Fusion APU修成正果：AMD E-350性能全面测试

PRAM · 发表于 2010-11-17 20:29

hammerking 发表于 2010-11-17 20:25
那等你拿到样品，做个测试如何？真没办法，又转移话题了~

我记得FUSION性能很牛啊

只看该作者 · 发表于 2010-11-17 20:32

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

spinup · 发表于 2010-11-17 20:40

看几个国外网站的标题，怪不得某些人要抓狂了......

PRAM · 发表于 2010-11-17 20:40

hammerking 发表于 2010-11-17 20:32
呵呵，你要比哪个fusion，应该是Llano吧，比什么，游戏性能吗？

Llano在PPT上啊，怎么比啊

PRAM · 发表于 2010-11-17 20:41

spinup 发表于 2010-11-17 20:40
看几个国外网站的标题，怪不得某些人要抓狂了......

工艺控出马了

spinup · 发表于 2010-11-17 20:43

本帖最后由 spinup 于 2010-11-17 20:44 编辑

我可懒得回复一个电容量都算不清楚的人。

补充一下，我不会回复某些人的帖子，希望这些人也不要引用我的帖子。免得大家不舒服。

PRAM · 发表于 2010-11-17 20:43

与Atom比性能
与Core比TDP
与Core 2比内存
与Core i7比价格
超频比不过就比开核
反正总能找到一样赢的

PRAM · 发表于 2010-11-17 20:44

spinup 发表于 2010-11-17 20:43
我可懒得回复一个电容量都算不清楚的人

EOT都不懂的S子一个

PRAM · 发表于 2010-11-17 20:45

spinup 发表于 2010-11-17 20:43
我可懒得回复一个电容量都算不清楚的人。

补充一下，我不会回复某些人的帖子，希望这些人也不要引 ...

YY旧帖http://we.pcinlife.com/thread-1504528-1-1.html----

PRAM · 发表于 2010-11-17 20:46

spinup 发表于 2010-11-17 20:43
我可懒得回复一个电容量都算不清楚的人。

补充一下，我不会回复某些人的帖子，希望这些人也不要引 ...

逗工艺控玩了

PRAM · 发表于 2010-11-17 20:47

工艺控的【请注意用词】YY答案

PRAM · 发表于 2010-11-17 20:49

本帖最后由 PRAM 于 2010-11-17 20:53 编辑

10-10-5 22:12

相同的PMOS,NMOS性能下，EOT应该是越薄越好吧
10-10-10 16:16

不好意思现在才回复你，对于这个问题，我的想法仅供参考。EOT的scaling，主要是基于微缩化考虑，我觉得它和NMOS，PMOS没有直接的关系。
不知道对不对？
相同的PMOS,NMOS性能下，EOT应该是越薄越好吧 John86
更早 10-10-6 20:25
是的，这也就是为什么45nm及以下的process要放弃Silicon poly而选用Ni。
是的，这也就是为什么45nm及以下的process要放弃Silicon poly而选用Ni。

spinup · 发表于 2010-11-17 20:54

其他规格相同，EOT越薄性能当然越好。

EOT薄许多却只有同样性能，这样好坏还看不出智力水平可想而知。

PRAM · 发表于 2010-11-17 20:56

spinup 发表于 2010-11-17 20:54
其他规格相同，EOT越薄性能当然越好。

EOT薄许多却只有同样性能，这样好坏还看不出智力水平可想而 ...

要我引你YY的原话吗？

只看该作者 · 发表于 2010-11-17 20:57

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

PRAM · 发表于 2010-11-17 20:59

spinup 发表于 2010-11-17 20:54
其他规格相同，EOT越薄性能当然越好。

EOT薄许多却只有同样性能，这样好坏还看不出智力水平可想而 ...

这个其实不怎么好比较，因为双方的Vdd是不同的。不过请注意intel的 I off指标设在了400na/um。也就是说大大放宽了泄漏指标----intel 90nm时代prescott处理器饱受诟病的高功耗与此相互印证。另其Tox也缩小到了1.2nm，而据其他资料IBM/AMD此时的Tox维持在大约2.0nm， IBM/AMD的工艺相比intel优势是很明显的。经典啊，EOT越厚越好。蒋尚义，胡正明汗颜

spinup · 发表于 2010-11-17 21:01

http://blog.pchome.net/article/284881.html

EOT/Tox: Tox是栅氧厚度。这个数值很多读者并不了解，但实际上它是工艺最关键的参数之一。越小的栅氧厚度，在相同工作电压下对沟道的电场强度越大，一般沟道的性能（即后面要说到的I dsat）也越好。但是同时栅电容也越大，动态功耗也会略高。

在IEDM上David Wang的第一篇文章所述，考虑用Cgate*Vdd/Idsat作为制程性能的直接度量基准。不过现代制程中Cgate(栅电容)不能确定。IEDM和VLSI论文中提供了电源电压（Vdd）和驱动电流(100nA/um关闭电流Ioff下的开启电流Ion)。这些数据可以用来估算晶体管性能。

PRAM · 发表于 2010-11-17 21:01

spinup 发表于 2010-11-17 20:54
其他规格相同，EOT越薄性能当然越好。

EOT薄许多却只有同样性能，这样好坏还看不出智力水平可想而 ...

EOT薄，SCALING更小，GCL更小，S子一个

只看该作者 · 发表于 2010-11-17 21:01

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

PRAM · 发表于 2010-11-17 21:01

而IBM的power6使用了1.05nm的栅氧厚度，甚至比intel的都小。--------------INTEL 65是 EOT 1.O,某人无敌

帐号		自动登录	找回密码
密码			注册

hammerking 该用户已被删除	82^# 发表于 2010-11-17 20:32 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
hammerking 该用户已被删除
	回复支持反对使用道具举报显身卡

hammerking 该用户已被删除	95^# 发表于 2010-11-17 20:57 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
hammerking 该用户已被删除
	回复支持反对使用道具举报显身卡

hammerking 该用户已被删除	99^# 发表于 2010-11-17 21:01 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
hammerking 该用户已被删除
	回复支持反对使用道具举报显身卡

Fusion APU修成正果：AMD E-350性能全面测试

浏览过的版块