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内存颗粒都25纳米了,DDR3电压还是1.5V,简直是变相加压超频啊。。。

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1#
发表于 2011-8-2 23:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 D65 于 2011-8-2 23:46 编辑

想想DDR3刚出道的时候,制定了1.5V的标准电压,这个电压显然是和65纳米制程相适应啊。
你说到了50纳米这些还用这个电压就算了,现在都25纳米了居然仍然厚着脸皮用1.5V,简直就是变相的加压超频啊。

始终觉得DDR这个标准电压的制定,太搞笑了,一个最佳的电压和颗粒制程息息相关。凭啥你说一直就是1.5V最好。。。
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2#
发表于 2011-8-3 00:23 | 只看该作者
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3#
发表于 2011-8-3 15:38 | 只看该作者
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4#
发表于 2011-8-3 16:40 | 只看该作者
开启很难做下来?
不知道lz凭什么认为制程下来
电压就要降下来.
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5#
发表于 2011-8-3 17:26 | 只看该作者
fiddle 发表于 2011-8-3 16:40
开启很难做下来?
不知道lz凭什么认为制程下来
电压就要降下来.

通常制成下来,电压确实下来,更先进的制成,更省电更环保

看看三星尚未上市的30nm级DDR3台式机内存,1.35V,确实比40nm级的1.5V要低

虽然我已经等不及入了40nm的

http://www.samsung.com/cn/consumer/computers-office/sd-card-memory-card/memory-card/MV-3V4G3/CN/index.idx?pagetype=prd_detail&tab=specification
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6#
 楼主| 发表于 2011-8-3 22:19 | 只看该作者
fiddle 发表于 2011-8-3 16:40
开启很难做下来?
不知道lz凭什么认为制程下来
电压就要降下来.

有点常识就足够了,220V电压不变,你敢把自家电源线,粗细弄成原来的一半?
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7#
发表于 2011-8-3 23:10 | 只看该作者
请参考CPU电压
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8#
发表于 2011-8-4 09:22 | 只看该作者
本帖最后由 中华千年老妖 于 2011-8-4 09:23 编辑

LZ只看到降压带来的好处,但是,内存电压标准的变更,有多少周边搭配的芯片也要跟着变化。倘若照LZ说的,制程变就要更改电压,那么大量现成的老制程的内存该如何自处,主板芯片组也要全部重新设计,没人会那么脑残的。至于节能版的1.35v,这个电压标准在DDR3标准推出之初就确定下来的。
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9#
发表于 2011-8-4 13:28 | 只看该作者
楼上说的在理。
改个制程就修改电压,兼容性没法标准,比较设计的时候主板内存槽的电压就基本定死了的。
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10#
 楼主| 发表于 2011-8-4 14:13 | 只看该作者
本帖最后由 D65 于 2011-8-4 14:13 编辑
中华千年老妖 发表于 2011-8-4 09:22
LZ只看到降压带来的好处,但是,内存电压标准的变更,有多少周边搭配的芯片也要跟着变化。倘若照LZ说的,制 ...


你没有看到不降压的坏处,你把家里导线,粗细减半。诚然也能用,安不安全,自己知道。
我更闹不明白的是,技嘉的主板,内存要多少电压都可以设置。 而之前的微星P35,死活CPU和内存电压,一点都不能减。

显然这和周边芯片没有任何关系。只是主板自己的设计思路问题。
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11#
发表于 2011-8-4 15:18 | 只看该作者
这个不是内存决定的,是主板设计好了电压了,很难改,但可以向下小幅地.....,哈哈
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12#
发表于 2011-8-4 18:35 | 只看该作者
这个应该是内存电压有一定的规范的,不能随便下调

