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英特尔芯片技术实现大突破:开发首个3D晶体管

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1#
发表于 2011-5-5 08:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
英特尔今天表示,在微处理器上实现了历史性的技术突破:成功开发世界首个3D晶体管,名叫Tri-Gate。据英特尔介绍说,3-D Tri-Gate晶体管能够支持技术发展速度,它能让摩尔定律延续数年。该技术能促进处理器性能大幅提升,并且可以更节能,新技术将用在未来22纳米设备中,包括小的手机到大的云计算服务器都可以使用。








根据英特尔的解释,公司重新为芯片设计了电子开关(即晶体管),在过去开关是平面的,现在增加了第三维,它由硅基向上突出。例如,当土地有限,要增加办公室就可以盖摩天大楼。新的3D晶体管道理与此相似。   英特尔展示了22纳米处理器,代号为Ivy Bridge,它将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片。3-D晶体管和2-D平面晶体管有本质性的区别,它不只可以用在电脑、手机和消费电子产品上,还可以用在汽车、宇宙飞船、家用电器、医疗设备和其它多种产品中。
  英特尔CEO欧德宁说:“英特尔的科学家和工程师曾经重新发明晶体管,这一次利用了3D架构。很让人震惊,改变世界的设备将被创造出来,我们将把摩尔定律带入新的领域。”
    长久以来,科学家就认识到3D架构可以延长摩尔定律时限。这次突破可以让英特尔量产3-D Tri-Gate晶体管,从而进入到摩尔定律的下一领域。
  摩尔定律认为由于硅技术的发展,每2年晶体管密度就会翻倍,它能增强功能和性能,降低成本。在过去四十年里,摩尔定律成为半导体产业的基本商业模式。  
  通过使用3D晶体管,芯片可以在低电压和低泄露下运行,从而使性能和能耗取得大幅改进。在低电压条件下,22纳米的3-D Tri-Gate晶体管比英特尔32纳米平面晶体管性能提高37%。这意味着它能用在许多小的手持设备中。另外,在相同的性能条件下,新的晶体管耗电不及 2D平板晶体管、32纳米芯片的一半。
  首款3-D Tri-Gate晶体管22纳米芯片代号为Ivy Bridge,英特尔今天展示了该芯片,它能用在笔记本、服务器和台式机中。Ivy Bridge家族的芯片将成为首个大量生产的3-D Tri-Gate晶体管芯片,它将在年底开始量产。3-D Tri-Gate晶体管还将用在凌动芯片中。
    解读:对ARM构成威胁
  英特尔推出下一代芯片技术,在微处理器装上更多的晶体管,并希望借此帮助公司掌握平板、智能手机市场的话语权。
  按照英特尔的计划,2011年底将推出采用新技术的芯片,提供给服务器和台式机、笔记本,它还会为移动设备开发新的处理器。
  采用3D晶体管的英特尔芯片可能会给ARM构成威胁,毕竟ARM是现任移动市场的老大。
  受新技术发布消息刺激,ARM的股价今天大跌7.3%,在伦敦收于5.58英磅。
  Matrix分析师阿德里安(Adrien Bommelaer)认为,英特尔是否能迅速闯进ARM的后院,这还没有定论。他说:“英特尔显然想跳出核心PC市场的范围。关键问题是‘它们能推出一款处理器,足够强大,可以在移动计算领域一争高下吗?’”“它们将推出新的芯片,比上一代32纳米芯片节能50%,朝正确方向前进了一大步,但是否足够?我不知道。要知道ARM自己的能效也在进步。”  
  据英特尔说22纳米的芯片性能比现在的32纳米芯片更高。为了扩大制程技术的优势,赶上移动竞赛,上个月英特尔将2011年资本开支提高到102亿美元,原定数额为90亿美元,目的是落实12纳米制程的开发。
  在制程工艺上,英特尔大大领先于其它芯片商,它可以制造更快更高效的处理器。
  自19世纪60年代以来,英特尔和其它半导体企业投入数十亿美元搞研发,每两年让芯片上的晶体管数量翻倍,从而方便产品进入到更小更快的小电子产品中。随着时间的推进,开发和使用先进制程技术成本过高,许多企业无法负担。但分析师说,英特尔资金雄厚,能持续推进制程发展。
  花旗集团分析师扬(Glen Yeung)对英特尔的新技术表示赞扬,将目标价提高到了27美元,建立买入英特尔股票。他认为英特尔在芯片制造上有3-4年优势,当芯片闲置时,3D晶体管可以减少电流泄露,当芯片繁忙时它能运行在更低的电压下。

2#
发表于 2011-5-5 09:23 | 只看该作者
本帖最后由 hksega 于 2011-5-5 09:24 编辑

沙发{lol:];这个比较牛,其他企业在制程上跟INTEL实在是相差比较远了
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3#
发表于 2011-5-5 09:30 | 只看该作者
IBM发威吧,什么FDSOI,ETSOI{shocked:]{shocked:]
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4#
发表于 2011-5-5 10:12 | 只看该作者
我擦,看来以后CPU不能网购了,快递太操蛋!
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5#
发表于 2011-5-5 11:04 | 只看该作者
从制程技术来说,INTEL目前没有对手,包括IBM和几大代工厂商,AMD其实没有制程技术,它的制造工艺是从IBM那儿获得的。
intel唯一的问题就是能否尽快地把制程优势带入到移动芯片并转化为与ARM抗衡的态势。
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6#
发表于 2011-5-5 11:36 | 只看该作者
Intel V5
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7#
发表于 2011-5-5 12:01 | 只看该作者
高处不胜寒
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potomac 该用户已被删除
8#
发表于 2011-5-5 12:27 | 只看该作者
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9#
发表于 2011-5-5 12:33 | 只看该作者
本帖最后由 zpcz 于 2011-5-5 12:35 编辑

这个就是那个突破性技术吧,看看X86功耗能不能降下来,原来IVB就是3D芯片了,这么说沙桥就是最后一款2D芯片么
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10#
发表于 2011-5-5 12:43 | 只看该作者
这个3d晶体管不知寿命如何?等2012的小白鼠试验.不过比上一代32纳米芯片节能50%,多猛啊
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11#
发表于 2011-5-5 12:45 | 只看该作者
感觉很脆弱
这东西无论是超频还是震动,损坏的风险也比较大。
制造好的晶圆手指头摸一下估计几亿的晶体管就报废了
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3332243 该用户已被删除
12#
发表于 2011-5-5 12:57 | 只看该作者
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13#
发表于 2011-5-5 13:04 | 只看该作者
ivb 原来开始3d了
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14#
发表于 2011-5-5 13:23 | 只看该作者
太棒了不错  。期待明年的IVY功耗啊  双核能在TDP 20W不?
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15#
发表于 2011-5-5 13:25 | 只看该作者
I一家用3D,其他家在2D拼你死我活,场面就有意思了
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16#
发表于 2011-5-5 13:39 | 只看该作者
potomac 发表于 2011-5-5 12:27
快把LarraBee造出来。

Larrabee骑士还在渡口呢
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18#
发表于 2011-5-5 15:43 | 只看该作者
intel又牛b了啊
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19#
发表于 2011-5-5 16:04 | 只看该作者
期待ivb-e了

sb-e就是一坑爹货
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20#
发表于 2011-5-5 16:57 | 只看该作者
SB容易超坏  IVB是3D化的第一代不敢买!!!AD5000看来要超期服役了!!回去降降频免得2012缩肛了没得用{lol:]
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