 2009-8-28 21:46 | 只看该作者
CPU的几个关键电压6 n+ M  k+ w9 b1 N! R

1 X6 [7 l" C: |7 J(CPU各个关键电压的权威定义来自于intel官方-_-!并以P45主板为例)6 b0 k. \9 L/ F

& h9 ]2 E5 _2 L" G=========================================2 o/ D2 a7 ?4 ~' t' x+ J
Vid            标称电压-定义CPU供电电压
. C4 i, m8 F$ e$ l: b* NVcc           核心电压-实际核心工作电压 (超主频必须调整电压)1 ^; _( ]9 k9 t2 o; n+ m
Vdrop       Vid跟Vcc之间的差值(主板供电电压=Vid时)+ e& g, f8 p) {1 j  i- X: P0 W
                (广义掉压,开启LLC时,Vdrop为固定值。)
9 C9 j& y. y' N6 b- }Vdroop     满载Vcc跟待机Vcc的差值,狭义掉压,; N% k  H! O  O" u, P5 Q8 M
                (包括在Vdrop里面,开启LLC时Vdroop≈0)
9 y1 y+ p" J! _/ a$ \' dVtt           FSB电压-定义前端总线电压(超外频必须调整的电压)1 J2 I7 d7 N6 L
Vpll           内部频率发生器电压-驱动频率发生器产生需要频率& t& D% a4 {/ L
9 k1 I+ t( m% t7 u7 m6 W$ f% B
=========================================. C) K8 H4 g( p, C2 L2 `, ^
Vdrop9 ]$ X( S3 Z! r. k
- E9 `7 u9 \! G5 a  n
Vdrop(俗称掉压)是intel规范使然,CPU不是理想导体,不掉压反而不正常。* c0 ?1 R" L1 K" x1 F2 e
掉压是动态线性的,根据Icc(核心电流)进行变化,核心电流越大,掉压越严重。(PS:你的U不掉压的话等于主板没有遵循intel规范)( J, x$ ]7 W& J, R  b( I/ t
=========================================
7 R% U9 R' w: A; N! H补充一:8 c- l: G* p! J  W
(继续以P45主板为例)
9 I7 }1 D2 a3 b0 `' a这里的掉压是指主板设定电压与Vcc核心电压出现的偏差,
9 ?: |3 j( _# H5 A* a# Y不是指CPU满载Vcc的下降,不少朋友所谓掉压是这个意思,这个是intel规范使然,正常现象。' _( g/ ]3 u( L
开启LLC后Vcc不会随Icc下降,此时CPU核心供电已经没有遵循intel的规范了,2 }" K0 j+ q' |
开启LLC的目的是固定Vdrop,让Vdroop为零,请注意这一点区别!
$ h3 v1 ?. }* w  {$ V* k2 SLLC的原理其实就是动态补偿电路,再说白点就是CPU供电动态加压系统,% `- ~0 `5 r! K: l0 K6 v# u0 s' m
打开LLC后,待机满载主板都会加压,此时主板实际供电电压比intel规范都要高,1 E5 G! K2 j) M* o2 s
因为intel规范里待机电流功率比较小,Vcc不需要那么大,但是LLC强制把Vcc加上去了。
! n% Q4 K- _+ K, J( v2 N  [9 R=========================================$ N4 b/ l/ {6 q/ a
补充二:* I& }' `. ?; G$ q# y3 X: o$ ]. D
(以下以E8XXX系列的Vcc为例)
; x& _( c2 |9 x# t" Q' H6 Nintel并未规定CPU的核心电压Vcc绝对高低限而是一个动态范围,
; F7 m: h0 \1 s( W, Y. y但对核心电流Icc统一规定75A,因此决定CPU是否处于安全状态是看Icc核心电流,, }! I1 t3 P6 K. M! D
满载超过75A,TDP功率超过65W无异就站在危险的边缘了。2 K  O: x3 J- L0 E
其实满载Vcc在VID附近能够稳定就好,高于VID太多用寿命肯定会打折扣,
" L9 m0 x4 C; n* W8 j/ u5 Q  w以E8400为例,以低于VID越多的Vcc稳4G说明体质越好," T7 c8 ^  Y# N$ H. b! b* E+ \
而不是单纯的VID越低体质就好,这是一个很大的误区。& a% v& ]- f2 |2 Z
一般来说VID越低,阻值越低,电流很容易彪上去,体质越差。
6 ~, m: @* V' x' u# w1 q(这点对一个CPU的体质衡量、超频是否安全比较重要)
: x/ z8 @# [: f, L( ~=========================================  l& U# L6 o3 n9 H& D
补充三:- q5 {6 J$ M2 h( V9 z' L( I
插入一些CPU供电规范基本知识# C7 y0 c9 V+ O5 _; ~; Z
INTEL VRD11供电规范(有点旧)以及Vdroop的伏安特性示意图
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10#
发表于 2009-8-28 21:47 | 只看该作者
INTEL VRD11供电规范(有点旧)以及Vdroop的伏安特性示意图" }6 \/ @# s- a9 H  D& \0 a

