风系列解析P55第三部-MSI P55-GD80搭载OC GENIE最新超频系统实测

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4 J5 s/ _" D6 y, I" E1 G2009第四季的热门Intel新平台，个人认为应该就属于LGA 1156这个架构
  P) S( d- L( h4 D5 b5 N在9/8开始全球贩售之后，让消费者等待许久的高阶以下、中阶以上的新Intel组合终于上市。
( U8 X8 v6 c- U5 q
未来一两年内，LGA 1366平台依然是Intel最高阶的产品定位，将会推出更高阶的32nm 6核Core i9
LGA1156不同处主要在于DDR3改为双通道，双PCI-E频宽降为X8+X8
) \3 \1 j0 L3 V0 w/ }2 OCPU核心技术依然是以Core i7为基础来延伸，未来P55也会有32nm的双核Core i3支援
X58是Core i7往更高阶的Core i9迈进，P55是Core i7往更平价的Core i3来走
( n& D7 \( k" ^2 iIntel在这两个脚位的产品路线往后将是不太一样，消费者在选购时要多花时间去比较评估。

7 _: B* P* D; }第一款支援LGA 1156规格的晶片组代号为P55，也是Intel先前很罕见的单晶片设计
0 ~2 u4 V; P0 C7 i: H  g原本预计还有P57的推出，但依目前的网路消息指出，Intel未来应该不会推出P57晶片组
所以P55顺理成章地成为目前唯一的LGA 1156晶片组，也是各大MB厂所要推出的最新主机板产品。
; a! C5 F/ [( t: V
MSI在这波产品线中也快速地推出四款P55产品
此回入手的最高阶产品之一，完整型号为MSI P55-GD80
首先看到产品的外盒，MSI近期的MB产品都用此外观包装。
; d. ]" z+ {! I2 E* \嗯...该怎么说好呢？图案虽然称不上难看，但感觉没有让消费者有太深刻的印象
若以此图案做为中低阶产品外盒那还算说得过去
不过也许有人喜欢这种简约的设计，每个人的观感并不一定相同

. C  U! @% Y5 H6 @+ C5 G
MSI P55-GD80外观全貌



, B- o1 U( r( Z. W5 H6 _7 W
/ N6 d. z2 d5 W* S主机板左下
3 X PCIE X16(支援ATI CrossFireX与Nvidia SLI技术，频宽为X8+X8+X4)
2 X PCI-E X1
2 X PCI
  k6 b2 ~5 f' g9 H3 ~% f: YRealtekR 8111DL双网路晶片
+ D6 e8 b2 t2 I& c5 ^3 ~' G$ O% @音效晶片为RealtekR ALC889 ，蓝光音效品质，最高可达7.1声道
5 n9 `0 r( B& G2 S
8 N" @  d2 h1 J) s# e- S0 w
主机板右下
6 X SATAII(P55提供，支援RAID 0/1/5/10)
2 X SATAII(JMicronR 322提供，支援SATA RAID 0/1/JBOD)
1 X IDE
触控式Power/Reset/Green Power特殊按钮，MSI的Easy Button 2
) O9 D9 j# A9 O; U  A9 n; |OC GENIE自动超频按钮，+/-按钮可以直接由此处更改外频
; X2 n5 Y9 ]$ n0 p除错灯号，clr CMOS按钮
) F, _" E8 l- d
8 g3 r6 |1 Z8 k3 D1 f
主机板右上
/ k* a) s$ ~1 t# A& l0 A5 U$ P4 X DIMM DDR3，支援双通道 DDR3 1066/1333/1600/1800*/2000*/2133* (OC) 记忆体
其中1600是要使用Core i7才会有的选项，1800以上是需要在超频状况下才可达成
24PIN 电源输入，DDR3使用2 phase供电
V Switch可以由JUMP切换电压，可以将BIOS内最大值电压再往上加0.2V
6 s% \7 L+ v( L* f+ }旁边的蓝色区块为V-Check Points，使用者可以利用电表直接测量系统电压
/ @* i% x, X+ ~  Y/ b' {

