新版25nm ocz vertex2慎入，容量性能同时缩水。。。

zj0790

目前得到官方的说法如下：
                                      标称容量         实际容量
OCZSSD2‐2VTXE60G             55               64
OCZSSD2‐2VTXE120G           118              128
OCZSSD2‐2VTX60G              60               64
OCZSSD2‐2VTX120G            120              128
红色带E的就是采用25nm 64Gbit Die的IM颗粒，购买时注意了，速度会受到影响。
官方的说法是内部价格34nm的价格会比25nm的价格贵25%，悲剧的是很可能你花相同的价格买了25nm的，这中间的差价被谁赚去了心里知道就好。
老款型号采用的是32nm的HY MLC颗粒，单颗4G，16颗组成64GB容量。而新的采用25nm的Micron MLC颗粒，单颗8GB，8颗组成64GB容量。
很多人会问，为啥25nm的容量会少掉约4GB？为了这个问题还有网站冒出这类荒唐的解释： 25nm容量缩水
事实的真相到底如何？ 这个是因为SandForce主控制器内部的RAISE技术吃掉了一个Die的容量。
上图中HY的颗粒内部一个Die是4GB的，而25nm的Micron颗粒一个Die是8GB的，按照类似RAID 5的逻辑，1个是16个Die牺牲1个Die，一个是8个Die牺牲1个Die，所以造成了4GB的容量损失，如果换成别的主控制器就不会存在这个问题了，所以缩水的不是颗粒，而是RAISE的关系。
缩水的问题官方也给了说法：返厂免费换4GB Die的最新25nm颗粒，变成16颗组64GB的，那么容量就没问题了，至于性能就不清楚了（25nm本来就比34nm慢），在**购买的兄弟估计要悲剧点。。美帝这点优势还是有的。
60GB的写入（非压缩）速度跌到35MB/s，读取也跟着影响。而之前3xnm的时候应该是60MB/s左右的写入和200MB/s左右的读取。
原帖地址：
http://bbs.pceva.com.cn/thread-12774-1-2.html

zj0790

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zj0790

下面这篇转自驱家，写得就没有浴版专业了，但可以参考下。。
升级25nm阵痛 OCZ免费更换缩水固态硬盘
Intel美光合资企业早在去年上半年就已经开始出货25nm工艺NAND闪存，但至今我们还很少能够在固态硬盘中看到新制程闪存的身影。直到OCZ开始在自己的SSD中抢先应用25nm闪存，人们才发现了其中的奥妙，原来从3xnm升级到25nm带来的并不全都是好消息。
除了我们上周已经报道过的25nm闪存寿命缩短，导致硬盘需要预留更多冗余空间，用户可用容量缩水问题外。OCZ悄然更新的25nm闪存版Vertex 2系列硬盘还遇到了性能缩水的问题。

从拆解后的对比照片可以看出，同为60GB容量Vertex 2，左侧的32nm海力士闪存版本使用了16颗32Gbit闪存，右侧的25nm美光闪存版本则只使用了8颗64Gbit颗粒。相应的，主控芯片在进行闪存读写时的通道数下降了一半，导致在一些应用中写入性能明显下滑。这一情况对于60GB这样的小容量型号尤其明显。
OCZ日前已经宣布，对遇到这一问题的美国用户提供免费更换服务，并将负担往返邮寄费用。更换后的新硬盘仍将使用25nm闪存，但会改用32Gbit颗粒以保证读写通道数，同时由于芯片数量增加，可减少部分冗余空间，增加用户可支配容量