intel haswell

PRAM

1.配套芯片组为32NM                                                                                                                                                                                 The successful candidate will be responsible for managing the Lynx Point silicon design activities to ensure the on time delivery and quality of the Lynx Point chipset. Lynx Point is the tock chipset on P1269.8 that will be used with the Haswell CPU. In this capacity the design manager is responsible for all aspects of the silicon development lifecycle to A0 T/I and PRQ. The successful candidate will matrix the Lynx Point development that will be spread across Folsom, Penang and Hudson. The design manager is also responsible to manage IP being supplied to Lynx Point from teams outside CCG. The design manager responsibilities shall include: Schedule development, tracking and proactive risk identification, Risk Management, Scope & requirements management, managing all aspects of the silicon design activities to meet quality and schedule goals.                                                                                                                                                                      2.频率超过4G

PRAM

You will be responsible for path-finding and developing world class next generation Intel® Core™ i7 Processors family, operating at 4+GHz. Your work includes researching micro-architecture improvement to produce best performing processor in the world such as new branch prediction algorithm and virtualization/security technology. You are given an opportunity to involve in analyzing and setting design and circuit methodology for project requirements in the most advanced Intel process technology (22nm, ＜15nm technology). You are also responsible to engage in micro-architecture, hardware description language, high-speed and complex logic/circuit development and implementation. You will be driving innovative power/performance optimization and dynamic power manager including energy efficient architecture power/performance tradeoff analysis.

aaa777ly

up起来求解真相

破灭时空

up起来求解真相
aaa777ly 发表于 2010-9-16 13:10

就是SandyBridge的半代产品22nm IVY Bridge的再下一代架构革新产品，和IVY Bridge同为22nm
预计2012年发布

破灭时空

up起来求解真相
aaa777ly 发表于 2010-9-16 13:10

IVY Bridge应该是2011年Q4就会发布了，接口估计还是LGA1155，但是Haswell就不好说了，个人估计会改变接口

aaa777ly

就是SandyBridge的半代产品22nm IVY Bridge的再下一代架构革新产品，和IVY Bridge同为22nm
预计2012年发 ...
破灭时空 发表于 2010-9-16 13:15

    这个我当然知道，haswell的命名方式来看貌似对性能提升很自信，不同于SB相对Nehalem的构架的改进，haswell是全新的构架
我只想知道haswell重点提升哪些方面？单核效能和频率对现有产品有飞跃么？

PRAM

就是SandyBridge的半代产品22nm IVY Bridge的再下一代架构革新产品，和IVY Bridge同为22nm
预计2012年发 ...
破灭时空 发表于 2010-9-16 13:15

HASWELL 2013  ROCKWELL 2014

PRAM

这个我当然知道，haswell的命名方式来看貌似对性能提升很自信，不同于SB相对Nehalem的构架的改进 ...
aaa777ly 发表于 2010-9-16 13:20

Haswell is expected to have the following features:[1][4]

Possibly completely redesigned microarchitecture, like NetBurst was after P6.
22 nm process.
8 cores by default.
Entirely new cache design.
Revolutionary power saving mechanisms.
Possible on-package vector coprocessors.
The addition of fused multiply-add instructions.

Prescott

本来还会集成LRB，结果。。。。。。

aaa777ly

Haswell is expected to have the following features:[1][4]

Possibly completely redesigned micr ...
PRAM 发表于 2010-9-16 15:36

    如果这个消息是真的，我就直接跳过SB升级了，确实非常惊喜的升级

PRAM

如果这个消息是真的，我就直接跳过SB升级了，确实非常惊喜的升级
aaa777ly 发表于 2010-9-16 16:53

    可能性应该比较大，毕竟P6用的时间太长了，也需要全新的microarchitecture了

aaa777ly

可能性应该比较大，毕竟P6用的时间太长了，也需要全新的microarchitecture了
PRAM 发表于 2010-9-16 16:55

    谢了，坐等haswell了，为钱包着想，只能先用I7 950再勉强撑2年多了

vironlee

xf-108

继core架构后又一次革命性进步。

AMD连对SNB LGA1155都束手无策呢……

eGenius

A记继续以开核应对？

PRAM

从这次增加编解码单元来说。
构架上可能不会有大的变化。
说明intel可能采取把更多的功能单元逐步集成到C ...
potomac 发表于 2010-9-16 17:35

