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本帖最后由 D65 于 2011-8-5 01:43 编辑
winson_surewin 发表于 2011-8-5 00:35 ![]()
同是45nm的q9550和i5-750,电压相仿,但实际功耗和体质i5-750却更好
e8400同一45nm制程的c1跟e0步进功 ...
拜托,那是核心才有的步进除bug,也就几w的漏电电流堵住了好吧。q9550和i5-750官方标注的都是TDP 95W,你所谓的实际功耗要好,是要通过更深度的动态降压,还有关闭闲置核心晶体管来实现的。
内存颗粒,有个鬼扯的晶体管可以关闭,说来说去还是靠降压来实现。并且内存条可以设计,颗粒结构你怎么重新设计?你能重新设计它就不是DDR3了,笑话别弄大了。那是你家220V电炉电阻丝减了一半直径的问题。不是220V收音机和220V电视机这种毫无相关性的电器结构关系。
25纳米不是三星好心给你降1.35V,那是他不降,颗粒已经工作于超频状态。严重背离最佳平衡点。但到时候,内存条厂商却可以堂而皇之的标注自己是“标准”电压,每个条子都超了再卖。这就是DDR3“标准电压”的搞笑之处,懂的人自然会懂。不懂的永远是丈二和尚摸不着头脑。 |
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