5k这变态cpu

auphauecs

变成物理学讨论贴了……

h11544

回复 40# kaven


    能跑4G的话，你那颗5K就是真正的大雕了～～～目前就5k来说，真正的雕，有如下几种：
1. 低压（1.125v，1.15v，1.175v）默电能上3.3G的（低压上3G的很多，但是上3.3的，那就少之又少）
2. 中压（1.2V～1.3V）默电上3.5G～3.6G
3. 1.3V~1.4V（不管是否默电）上3.7G以上

可惜我目前用的，不是雕

h11544

回复 47# laziolzio


    不oc的话，是一样的，我前面回复有说

PC的i

呵呵，楼上的说的差不多

kaven

回复 46# h11544


    我关心这些电压背后的功耗，我加压加到过1.4v，最后电流过大，电源过保护点，自己关机

spinup

回复  h11544

那可能说明 不同VID的最大目的 是用来控制功耗的 因为晶圆体质的不同 要用不同的电压达到 ...
wxm 发表于 2010-6-2 10:32

并非如此。
晶体管工作有个特定电压区别开与关，CMOS的工作电压要阈值电压的4倍以上才能高速工作。所以阈值电压低一些，同电压下的性能更好频率更高---或者可以用更低电压实现相同频率。但是阈值电压低于0.3v的话泄漏会很严重----所以1.2V左右是很特别的电压。

所以低电压功耗却不低对于现在的半导体来说是很正常的。低VID的芯片很可能就是微调降低阈值的，升到同样工作电压功耗更大就是很正常的了。

wxm

回复 24# lukecruise

低压就是能吸引人啊

其实就是把"同一个u低压好" 错误的引申到两个不同u上

有人会为了一个默认1.15v加到1.3v能超3.5G的U付高价 而贱卖掉默认1.4v的那个

然而 如果默认功耗相近这个前提成立

那么理论上 1.15v加到1.3v 功耗相当于1.4v加到多少？
1.58v... 电费一样、散热要求一样、后者电流还低... 1.58v说不定能超更高...

hakase

回复  hakase
    这位同学，我也想有1.15v默电超3.3G的U，可惜我的RP不支持我。。。。不过你说不科学，我就不认同了，我又没有用其他型号的U来测试，不管是雷还是雕，都是5k开核，都是AMD出的U，这就叫不科学了？这种情况只能说明是AMD晶圆质量不行～～
h11544 发表于 2010-6-2 12:44

你要得出一个普遍意义下的结论，就必须用大样本来统计，至少不能像你这样用一个特殊的个体来代表总体，否则就是不科学。

wxm

回复 51# spinup

谢谢

总功耗=漏电+芯片本身功耗(U平方*C*F那公式) 吗?

那么低vid就是阈值电压低 漏电高点 芯片本身功耗低点
高vid阈值电压高  漏电低点  芯片本身功耗高点?

如果vid 1.4v跟1.1v的总功耗持平 那高vid那个芯片功耗多60% 但漏电那里省回来..

然后 工作电压升降 漏电会升降吗? 会按什么比例升降
如果漏电不升高或不是平方的比例升高
那是否可以推出 低vid和高vid的增加相同比率%的工作电压 前者增加功耗会较小? 因后者芯片本身功耗本来比较高 增加相同比例后增加的绝对值慧较高

随缘1180

路过看看

spinup

回复  spinup

谢谢

总功耗=漏电+芯片本身功耗(U平方*C*F那公式) 吗?

那么低vid就是阈值电压低 漏 ...
wxm 发表于 2010-6-2 14:09

总功耗=漏电功耗+动态功耗（U×U×C×F）

要注意阈值不同的芯片C往往也会有不同的。另外泄漏功耗与电压并非正比关系，记得应该是比电压平方比都更大。所以低阈值芯片和高阈值芯片升高同样比例的电压，低阈值芯片功耗增加都应该是略大的。

只是低VID未必低阈值。  还有低vid高功耗的芯片个人以为**力会更好....

wxm

回复 57# spinup

谢^_^

漏电比平方猛 那就能解释很多实测为什么总功耗增加得比电压平方猛了

看来各种关联有点复杂...

阈值跟C有公式关系吗? 还是随机的?

如果从高低vid 功耗相近这个结果来反推

低vid的如果不是阀值低(漏电高) 那它的C超大?

wxm

回复 57# spinup

还有请教一下 不同负载 比如空载跟跑Linx相比 功耗差很远
主要是因为C变化吗?
漏电会变化吗？

Marine2005

高VID的通常还要好一些.

spinup

回复  spinup

还有请教一下 不同负载 比如空载跟跑Linx相比 功耗差很远
主要是因为C变化吗?
漏电会变 ...
wxm 发表于 2010-6-2 15:04

  C是物理特性，芯片制造时候就固定了。

空载和满载功耗不同是因为活动的晶体管数量不同。现在的功耗控制技术下空载时候活动的晶体管只有满载时候百分之一的量级，功耗当然差别巨大。

zajara

并非如此。
晶体管工作有个特定电压区别开与关，CMOS的工作电压要阈值电压的4倍以上才能高速工作。所以 ...
spinup 发表于 2010-6-2 13:37

    intel现在的电压越来越低，功耗也随着降低，AMD方面的情况却相反，电压几乎没降多少
是否和他们两方现在采用的半导体工艺不同有关?
似乎不能一概而论

spinup

intel现在的电压越来越低，功耗也随着降低，AMD方面的情况却相反，电压几乎没降多少
是否和他们 ...
zajara 发表于 2010-6-2 16:14

确实如此。两家的工艺差别不小。

不过因为两家工艺差别很大，所以很多规律也不一样。amd的电压高，但是动态功耗未必大，泄漏电流未必小。

h11544

回复 54# hakase


    请教一下，目前5k的大样本是什么样的体质？