& `# P: e% A  `$ x; i) S
! n8 _. P1 ^/ b" D5 W/ i* ~2 G& v
6 P8 u, G" ^: ]0 R0 G以下整理自狐李大学士之观点:
- q0 ]! c8 Y& ~    1.CPU供电从PIII 时代的+5V跑到现在(从P4开始)的+12V 。0 A5 M% H& U( J! G6 @7 w- o4 M5 v
    2.因为在提供给同等电力的情况下,电压越高电流越小。+12V电压是CPU 电压的10倍以上,因此电流也就是十分之一,因为这个电力不是直接供给CPU或通过串联型稳压电路供给的,而是经过了一个BUCK型PWM,这是一个能量的转换装置,可视为直流电路中的变压器(类似于变压器可以将交流电进行变换,直流电要变换就需要这样的装置,它比变压器构造复杂非常多). |9 v; v' D; n5 ~6 |* x
    3.当然这是理论值,实际上BUCK PWM转换电路的效率没有那么高。因此也可以认为,如果CPU供电回路(12V2)中的电流达到10A,那么CPU中的电流有上百安培,这可一点都不奇怪。4 |6 r; `& h- _, E" I% c
    *为何电流会变大呢?这个巨大的电流是来自于电容和电感中蓄存的能量,即电场能和磁能,这和变压器类似,变压器次级线圈中的电流是来自于变压器铁芯中的磁场,因此它可以比初级线圈的电流巨大很多。
" |. L! q) o8 c0 I    **所以,CPU 供电电路对电容和电感的品质要求非常高,品质不良,ESR 巨大的电容是会把电路烧掉的。
4 `& ]  y' }0 O  q9 S! \, ](由狐李学士的话得出结论:CPU内部虽然电压很低,往往不到1.5V,但由于VRD供电规范导致CPU内部电流能达到数十安培,而大的电流往往会对主板供电电路有着比较高的要求,因此超频的玩家往往选择项数多、质量好的主板,原因也在于此。另外大家买电源的时候也可以发现,一些旧电源的+12V供电电流比较小,而+3.3V、+5V电流却比较大,这都是遵循旧规范的原因,大家在升级电脑的时候都要考虑到旧电源是否满足新平台的供电规范。)
7 a. F/ K1 e- i7 r2 x8 h8 A" x5 [
+ F5 E/ c8 O( w=========================================
, B' @( q, l) H最后附上Vdroop伏安特性,虽然Vdrop和Vdroop一字之差,但含义稍有不同。
/ Q, g3 {+ E7 G, u6 r0 Y- YVdroop的伏安特性,(以VRD11为例。)
# I4 q- t% i, K
  w9 y8 T' u! A0 V过大的电流会产生Vdroop。这点也是为什么INTEL要不断改进制造工艺的原因之一。
: e' v# t8 a6 u" C
# [" c" F2 b6 w/ a9 @7 o5 ~% r( t( g4 U
& e& X8 T- E2 J( `PS:部分资料归纳整理自互联网及狐李学士。
$ j. k; K# _$ `$ Y! n1249363453040.jpg (77.73 KB) 1 k) X4 u  T1 x2 E4 g( b! l

8 r8 Z6 C/ p6 _0 Z  X$ J下载次数:0
: y$ L  d7 G/ ~+ Z8 D& y
/ z+ @# n5 n! ?& a( R2009-8-27 12:21
: }% _2 p# c2 S6 E- N9 q9 \- X/ v1 p5 P: S8 w) S
7 A  D7 ~3 O& g: a: Y2 b5 D# R# o
0 D3 J5 w/ t* L# h1 L% \5 U
/ d2 U7 u/ q& x+ ^5 z, N
1249363506485.jpg (72.71 KB)
4 t7 k! l9 G/ M, p6 `3 c- H& [3 v
7 r3 f1 g6 ^: H! d下载次数:0
8 j2 Z* ~6 m, J$ o# `0 W: F& E  K( ~, }
2009-8-27 12:21
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