我的技嘉p55-ud4最低电压也只在1.3v,实际windows下1.35,已经不能再低了~
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13#
发表于 2011-8-4 19:07 | 只看该作者
电压高 不等于电流也会高
人家设计的时候也许就按 1.5v 为准的思路执行
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14#
发表于 2011-8-4 22:45 | 只看该作者
电流小了一样省电吧
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15#
 楼主| 发表于 2011-8-4 23:15 | 只看该作者
本帖最后由 D65 于 2011-8-4 23:15 编辑
shar001 发表于 2011-8-4 19:07
电压高 不等于电流也会高
人家设计的时候也许就按 1.5v 为准的思路执行


有这种“设计”,Intel,AMD会感动得哭死。
以后何必费劲搞制程,改一下“设计”,电流就降低了,功耗减小了,没事捂着被子,偷偷乐。
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16#
发表于 2011-8-5 00:35 | 只看该作者
D65 发表于 2011-8-4 23:15
有这种“设计”,Intel,AMD会感动得哭死。
以后何必费劲搞制程,改一下“设计”,电流就降低了,功耗 ...

同是45nm的q9550和i5-750,电压相仿,但实际功耗和体质i5-750却更好

e8400同一45nm制程的c1跟e0步进功耗和体质也是一样差距不小

同一制程改善设计能降低功耗有什么好稀奇的?  

每一代的内存电压应该也是有一套标准的,就像家里的所有电器都是220v电压标准的,你能说他们的功耗都一样吗?即使是同类产品
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17#
 楼主| 发表于 2011-8-5 01:37 | 只看该作者
本帖最后由 D65 于 2011-8-5 01:43 编辑
winson_surewin 发表于 2011-8-5 00:35
同是45nm的q9550和i5-750,电压相仿,但实际功耗和体质i5-750却更好

e8400同一45nm制程的c1跟e0步进功 ...


拜托,那是核心才有的步进除bug,也就几w的漏电电流堵住了好吧。q9550和i5-750官方标注的都是TDP 95W,你所谓的实际功耗要好,是要通过更深度的动态降压,还有关闭闲置核心晶体管来实现的。

内存颗粒,有个鬼扯的晶体管可以关闭,说来说去还是靠降压来实现。并且内存条可以设计,颗粒结构你怎么重新设计?你能重新设计它就不是DDR3了,笑话别弄大了。那是你家220V电炉电阻丝减了一半直径的问题。不是220V收音机和220V电视机这种毫无相关性的电器结构关系。

25纳米不是三星好心给你降1.35V,那是他不降,颗粒已经工作于超频状态。严重背离最佳平衡点。但到时候,内存条厂商却可以堂而皇之的标注自己是“标准”电压,每个条子都超了再卖。这就是DDR3“标准电压”的搞笑之处,懂的人自然会懂。不懂的永远是丈二和尚摸不着头脑。
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18#
发表于 2011-8-5 12:54 | 只看该作者
一个巴掌拍不响

低端板子不会加成本根据条子参数输出不同电压,因为主板厂家知道内存厂家制程再怎么变,也不敢出上1.5V就烧的条子

高端板子本来就可以自己调,也不用内存厂家去操心

所以这个事大家外甥打灯笼照旧吧
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19#
发表于 2011-8-5 18:28 | 只看该作者
本帖最后由 winson_surewin 于 2011-8-5 23:28 编辑
D65 发表于 2011-8-5 01:37
拜托,那是核心才有的步进除bug,也就几w的漏电电流堵住了好吧。q9550和i5-750官方标注的都是TDP 95W, ...


其实说多了也无谓,觉得你是钻牛角尖了,其他就不扯了,扯远了也说不清

关于更新制程是否要降低电压,ls已经有人说了观点了,我也比较同意,因为要配合周边的配置,如果你内存单方面把电压标准降低,主板和其他设备不支持也是白搭

关于你说的同是220v电压,电线更细能否承受的问题是有点扯远了,厂家有自己的品质监控和品牌信誉要搭上,如果更新了制程不能承受原来的电压容易损毁,我想第一个担心的是厂商,不需要lz杞人忧天,我们用户只需要关心厂商是否保修和稳定使用就行了~
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20#
发表于 2011-8-6 14:03 | 只看该作者
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