. @1 x6 o% A& Z主机板左上
/ E6 B' @( M! i3 }7 C# ?% r6 G9 `CPU使用8相供电，VTT2相供电，皆支援DrMOS技术
: ^5 l, q' S/ }0 z' Q; L

4 L7 K/ N: f. z7 n: V$ `IO
7 X USB 2.0
1 X eSATA / USB 共用接孔
1 X IEEE1394  
- K  s- }4 `8 L2 c# g, {+ _# G5 t2 X RJ45 网路接孔
% f4 u8 N! e7 N% @; _& {: i" H1 W
- P. `/ Z# M2 G3 Y6 @9 G
  I3 O- R* d, U' e% @' G+ }中央散热片为中继点，传导上方MOSFET与下方P55的热量
上方灯号可以显示系统使用的供电相数

% Z7 Q' k: q4 p# [$ x
0 _0 D5 d2 X: E/ W& x+ ?/ E% o3 D这个位置为P55晶片组，PCH 2相供电
( b4 d# T: x* t& `4 z! F# \MSI这次的新款散热模组看起来美观度增加不少，质感也不错

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7 Q7 w9 p% W! H  m6 k0 O
OC GENIE，号称一秒内可以找到超频设定值的晶片

! s  c* p& h9 U9 e4 X# V
  J/ {+ X2 {$ J: z% }% o- M5 M
! b0 V( x8 V' M% J/ d7 i! V3 O- [P55-GD80开机画面
9 Y" U  w0 e* p& K4 M6 m8 s/ b开启OC GENIE功能的话，此画面会有字样提醒


Cell Menu
9 c9 z: [0 P' X0 L- A7 Q3 j主要效能设定页面


( P+ M, x% O, _: f, D/ l电压选项
CPU Voltage 0.90000~2.10000V
CPU VTT 0.482~2.092V
PCH 1.8 0.200~2.400V
DRAM 0.930~2.430V
3 H6 f' c0 C# |: D2 U% BPCH 1.05 0.464~1.964V

! ^) H) U9 M' V# M* `5 B/ k
: ]. Z8 i6 `$ XCPU Feature
C1E那些就是使用率低时，CPU时脉会降低来达到省电功能
; N7 }% p8 C( X% j新架构在这边功能也比较多，C-State就是Intel新自动超频功能
开启时Core i5-750全速时会自动升到133 X 22 =>2926Mhz来运作
7 h% d- o- p6 t

显示DRAM参数页面
* D3 X' S: ]$ |% F) V* h

DRAM参数设定的页面
开启后有不少的选项供设定


OC Stepping，简单地说就是分段式超频
# f' A/ ~1 V, v8 b( W: x5 d2 S, p7 T如图中设定来看，开机为190Mhz，进到OS后，会以2秒升1段的速度跳到200Mhz
8 m: Y) n7 L6 G如果设为5段的话，就是2秒为一个时间点，进OS下开始从190->192->194->196->198-200Mhz。

: t, S: @0 S4 e
使用者可以依自己的习惯设定来存档，节省设定的时间
5 ?6 L$ w3 ^6 K* ?0 @画面中提供6组记忆空间可以使用
! O/ ]& B8 A2 h: `! N% P
/ p# E/ o. R/ `7 `/ T9 k; S
H/W Monitor，,系统电压与温度状态

& M7 l' @) v9 k6 D/ Z* ?5 L1 {
以上画面也顺便提供小弟在MSI P55-GD80的BIOS设定
) P1 }% M$ t  e+ ?& ]/ \200/2000 CPU为4GHz的状况，不过超频因为各项配备体质不同，需要依状况不同再做电压的微调
就算是同样型号也同样周期的Core i5-750，也常常因为体质有落差，使用者需要再加减电压做稳定性确认。

windwithme

6 |  \* X# O8 P, t' b) `: ^8 Q
$ k' V" P; h* D& S测试平台
! m; R+ ^5 n; O% e9 xCPU: Intel Core i5-750
0 B; L' l$ ]- ?6 j, uMB: MSI P55-GD80
DRAM: CORSAIR Dominator 2GBX2 DDR3 1866C9D
0 V+ k, F, y) i2 {0 q, B8 ^# ^; Y. cVGA: MSI R4890 CYCLONE DDR5 1GB CrossFireX
HD: CORSAIR CMFSSD-64GB2D (RAID 0)
4 S7 c8 M$ J  r  f- wPOWER: Antec TruePower New TP-750
Cooler: Mega Shadow(Deluxe Edition)


