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日前英特尔与美光的合资公司IM Flash Technologies表示,已经开始出样首批基于25纳米工艺(代号为L74)的NAND闪存。据透露,在同尺寸的晶圆中,25纳米NAND闪存的密度是34纳米闪存的2倍,而制造商也可以利用这一优点降低晶圆尺寸、节约近一半的成本,生产出密度更高的固态硬盘。
英特尔早在2008年11月份推出了34纳米NAND闪存,但直到去年夏天时才开始进入34纳米NAND闪存的量产阶段,导致如此滞后的原因是无法跳过43纳米工艺阶段、并直接由50纳米过渡至34纳米。不过IMFT的主管Dave Baglee与Rod Morgan均表示,这一过渡非常顺利。而在2010年新年伊始便推出25纳米NAND闪存便是一个例证。
据悉,基于25纳米工艺的2-bit-per-cell芯片可以达到8GB容量,这要比普通CD的700MB容量高10倍以上。另外,25纳米NAND芯片的面积仅有167平方毫米。英特尔NAND营销经理Troy Winslow表示:“这是全世界容量最大的多层芯片闪存,容量可达8GB。我们曾在34纳米工艺上拔得头筹,如今在25纳米工艺方面再度领先。”
据Winslow介绍,以往在生产256GB固态硬盘时需要64个34纳米NAND芯片,如今只需要32个25纳米NAND芯片(32×8GB);而用于手机的32GB闪存则只需要4个、16GB闪存的仅需要2个。另外Winslow还透露,25纳米8GB NAND闪存芯片已经开始出样,并有望在今年第二季度进入大批量产阶段。
看来600G的SSD不远了 |
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