    SANDY BRIDGE重点就是功能单元集成，但HASWELL构架应该是全新的，因为HASWELL是面向2013年以后很长一段时间的

xf-108

A记继续以开核应对？
eGenius 发表于 2010-9-16 17:42

如果GF良品率继续不堪的话，还是会有屏蔽N个核心的多核处理器。

PRAM

如果GF良品率继续不堪的话，还是会有屏蔽N个核心的多核处理器。
xf-108 发表于 2010-9-16 17:55

力晶黄崇仁：DRAM价年底前缓跌 产业将进入平稳收缩期


力晶 (5346-TW) 已完成台湾第一颗 40 奈米储存型记忆体 (NAND Flash) 产品开发，是大中华区第一家拥有自有NAND技术的厂商。力晶董事长黄崇仁日前接受《经济日报》专访时指出，DRAM产业将迈入“平稳收缩期”，年底前价格会健康缓跌，不会暴起暴落。而力晶本季仍将获利，未来不会再盲目扩建新产能，将启用增加代工比重等新经营模式，并持续布局新能源领域，以创造更大价值。

力晶上半年获利逾百亿元，是本土最赚钱的 DRAM 厂，减资新股明 (14) 日上市。黄崇仁表示，DRAM 价格从 Q2 的 2.5 美元跌到现在的 2 美元附近，跌幅达 25%，Q4 价格应该会在 10% 上下的区间震荡。

黄崇仁透露，力晶 7、8 月营运状况都还不错，9 月应该也OK，能继续获利。力晶现在主力制程 63 奈米，每单位成本在 1.5 美元以下，且成本降低速度会比价格滑落的速度快，会稳定地带进获利。

提及接下来的产能布局，黄崇仁表示力晶现在 12 寸晶圆月产能为 13 万片，分为标准型记忆体与代工两大业务。力晶规划将当中 8 万片拿来生产标准型记忆体，其余的 5 万片做代工。力晶将逐步增加代工比重到 40%，会是日后重要收益来源。

此外，8 万片标准型记忆体产能短期内不会再增加，DRAM 产出量的增加，全靠制程微缩。力晶与尔必达 (Elpida) 的合作非常顺利，能以最小的资本支出，用 63 奈米的设备转进 40 奈米。他透露力晶今年资本支出约 200 亿元，已足以应付转进 40 奈米的资金需求，也是本土同业中最精简的投资。

至于代工方面，目前每月提拨 5 万片产能接单，约占营收比重 1/3。他指出，在 DRAM价格好时，代工利润不如 DRAM，但代工价格不会暴起暴落。力晶现在的代**利率与 DRAM 相当。.

论及在 NAND Flash 进度，黄崇仁说力晶当年买下瑞萨(Renesas) 快闪记忆体相关技术，以瑞萨的 90 奈米为基础，自行完成了 70、50、40 奈米制程开发。70 奈米 4Gb MLC 晶片已卖了 2 年，最近更完成 40 奈米 16Gb 晶片开发。

台积电 (2330-TW) 和联电 (2303-TW) 均已具备 40 奈米技术，但都是为大厂代工，没有自己的产品；台湾 DRAM 厂的 40 奈米技术，也需要与国外大厂合作。力晶是台湾半导体业界中，唯一拥有自行研发的 40 奈米技术，且能推出自有产品的业者。

至于 DRAM 市况发展，黄崇仁认为半导体迈入 40 奈米以下制程技术后，未来只有英特尔的微处理器 (CPU) 能走得比较顺；DRAM 业走到 40 奈米世代，物理限制难度更多，摩尔定律将受到挑战。制程难度提高，各大 DRAM 厂良率提升，不像以前那么顺利，加上业界几乎没有新产能开出，他预期 DRAM 业将迈入“平稳收缩期”。

xf-108

可能是DRAM业界的研发能力不如CPU业界吧。