25nm闪存固态硬盘容量缩水问题浮现

aliguagua

制造工艺的更新换代可以给闪存带来性能提升和成本的下降，这在玩家心目中几乎是公认的事实。然而大多数人可能忽略了事情的另一面，即闪存制造工艺升级带来的寿命问题。随着半导体制程的进步，NAND闪存的可靠性会明显下降，需要付出更多的代价来满足ECC纠错需求，并预留更多存储单元来用于闪存老化，部分存储单 元寿命用尽后的屏蔽、替代问题。比如，目前大量在固态硬盘中使用的34nm MLC NAND闪存的存储单元实际写入寿命大概在5000次左右，而25nm闪存则只有3000次。

Intel和美光的合资企业是目前唯一能够量产25nm工艺NAND闪存的厂商，但这两家公司的25nm闪存固态硬盘产品却还没有批量上市。倒是在SSD领域动作频频的OCZ，已经拿出了搭配25nm闪存的SandForce方案Vertex 2系列产品。
据已经购得新版本Vertex 2固态硬盘的用户报告，120GB容量的25nm版产品在格式化前的实际容量只有115GB，比之前34nm版本少了5GB。OCZ在官方客服论坛上对此 解释称，为了让SSD达到合理的预期使用寿命，他们不得不将预留闪存空间提高了几个GB，因此“120GB硬盘未格式化容量仅有115GB是完全正常 的”。
对于容量虚标的质疑，OCZ也无奈的表示，固态硬盘内安装的NAND闪存芯片容量总和确实没有改变，因此不存在什么缩水、虚标的问题。5GB的附加容量开销是SandForce控制器的RAISE校验功能决定的，而该功能无法被厂商关闭，因此他们也没有办法改变。

文/驱动之家

ba1688

OCZ完全是胡扯，叫OCZ把120GB改名为115GB甚至110GB不就好了

说不定用户还会夸赞他们量足呢

ramiel

闪存这种东西，面临先进制程就要淘汰了，没前景，估计1Xnm没到就达到瓶颈了

zz243

以后的盘得1TB才能保证寿命了

hyj201

难道是伪技术进步？

花泥

那也不要紧，只要自动屏蔽不会丢数据就好了，自动减容量减到不能用就扔

neeyuese2008

这个只是SandForce的特性，SF内部的RAISE技术类似RAID 5,需要牺牲至少1个Die的容量来保证所有Die的验证，达到高数据可靠度，所以SF主控可以使用比较烂的颗粒也是这个道理。

34nm的IM颗粒每个Die是4GB，而25nm的IM颗粒是每个Die是8GB的，所以容量会少4GB，格式化后看上去少5GB也是非常正常的，道理就是：你RAID 5的话要牺牲一块盘做冗余，不可能只牺牲半块盘的吧，对25nm来说，8GB才是“一块盘”。

对于别的主控SSD，不会存在这种情况，但是25nm的颗粒耐久度和稳定度不如34nm是不容置疑的，耐久度可以靠着成本降低，容量翻倍，磨损平衡的方法平摊下去，这样大容量后不成问题，但是稳定度是完全依靠固件算法来保证的，所以初期买25nm的纯粹算是小白鼠，这也是只有SF敢先试水的道理：1.可以用烂颗粒，因为有类似RAID 5的RAISE。2.OCZ目前的精力都在SSD上(抛弃内存），和SF关系最密切，不先和别的厂家拉开差距，今后就难混了，当初OCZ以解锁IOPS固件拉差距，后来别的厂家也解锁了，优势又没了。对用户来说，初期25nm价格没有便宜多少，约5%附近，而到了年底我相信可以有20%以上差距，所以不要急着购买。

aliguagua

neeyuese2008 发表于 2011-2-10 04:52
这个只是SandForce的特性，SF内部的RAISE技术类似RAID 5,需要牺牲至少1个Die的容量来保证所有Die的验证，达 ...

顶SSD帝

cup杯具

学习了！！

hyj201

neeyuese2008 发表于 2011-2-10 04:52
这个只是SandForce的特性，SF内部的RAISE技术类似RAID 5,需要牺牲至少1个Die的容量来保证所有Die的验证，达 ...

感谢这位朋友为大家做出的专业分析。

zidane1980

neeyuese2008 发表于 2011-2-10 04:52
这个只是SandForce的特性，SF内部的RAISE技术类似RAID 5,需要牺牲至少1个Die的容量来保证所有Die的验证，达 ...

价值1500元的25nm ssd 到年底价格优势约300元？
如果是这样的话不是很值得等，毕竟闪存价格起起落落来回变化很快的。