% |$ K" }& p* t/ SMSI在OS下搭配的软体-Control Center
- ^' l. |8 R, {: ~3 m显示硬体的相关资讯

; J, f0 R; w; W) w% ?
更详细的CPU资讯
不过显示Core i7应该需要再修正
4 J4 w( P& M' e. [
' |% f3 p+ r' g+ a$ q
# H$ _4 N. P4 S  O9 \目前电压与温度的状况，也有省电功能所节省的W数


这个页面可以手动调设定值，主要是FAN的转速
' Y% n" P+ v( n( b  v; C
6 S! i& D3 Z8 Q- X" A, s
主机板上LED灯号开关设定.状况

6 E3 ?& I0 W% h) ]# w  E' X3 V  R
各相供电目前的温度状况
6 k6 m. y$ M3 M- o; f
' F+ d  {- s, j. [. D  m' r
Control Center比起先前MSI的OS软体已经进步很多
印象中先前的MSI软体不是很好用，使用双页面控制很多余之外，还有相容性或软体功能较少等问题
! ~$ \- B- |& L  Z. R. Q7 q) Z/ Y. d新版的Control Center看起来简单易了解，画面美观度与功能性也提高很多，这方面看得出来MSI有在努力。
8 K& U8 W6 @* T( u6 x. k& u

. O5 s, d' i0 Z, y3 S# a进入实测部分
CPU使用Intel Core i5-750，时脉为2.66GHz
一般使用P55主机板，开启Intel超频功能Turbo Boost Tech最高达到2.80~2.93Ghz
  Z4 n( Q" z' u) s1 y8 p
& e/ q( p8 j8 Z: K3 I7 e比较MSI的OC Genie系统有何不同处
按下OC Genie按钮后会发出蓝光
/ O; |# m" d% J  q0 \! y
" C3 Q( o3 d7 B
进入BIOS后的自动设定值
* w4 Q) X, o; QCPU 197 X 17 => 3.34GHz 1.400V
DDR3 1576 CL9 9-9-24 1.740V

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OC Genie启动后在OS下的状况
, F5 l9 q8 O, f! z

1 V& i+ @  p1 Z! ]& K" o0 fHyper 4 X PI 32M=> 11m 51.252s
CPUMARK 99=> 516
; @: l3 M  ]  J, `  U

5 K- R. o1 K9 @2 y6 B, D5 eNuclearus Multi Core => 6449/9414/27970
Fritz Chess Benchmark => 20.54/9858
; D/ P& X8 W  c# n7 M8 b; `8 |
5 m! ]% p5 m/ B: l2 c( [8 A0 M
PCMark Vantage => 13111

! \/ o) |; E1 @+ r  d3 G5 X
MSI OC Genie的功能开启后，大约会比Intel Turbo Boost Tech还多超一倍以上的效能
: Y$ c' V8 `3 @- ]% \, L对于一般不熟悉BIOS设定或是没有办法花那么多时间调效的使用者来说，不失为一个很方便的超频功能
关于缺点的话，应该是自动找到的电压有点偏高，日后若能在电压设定方面能更精准会更佳。
6 t* N5 k! j! K5 [5 T
! G! P9 h9 v0 h. U1 A7 J% i
) a3 R$ n0 ~3 L  U电脑选择的超频测试结束，再来就是windwithme我自己手动选择的设定
当然以稳定前提之下，为了让电压更低、参数更优秀，花了数天时间才找出来的最佳设定
  r2 w: w/ _  x6 ^+ M
CPU 200.5 X 20 => 4010MHz
DDR3 2005 CL9 9-9-24
OS设定状态

( J8 I1 [+ [3 Q
Hyper 4 X PI 32M=> 9m 56.015s
CPUMARK 99=> 621
, y' V# W8 g: f; G4 D- C
5 A5 f1 c) d& e) R: R' \5 J
6 N; V9 N1 K+ d% pNuclearus Multi Core => 7616/11373/31711
Fritz Chess Benchmark => 20.54/11834


