蒋尚义：台积电14nm制程节点将转向使用垂直型晶体管结构

Edison · 发表于 2010-6-20 00:03

蒋尚义：台积电14nm制程节点将转向使用垂直型晶体管结构

dryiceboy发布于 2010-06-19 23:23:41| 次阅读字体：大小打印预览

据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露，与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管（以 Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表）的计划。其中来自半导体代工巨头台积电公司负责研发的高级副总裁蒋尚义在会上发言称，台积电公司已经决定在14nm制程节点转向使用垂直型晶体管结构。

蒋尚义表示：“经过研究，我们决定在14nm制程节点放弃使用传统的平面型晶体管结构，转而采用能更好控制沟道性能的垂直型晶体管结构。”据他表示，台积电会先从28nm制程进化到20nm制程，然后将于2015年左右的时间点直接进化到14nm制程.

与此同时，IMEC新建的1200平方米净室车间也已经开始投入使用，这间净室车间要比5年前初建时的面积增加了50%。这次新增的空间据称将被用于在年底前安放由ASML公司生产的 NXT:3100 EUV极紫外光刻设备。

IMEC公司高管Thomas Hoffmann表示：“眼下向我们过问FinFET制造问题的芯片设计公司已经越来越多。”他认为由于Intel据称会在22nm制程节点开始采用垂直型晶体管技术，加上台积电也已经表态支持这种晶体管结构，因此引起了这些设计公司的注意，大家都想提前为这种技术做好足够的技术准备。

“我们和我们的客户都很想搞清楚Gate-last工艺能在FinFET晶体管中发挥出怎样的实际性能，对那些有意在22/16nm制程转向FinFET晶体管结构的公司来说，他们很想知道如果放弃传统的平面型晶体管结构，那么会对现有的high-k/金属栅极技术产生什么样的影响。”

Intel公司率先在45nm制程节点开始启用Gate-last工艺来制作HKMG晶体管，而台积电也将在28nm制程节点开始启用这种工艺。Hoffmann认为Gate-last工艺具有许多优势，比如PMOS管的门限电压更为稳定，而且这种工艺将原来填充在栅极区的多晶硅替换为金属材料时，还可以为PMOS管的沟道施加一定的应变力。

不过以IBM/ GlobalFoundries/三星等Fishkill技术联盟为代表的阵营这坚守Gate-first工艺，他们宣称Gate-first工艺制造的晶体管密度更大，更有利于芯片核心的小型化。

在这种情况下，不少需要依赖代工厂的芯片设计公司也是举棋不定，他们频繁与两方阵营往来接触，比对双方两种不同HKMG制作工艺的优缺点。

Hoffmann表示：“对28nm制程低功耗芯片而言，采用gate-frist工艺已经完全可以满足技术要求。”

http://www.cnbeta.com/articles/114264.htm

Readon · 发表于 2010-6-20 00:08

路过看看 14纳米工艺六年后了

lanyan3232 · 发表于 2010-6-20 01:42

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itany · 发表于 2010-6-20 02:15

嘉兰大似乎对Gate first情有独钟，经常说Gate last的坏话

spinup · 发表于 2010-6-20 09:11

嘉兰大似乎对Gate first情有独钟，经常说Gate last的坏话
itany 发表于 2010-6-20 02:15

我可没说坏话

反过来我还说过gate last性能可能更好。我只是说代价大了点。gate first主要目的就是降低成本，我本来预计性能会略差。

只不过从ibm公布的数据看，SOI的gate first HKMG性能而更好.....

红发IXFXI · 发表于 2010-6-20 11:32

14nm在说吧。。。先搞定40nm～～～～～～～～～～～做人要脚踏实地

stuart123 · 发表于 2010-6-20 13:18

垂直？意思是说芯片变成立方体吗？

CoreSolo · 发表于 2010-6-20 13:24

这绝对是火星科技。

未来号 · 发表于 2010-6-20 18:02

14NM也不错，哪个尺寸是瓶颈呢？

crazystone · 发表于 2010-6-20 18:53

天顶星技术啊

cool_exorcist · 发表于 2010-6-20 19:17

补张图

temp444 · 发表于 2010-6-20 19:57

本帖最后由 temp444 于 2010-6-20 19:59 编辑

期待三星！

竞争越激烈越好！
=====================
来源：http://news.mydrivers.com/1/167/167023.htm

三星32nm HKMG低功耗工艺率先通过验收

驱动之家[原创] 作者：上方文Q 编辑：上方文Q　2010-06-13 10:47:45 Loading [投递]

三星电子宣布，旗下代工厂的32nm低功耗工艺和高K金属栅极(HKMG)技术已经通过验收，并宣称自己是第一家做到这一点的代工厂。
三星在旗下三星代工(Samsung Foundry)位于韩国龙仁市的300毫米晶圆厂内完成了新工艺和新技术的可靠性测试，并做好了客户设计投产准备。三星执行副总裁兼系统LSI部门总经理禹南星博士(Dr. Stephen Woo)透露说，32nm HKMG工艺晶圆将在明年的某个时候开始出货，“希望是明年初期”。

insect2006 · 发表于 2010-6-20 22:49

现在的技术都这么进步了？

asongongxj · 发表于 2010-6-23 16:44

台积电的大便40NM技术啊，显卡现在持续高价，全赖它

itany · 发表于 2010-6-23 19:58

期待三星！

竞争越激烈越好！
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来源：

三星32nm HKMG低功耗工艺率先通过验收 ...
temp444 发表于 2010-6-20 19:57

谁好棒子和阿三都别好

liuxiao8606 · 发表于 2010-6-23 21:34

我直接等量子电脑

治病救人 · 发表于 2010-6-25 16:26

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红发IXFXI · 发表于 2010-6-25 17:12

这么多人小看台积电？现在除了INTEL还有比台积电强的？
治病救人发表于 2010-6-25 17:26

IBM泪奔了。。。。原来不如台鸡店

archerzz · 发表于 2010-6-25 20:55

这么多人小看台积电？现在除了INTEL还有比台积电强的？
治病救人发表于 2010-6-25 16:26

现在真正巨头就是Intel和IBM吧，其它公司的技术或多或少都是马甲。

逆袭的黄瓜 · 发表于 2010-6-25 23:16

14nm还早呢

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lanyan3232 lanyan3232 当前离线积分 15 IP卡狗仔卡头像被屏蔽	3^# 发表于 2010-6-20 01:42 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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治病救人治病救人当前离线积分 11 IP卡狗仔卡头像被屏蔽	17^# 发表于 2010-6-25 16:26 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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