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本帖最后由 Asuka 于 2010-2-25 09:52 编辑
你就别倔了外行冒充内行,原文作者的推理过程是正确的,你不够懂只是有些内幕消息而已,在拌老虎装大牙,
上面有个楼层说得好:不知道推理的论据是否确实?如果fermi不是这个原因,一切无从谈起
AN_Fusion 发表于 2010-2-25 07:49
没错,原文推力过程是正确的,可惜这个推理的所有论据确是建立在原作者的[意][淫]之上
先不说有没有所谓脆弱的晶体管,理想环境下沉积不当导致的所谓脆弱的晶体管,脆弱在栅极或者管壁上,主要导致功耗上升的栅氧层隧穿不发生在这里。所以即便所谓脆弱的晶体管真的存在,导致的也不是漏电问题,这俩事情之间不存在逻辑上的联系,他连和功耗相关的栅氧层隧穿发生在什么地方都没搞清楚。
其次,提升电压,为的是让槽电流清澈,并不是让所谓的不工作的晶体管工作掉,这跟晶体管脆不脆弱又是不存在任何联系
还是最理想形态下的脆弱晶体管,因为沉积不当导致的管壁厚度不达标的,加压会在第一时间导致沟槽隧穿击穿晶体管,照原作者的意思看来着凉感冒了的人要丢尽冰窟窿里并且再吹点冷风才能康复啊。
我很奇怪原文作者究竟要文盲到什么程度才会写出这种东西? 写这种又臭又长的东西好歹也要google大学速成班毕业才来喷啊。
关于TSMC的工艺问题,我一个外行也不好意思细说,您要是有兴趣,我给您稍微提点醒,你觉得下面这个过程,用什么Ea比较合适??
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