PCMark Vantage => 15231

) G) j  D$ T5 @# q) I! b$ q
CrystalMark 2004R3

, V8 z0 I; u2 F5 f0 Y
# Q5 c8 ~6 f+ k' T, DCINEBENCH R10
  N+ {: T% c$ d, I: K+ K# d1 CPU=> 5680
x CPU=> 20590

windwithme

Sandra Memory Bandwidth -24517 MB/s
# T# L( E% r6 J' `0 xEVEREST Memory Read -18357 MB/s


+ L: {% V' V3 o$ |8 N. w' f; a+ mP55-GD80在200/2000的超频黄金比例电压数据也相当漂亮，MSI在超频方面给人以往不同的感觉
以前使用MSI主机板的经验，BIOS方面有时会有些小问题或是DRAM超频能力不像其他家那么高
不过在P55-GD80上已经没有这种状况，调效BIOS的过程中都相当的稳定，超频幅度也追上其他大厂的水准。

# k  }0 P! ~, t" K
最后测试项目再拉高频率等级，直接达到210/2100做测试
0 W/ V' f: \6 e8 _+ d& O5 n% E+ o/ OCPU 210.5 X 20 => 4209MHz
DDR3 2105 CL9 9-9-24
; H/ V6 A% t/ B, y6 BOS设定状态
2 i5 R2 k6 P0 l+ m+ N6 Q
. Y+ g0 U2 S& q% r; j$ f5 w
! V# ?$ w( i9 B- f+ M: D0 c' k
Hyper 4 X PI 32M=> 9m 28.823s
5 o$ I& R1 O  h7 @8 F0 E9 uCPUMARK 99=> 651


! O( U, J4 B) U* B1 n/ m  }Nuclearus Multi Core => 7977/11893/33234
Fritz Chess Benchmark => 20.54/12362

6 R* f. d" O6 Y: h0 f4 O
& X0 Q3 R3 h9 |/ ?7 v0 GCrystalMark 2004R3

5 c' U: r8 s- N& f
& d5 @. R  g- T" o8 r3 KCINEBENCH R10
" ^- T) k& |' j1 \4 `! y: X# ]1 CPU=> 5950
x CPU=> 21514


  ~3 }* w& X1 r9 t( I5 ^7 iSandra Memory Bandwidth -25789 MB/s
EVEREST Memory Read -19136 MB/s


210/2100这种高规格的超频设定，另外让CPU总时脉达到4.2GHz，所以在CPU/DRAM/VTT三个电压数据也拉高一些
9 ]  \- \6 H! s6 F- w( E在测试中也可以稳定的跑完，除了主机板本身超频能力要高之外，CPU与DDR3的超频体质也是一个很重要的因素
不过至少MSI P55-GD80可以跑完210/2100状况下的众多测试软体，超频能力已经可与其他P55产品一争长短。
- k% I8 w1 K; f, C% v
9 A. ]; @8 U4 e4 i' M1 [9 e1 |: f
- \- F" n( b+ S- E4 N# fMSI P55-GD80
优点
4 W5 L) J' _9 O2 n/ e( o( U. c1.MSI在GD80上有搭配Direct OC/V-Kit/Easy Button等几款新设计
2.OC Genie新晶片导入，让一般使用者只需按钮就有不错的超频水准
3.PCI-E X16共3根，同时支援ATI CrossFireX与Nvidia SLI两大VGA阵容
4.全日系固态电容，全新设计高质感8mm热导管，内建触控式Power/Reset特殊按钮
5.多处使用DrMOS节能设计，Control Center软体简易好用
6.BIOS稳定度不错

xiao069532

可惜没钱不然就入手一块玩玩

sleuth

: n1 r# ~- h. X- x, p
: o* V, n2 ]) @9 V# q风大辛苦了。
; z  b# e& K; R5 E6 z2 uMSI这块板的做工不错，一改以往的映像。

fly_xmen

) L8 W" C% Q- M8 _很专业的评测，方方面面都很到位，顶一下。如果再有P55-CD53和P55M-GD45的评测就好了，最近比较关注这两款。