25NM制程的 内存何时可以买的到啊？

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日本著名半导体厂商尔必达（Elpida）于今日（2011.8月1日）开始出货世界首个采用25nm工艺制造的内存颗粒EDJ2104BFSE（2Gbit DDR3 SDRAM，位宽4bit）和EDJ2108BFSE（同为2Gbit DDR3 SDRAM，位宽8bit）。
尔必达在5月底即开发完成25nm制造工艺，使用此工艺制造的内存颗粒芯片面积目前世界最小。比起30nm工艺制造的产品正常运行功耗降低15%，待机时降低约20%。传输速度可达1866Mbps以上，创造了业界最高纪录。
该内存颗粒的正常工作电压为1.5V，也有1.35V的低电压版本。可在0-95摄氏度范围内正常工作。新产品主要用于制造面向PC以及数据中心中服务器使用的内存，面向游戏主机，超薄笔记本电脑，智能手机及平板电脑的25nm制程产品也在顺次开发中。

aixiangsui2012

三星不是20nm么。
PS：
这是CPU区诶

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●三星将全面过渡至20nm级工艺节点

三星电子今天宣布，三星电子16号半导体生产线竣工投产，该生产线为全球最大规模半导体生产线，主要产品为20nm NAND闪存。三星电子本月还将首次实现20nm DDR3内存设备的量产，成为全球最早量产20nm级存储器产品的企业。

本月将实现量产的三星20nm 2Gbit DDR3内存颗粒拥有与去年7月研发的30nm DDR3产品的同等性能，同时提高了约50%生产效率，节约了40%以上的耗电量。三星计划今年内研发20纳米级4Gbit DDR3颗粒，明年开始量产20nm工艺单条4GB、8GB、16GB、32GB内存等大容量产品。

由于PC厂商的需求降低导致存储芯片价格过去三个月的降幅超过30%，甚至低于生产成本。由于平板电脑和智能手机受到消费者热捧，因此今年全球PC出货量只能实现不足5%的增长。

●尔必达将引领DDR3 1866新潮流

日本公司尔必达也在上上周宣布已经开发出基于25nm制程节点的全球最小的4Gb DDR3 DRAM颗粒。



相比30nm工艺，新的芯片在运行、待机时的电流值分别降低了25-30%和30-50%，同时25nm工艺也使得1块晶圆能切割出来的芯片数量相比30nm节点增加了45%。

全新的25nm 4Gb DRAM颗粒可以达成1866MHz的频率，而工作电压可以在1.35V或者1.5V，相关的样品和量产预计要等到今年年底才能够达成。

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UP..............

benbenboom

8g单条神马价格，难道那个3*的4g*4买早了》