spinup，SB 工艺控，出来

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spinup

草履虫

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24楼
发表于 2010-11-18 09:13 | 只看该作者
pci的【请注意用词】 ifan太牛了。
我都告诉他回去学初中物理，这sb还语出不逊。
嘉蓝大叔就是我

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这么一个sb，老子让你看看帖子，是那个SB

	10-10-5 22:12 相同的PMOS,NMOS性能下，EOT应该是越薄越好吧
		10-10-10 16:16 不好意思现在才回复你，对于这个问题，我的想法仅供参考。EOT的scaling，主要是基于微缩化考虑，我觉得它和NMOS，PMOS没有直接的关系。 不知道对不对？

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水泵、水冷排、水冷头、水冷套装专业制造商，ISO9001、14001认证企业 Modcool商城，高端电脑产品专卖店：高端散热器、机箱、电源、水冷系统、3D显示器、配件等 spinup 发表于 2010-11-17 20:54 其他规格相同，EOT越薄性能当然越好。 EOT薄许多却只有同样性能，这样好坏还看不出智力水平可想而 ... 32nm阶段： IBM/AMD首次使用dual pattern的曝光模式和HKMG。这两者都是相当“昂贵”的，而且不可避免。 注意“浸入式曝光”和“双曝光模式”都是可以使193nm刻更细的线的技术，有趣的是IBM/AMD和intel使用的次序恰相反，只是32nm下将殊途同归。 IBM/AMD的I dsat参数仅略逊于intel(考虑到AC-DC折算)，但是EOT却大了不少，所以就性能而言，IBM/AMD公布的数据将有明显优势。如果gate first确实能降低成本，则IBM/AMD可能还有一些成本优势。 --------------一个人说的话，意思完全相反
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PRAM 发短消息 PRAM 当前在线 阅读权限20 积分7 注册时间2010-4-23 最后登录2010-12-21 在线时间142小时 精华0 分享0 记录0 好友0 日志0 相册0 主题46 帖子563 UID348056 正式会员 正式会员, 积分 7, 距离下一级还需 93 积分 积分7 注册时间2010-4-23 最后登录2010-12-21 帖子563 UID348056

102# 发表于 2010-11-17 21:05 |只看该作者 水泵、水冷排、水冷头、水冷套装专业制造商，ISO9001、14001认证企业 Modcool商城，高端电脑产品专卖店：高端散热器、机箱、电源、水冷系统、3D显示器、配件等 一会说是IBM的PMOS,NMOS性能不如INTEL,EOT却大了不少，所以就性能而言，IBM/AMD公布的数据将有明显优势，一会儿有说Tox更薄性能更好。可是有人就愿意牺牲I dsat和I off换更厚栅氧层有啥不可以？特别是此时I dsat也并不比对手差很多。----这跟小学算术没有关系，是前后逻辑有问题

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混迹电脑论坛的纸上谈兵，

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老子比你牛多了

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(PD-SOI工藝) AMD的CPU 空閒功耗遠遠高於Intel的CPU空閒功耗

誰願意購買AMD的筆電?

SOI基片一年生產量太少,

考慮SOI?

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对于近期全球晶圆(Global Foundries)与三星等竞争对手进! 逼，引起市场忧心联电恐不? b先进制程发展以及营收规模都恐被超越，孙世伟指出，逻辑技术仅有1个领导者，就是英特尔(Intel) ，其他都是技术追赶者。联电在45/40奈米制程进度上并非市场所谓的落后，而是配合客户的时程，并选择先填满现有的产能，而非过度扩张。联电2010年资本支出达18亿美元，2011年高阶产能逐步开出，第1季及第2季产能将逐季增加3~5%。

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_hu 入伍新兵 名誉值0  工作领域semiconductor 工作年资9年 个人空间 发短消息 加为好友 当前离线

76# 大 中 小 发表于 2010-11-12 05:25  只看该作者 Intel 在技术上确实没话说。IBM不行了啊

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曾几何时，人们为消除界面层而努力，然而，在intel的不管45nm还是32nm上都存在着较可比的IL，大约为0.5nm，IL的消除并非易事。因此，如果这一层存在的话，那么EOT的极限将是接近0.5nm，而此时管子是否可用，也是值得怀疑的

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呼唤工艺控解释一下GF 灾难性的32、28NM