DDR3 2GB九月上旬合约均价下跌10%，预期第四季跌幅达20%

我酷故我在

根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange调查，九月上旬合约价持续下跌趋势，DDR/2GB合约均价从40美元下跌至36美元，跌幅达10%，为一年来单次最大跌幅，DDR2合约价亦受到DDR3价格影响，下跌约2.8%，来到35美元价位，从整体市场来看，由于下半年终端市场销售不如预期，PC大厂纷纷下修出货数字，下半年的PC成长率从之前乐观预估10%下修至1%不到，加上DRAM厂库存与销货压力下开始降价求售，第三季合约价与第二季相比下跌近13%，第四季合约价恐将续跌20%，12月DDR3 1Gb颗粒将下看1.5美元价位，DRAM厂第四季的获利率将不如上半年。
面对DRAM颗粒价格的急速崩跌，加速转进新制程以求降低成本仍是DRAM厂存活的唯一途径，放眼全球 DRAM厂，韩商三星堪称制程转进速度最快，56nm与46nm制程早已进入成熟期迈入量产行列，35nm制程于今年第四季开始出货给客户，明年第三季有机会超过总产出50%，从成本上来看，35nm制程比46nm制程更多出近60%的颗粒产出，成本亦可再降低约30%左右，DRAMeXchange预估明年三星在制程上将领先其它同业至少一个世代，并有机会挑战全球市占率向上至40%。各家DRAM厂在2011年获利可能不如今年上半年， 但若制程顺利快速转进40nm世代，仍有获利空间。

我酷故我在

2L如果稍微有点常识，关心点现在DRAM的产能转向
内存厂三季度不断增产，市场消费力低下，对于销量预计不足，旺季需求并没有拉动，第四季度将是苦果来临之际
现在不能确定的是NAND闪存颗粒是否会跌，内存DRAM是必然下跌，7月份的颗粒价格在2.6美金左右，现在已经降低到2.1美金，12月预计会大幅度下跌至1.5-1.7美金之间

dms-huang

楼主是个不错的分析员。。

sleuth

两条同一天的新闻，蛮有意思的。

力晶：DRAM跌幅已达满足点
2010-9-21 11:13

　　DRAM产业利空袭击，在南科（2408）即将办理现增之际，三星又释出偏空讯息，颇有阻挠台系厂商筹措资金企图，力晶（5346）董事长黄崇仁昨（20）日表示，DRAM价格起跌以来，已经跌逾17％，预计9月底通路或是OEM厂库存将低于平均值，DRAM价格第4季可望落底。
　　黄崇仁表示，这波价格下跌虽然提早来临，但是并没有供给过剩的问题，由于各家厂商技术转型并不十分顺畅，良率无法有效提升，在无法通过OEM客户认证之下，直接在现货市场倒货，造成现货市场的价格压力，事实上目前OEM出货仍旧正常，只是价格有压力。
　　黄崇仁也分析库存状况，目前无论是通路或是OEM厂商已经有效消化库存，到9月底为止，各家厂商库存将低于平均值，需求面有大陆十一的买气推升，因此黄崇仁预估，第4季跌幅最多15％至18％，且呈现缓跌的状况，等于从这一波起跌以来，价格合计下跌约30％，跌幅已达满足点，加上库存已经下降，DRAM价格可望落底。　　
　　目前一条2G的DRAM模块价格约36美元至37美元，依此跌幅推算，价格将跌至30美元至32美元，等于DRAM颗粒价格从每颗2.1美元跌至1.75美元至1.85美元之间，以力晶的成本结构推算，下半年还是获利。　　
　　正当南科积极筹措资金之际，三星又释出明年DRAM市况不妙的利空讯息，黄崇仁认为三星颇有趁势阻挠筹资的意图，但是从战略角度来看，三星目前在面板、手机、TV、Flash的价格均面临压力，DRAM是最主要的获利来源，基于获利维持领先的前提，三星会力求支撑DRAM价格。

所有台厂的市场占有率是多少？各家厂商技术转型真的不顺畅？

三星35纳米4Q出击　台DRAM厂以卵击石
时间：2010-09-21  来源:DigiTimes

　　三星电子(Samsung Electronics)制程微缩持续踩油门，继46纳米制程大量供货，下世代35纳米制程将在第4季试产，目标2010年底占总产能达10%，由于从 35纳米跳到46纳米估计成本可再下降30%，届时台、韩DRAM之战将形成以卵击石，加上台厂新产能大量产出时间点亦多落在第4季，面对产能将大量开出，近期DRAM价格跌不停，特别是DDR3 eTT已传出通路商价格杀至1.7美元，较同容量DDR2价格还要低。
　　近期DRAM合约价及现货价均呈现极度疲软，尤其在传统旺季是相当少见情况，甚至有点呼应三星日前所提出DRAM产业将供过于求论调，台、美、日DRAM业者气势都相当疲弱，似乎对于三星频出招重击动作毫无招架之力。DRAM业者表示，三星提出到2011年第1季以前都供过于求论调，其实有迹可循，除第3季PC旺季不旺，第4季能见度不佳，三星最新一代35纳米制程即将问世，更是DRAM产业重要杀手，业界都相当担心三星推出35纳米制程后，将再次展开大杀价。
　　DRAM业者指出，目前三星主力制程是46纳米，已比台厂快上1个世代，南亚科和华亚科50纳米才刚要量产，力晶和瑞晶还停留在63纳米，至于45纳米才刚要准备起跑，三星不仅在46纳米远远领先台厂，更计划第4季试产35纳米制程，目标是2010年底占总产能10%。
　　值得注意的是，三星35纳米制程比46纳米成本再下降30%，2Gb容量DDR3成本趋近1美元，下降速度相当惊人，2011年35纳米将成为三星主力制程，预计2011年第3季可超过总产出50%，届时南亚科和华亚科阵营即使是以42纳米与三星对打，力晶和瑞晶阵营以45纳米应战，都将是以卵击石。
　　存储器业者表示，9月DRAM合约价大跌近10%，让DRAM业者士气低落，部分因素是9月有季底作帐压力，大部分客户不愿拿货，造成价格反应较激烈，随著合约价下修，现货价亦难独撑大局，台面上DDR3 eTT价格虽还有2美元，但私下交易已跌破2美元，甚至传出已杀至1.7美元，第4季供给端杀手除三星35纳米问世，台厂制程微缩产能亦多数在第4季到 2011年第1季期间大量出货，对价格杀伤力不容小觑，要扭转颓势必须靠PC需求回笼。
　　台DRAM厂表示，当DRAM价格下修到某种程度，过去PC厂从4GB容量模块砍到2GB容量策略，或许会出现逆转，若搭载存储器主流容量能够以4GB起跳，配合PC出货量升温，大量消耗DRAM产能，将是挽救摇摇欲坠DRAM价格最健康方式。

竞争需要实力，而不是口才，少说多做。

dalao123

现在的厂商过得还不错的，正好弥补点之前的损失，呵呵