|
传统淡季效应持续扩大,导致11月下旬DRAM合约价跌幅不但没有缩小,反而重挫12~13%,2GB DDR3模块价格跌至约22美元。内存业者表示,现货市场2GB DDR3模块价格已跌破20美元,2010年底前合约价跌破20美元机率不低,尤其12月底上游DRAM厂与下游系统厂都不愿多留库存,届时买气会再降温,预期12月合约价将续跌,短期还看不到底部,DRAM厂商期待2011年中国农历春节前补货效应发酵。
厂商原预期第3季DRAM合约价与现货价经过急跌后,进入11、12月跌幅可望开始趋缓,然因DRAM市场供过于求情况比预期严重许多,尽管笔记本电脑(NB)市场销售状况不差,但对于DRAM价格止跌完全没有帮助,显示终端需求缓步加温,仍追不上DRAM厂源源不绝的产出。
11月下旬DRAM合约价跌幅高达12~13%,较上旬跌幅10%以内情况持续扩大,显示合约价不但没有止跌,反而持续扩大,同时亦呼应现货价持续缓跌,几乎是呈现向下比价姿态。
南亚科表示,2GB DDR3现货模块价格已跌破20美元,合约价格要守住该价位相当不容易,尤其12月价格压力会很大,因为上游DRAM厂与客户端都不想多留库存,预计12月合约价续跌机率大,但这波DRAM报价急跌,已使得系统厂升级4GB容量内存比重大幅提升。
DRAM厂指出,第3、4季价格连番重挫,且没有受到NB买气升温挹注,主要问题出在供给端产能太多,除三星电子(Samsung Electronics)第3季因46奈米制程良率超乎预期顺利,使得产出大增,华亚科和南亚科第4季50奈米亦顺利量产且大量转进,产出接棒大增,使得全球DRAM市场持续处于供过于求情况。
内存业者表示,2010年PC产业景气循环跌破业者眼镜,过去第3、4季都是传统旺季,但2010年却是上、下半年颠倒过来,偏偏2010年DRAM产能出笼时间点都是在下半年,导致下半年需求锐减但供给大增,DRAM价格出现二次崩盘窘境。
事实上,下游模块厂已经连续好几个月都不愿提高库存水位,由于下半年价格看跌趋势太过明显,且在2010年底前看不到底部,12月底即将来临,DRAM厂、PC厂、模块厂3方绝对都不愿意留库存,到时候要看3方如何斗智。
不过,厂商看好2011年第1季将受惠于农历春节前补货行情启动,不排除2010年底会有系统厂或模块厂进行超低价且量大订单协议,届时DRAM产业可能会再面临价格重挫冲击,但可望见到短期底部成形,有助于2011年初价格止跌回温。
|
|